场效应管型号识别

场效(xiao)应管(guan)概(gai)念(nian):

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(xie)(FET))简称(cheng)场效应管.由(you)多数(shu)载(zai)流子参(can)与导(dao)(dao)电(dian),也称(cheng)为(wei)单极型晶体管.它属于(yu)电(dian)压控制型半(ban)导(dao)(dao)体器件.

场效应(ying)管-特点:

具有(you)输入(ru)电阻高(108～109Ω)、噪声小、功(gong)(gong)耗低、动态范围大、易(yi)于集成(cheng)、没(mei)有(you)二次击穿现象、安全工作区(qu)域宽等优点(dian),现已成(cheng)为双(shuang)极(ji)型晶(jing)体管和(he)功(gong)(gong)率晶(jing)体管的强大竞(jing)争者.

作用:

场(chang)效应(ying)(ying)管可应(ying)(ying)用于(yu)(yu)放大.由于(yu)(yu)场(chang)效应(ying)(ying)管放大器的(de)(de)输入(ru)阻(zu)抗很(hen)高,因此耦合(he)(he)电(dian)(dian)容可以(yi)容量较小,不必使(shi)用电(dian)(dian)解电(dian)(dian)容器.场(chang)效应(ying)(ying)管可以(yi)用作(zuo)电(dian)(dian)子开(kai)关. 场(chang)效应(ying)(ying)管很(hen)高的(de)(de)输入(ru)阻(zu)抗非常适(shi)合(he)(he)作(zuo)阻(zu)抗变换.常用于(yu)(yu)多级(ji)放大器的(de)(de)输入(ru)级(ji)作(zuo)阻(zu)抗变换.场(chang)效应(ying)(ying)管可以(yi)用作(zuo)可变电(dian)(dian)阻(zu).场(chang)效应(ying)(ying)管可以(yi)方(fang)便地用作(zuo)恒流源.

场效应管的分类:

场效应(ying)管分结型(xing)、绝缘(yuan)栅型(xing)(MOS)两大类

按沟(gou)道材料(liao):结型和绝缘栅型各分N沟(gou)道和P沟(gou)道两种.

按导电方式:耗尽型与(yu)增强型,结型场效(xiao)应(ying)(ying)管均为(wei)耗尽型,绝(jue)缘栅型场效(xiao)应(ying)(ying)管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体(ti)(ti)管(guan)可(ke)分为结场效应晶体(ti)(ti)管(guan)和(he)MOS场效应晶体(ti)(ti)管(guan),而MOS场效应晶体(ti)(ti)管(guan)又(you)分为N沟(gou)耗(hao)尽(jin)型(xing)和(he)增(zeng)强型(xing);P沟(gou)耗(hao)尽(jin)型(xing)和(he)增(zeng)强型(xing)四大类.见下图(tu) :

场效应管的主要参数：

Up — 夹断电(dian)压.是(shi)指结型(xing)或耗尽型(xing)绝缘栅场效(xiao)应管中,使(shi)漏(lou)源间刚截止时的栅极电(dian)压

Idss — 饱和漏(lou)(lou)源电流.是指结(jie)型(xing)或耗尽型(xing)绝(jue)缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏(lou)(lou)源电流.

 Ut — 开启(qi)电压.是指(zhi)增强型绝(jue)缘栅(zha)场效管中,使(shi)漏(lou)源(yuan)间刚导通时(shi)的栅(zha)极电压.

gM — 跨导.是表示栅源电(dian)压UGS — 对漏(lou)极电(dian)流ID的(de)控制能力,即(ji)漏(lou)极电(dian)流ID变化量(liang)与栅源电(dian)压UGS变化量(liang)的(de)比值.gM 是衡量(liang)场效应管放(fang)大能力的(de)重要(yao)参数.

IDSM — 最大(da)漏(lou)源(yuan)电(dian)流(liu)(liu).是一项极限(xian)参(can)数,是指场(chang)效应(ying)管(guan)正(zheng)常工作时,漏(lou)源(yuan)间所(suo)允许通过(guo)的(de)最大(da)电(dian)流(liu)(liu).场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)工作电(dian)流(liu)(liu)不(bu)应(ying)超过(guo)IDSM

结型场效应管的管脚识别

BVDS — 漏(lou)源击(ji)穿电压(ya).是指(zhi)栅源电压(ya)UGS一定时,场效(xiao)应管正常工(gong)作所(suo)能承受(shou)的(de)最大漏(lou)源电压(ya).这是一项极限参(can)数,加在场效(xiao)应管上的(de)工(gong)作电压(ya)必须小于(yu)BVDS.

 PDSM — 最(zui)大(da)耗(hao)散功率,也是一(yi)项(xiang)极限参数,是指(zhi)场效应(ying)管性(xing)能不变(bian)坏时所允许的(de)最(zui)大(da)漏源耗(hao)散功率.使用时,场效应(ying)管实际功耗(hao)应(ying)小于PDSM并(bing)留有一(yi)定余量.

判(pan)定(ding)栅极(ji)(ji)G:将万(wan)用表(biao)拨(bo)至(zhi)R×1k档,用万(wan)用表(biao)的(de)负极(ji)(ji)任(ren)意(yi)接一电极(ji)(ji),另(ling)一只表(biao)笔依次(ci)(ci)去接触其余的(de)两(liang)(liang)(liang)个(ge)极(ji)(ji),测(ce)其电阻.若(ruo)(ruo)两(liang)(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)得(de)的(de)电阻值近似相等,则负表(biao)笔所接触的(de)为栅极(ji)(ji),另(ling)外两(liang)(liang)(liang)电极(ji)(ji)为漏(lou)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji).漏(lou)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)互换,若(ruo)(ruo)两(liang)(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)出的(de)电阻都(dou)很大(da),则为N沟(gou)(gou)道;若(ruo)(ruo)两(liang)(liang)(liang)次(ci)(ci)测(ce)得(de)的(de)阻值都(dou)很小,则为P沟(gou)(gou)道.

判定源极S、漏极D:

在源-漏之(zhi)间有一(yi)个(ge)PN结,因此根据PN结正(zheng)、反(fan)向电阻存(cun)在差异,可(ke)识别S极(ji)(ji)与D极(ji)(ji).用(yong)交(jiao)换表(biao)笔法测(ce)两次(ci)电阻,其(qi)中电阻值较(jiao)低(一(yi)般(ban)为(wei)几(ji)千欧(ou)至十几(ji)千欧(ou))的(de)一(yi)次(ci)为(wei)正(zheng)向电阻,此时黑(hei)表(biao)笔的(de)是(shi)S极(ji)(ji),红表(biao)笔接D极(ji)(ji).

常效应管与晶体三极管的比较

场效(xiao)应(ying)(ying)管是(shi)电压(ya)控(kong)制(zhi)(zhi)元件,而晶(jing)体管是(shi)电流控(kong)制(zhi)(zhi)元件.在只允(yun)许从信(xin)号(hao)(hao)源(yuan)取较少电流的情况下,应(ying)(ying)选用场效(xiao)应(ying)(ying)管;而在信(xin)号(hao)(hao)电压(ya)较低(di),又允(yun)许从信(xin)号(hao)(hao)源(yuan)取较多电流的条件下,应(ying)(ying)选用晶(jing)体管.

场效应管(guan)是(shi)利(li)用(yong)多数载流子(zi)导电,所(suo)以称之为(wei)单极型器件,而晶(jing)体管(guan)是(shi)即有多数载流子(zi),也利(li)用(yong)少(shao)数载流子(zi)导电,被称之为(wei)双极型器件.

有些场效应(ying)管(guan)的源极和漏极可以互换使用,栅压(ya)也可正可负,灵活性比晶体管(guan)好.

场(chang)效应管(guan)能在很(hen)小电(dian)(dian)流(liu)和很(hen)低电(dian)(dian)压的条(tiao)件下(xia)工作(zuo),而且它的制造工艺(yi)可(ke)以很(hen)方便地把很(hen)多(duo)场(chang)效应管(guan)集成(cheng)在一块硅(gui)片上,因(yin)此场(chang)效应管(guan)在大规模(mo)集成(cheng)电(dian)(dian)路(lu)中得到了广泛的应用(yong).

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