用PMOS实现LED恒流驱动芯片的通断控制-KIA MOS管

MOS管驱动通断控制

电(dian)路原理：

1、QX7135E33为330mA线性LED恒流驱动芯片(pian)，无使能(neng)端。

2、利用PMOS控(kong)制QX7135的电源通(tong)断，实(shi)现使能(neng)功能(neng)。

原理(li)说明：

1、控制电源(yuan)开关的输入(ru)信号 Control 为低电平或高(gao)阻时，三极管Q2的基极被(bei)拉低到(dao)地，为低电平，Q2不(bu)导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不(bu)导通，+5V_OUT 无(wu)输出。

电阻R4是为了在(zai) Control 为高阻时(shi)，将三极管(guan)Q2的基极固定在(zai)低电平，不让其浮(fu)空。

带(dai)软开启功能(neng)的MOS管(guan)电源开关电路

MOS管驱动通断控制

2、当(dang)电(dian)(dian)(dian)源(yuan) +5V_IN 刚上(shang)电(dian)(dian)(dian)时，要求控(kong)制(zhi)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)开(kai)关的(de)输入信号 Control 为低电(dian)(dian)(dian)平或高阻，即关闭三极(ji)管(guan)Q2，从而关闭MOS管(guan)Q1。因(yin) +5V_IN 还(hai)不(bu)稳定(ding)，不(bu)能将电(dian)(dian)(dian)源(yuan)打开(kai)向后级电(dian)(dian)(dian)路(lu)输出。

此时等效电路图如下。

MOS管驱动通断控制

此时电源 +5V_IN 刚上(shang)电，使MOS管G极与S极等(deng)电势，即Vgs = 0，令Q1关(guan)闭。

3、电(dian)源 +5V_IN 上电(dian)完成后，MOS管G极与S极两端(duan)均(jun)为5V，仍然Vgs = 0。

4、此时(shi)将(jiang) Control 设为高电平(ping)（假设高电平(ping)为3.3V），则(ze)：

MOS管驱动通断控制

①三极管(guan)Q2的基(ji)(ji)极为0.7V，可算(suan)出基(ji)(ji)极电流Ibe为：

（3.3V - 0.7V） / 基极电阻R3 = 0.26mA

②三级管Q2饱和导(dao)通(tong)，Vce ≈ 0。电容C1通(tong)过电阻(zu)R2充电，即C1与G极相连(lian)端(duan)的(de)电压由5V缓慢下降到(dao)0V，导(dao)致Vgs电压逐渐增大(da)。

③MOS管(guan)Q1的(de)Vgs缓(huan)慢增大，令(ling)其缓(huan)慢打(da)开直至完(wan)全打(da)开。最终Vgs = -5V。

④利用电(dian)容C1的(de)充(chong)电(dian)时(shi)间实(shi)现(xian)了(le)MOS管Q1的(de)缓慢打(da)开(kai)（导(dao)通），实(shi)现(xian)了(le)软(ruan)开(kai)启的(de)功能。

MOS管打开时(shi)的电流(liu)流(liu)向如下图所示：

MOS管驱动通断控制

5、电源打(da)开后，+5V_OUT 输出(chu)为5V电压。此时将 Control 设为低电平，三极管(guan)Q2关(guan)闭(bi)，电容C1与G极相连(lian)端通过电阻R2放(fang)电，电压逐渐上(shang)升到5V，起到软(ruan)关(guan)闭(bi)的效(xiao)果。

软关(guan)闭(bi)(bi)一般不(bu)是(shi)我们想要的，过慢地关(guan)闭(bi)(bi)电源，可能出现系统(tong)不(bu)稳(wen)定等异常。过程如(ru)下图。

MOS管驱动通断控制