驱动芯片和MOS管搭建大电流H桥电机驱动电路-KIA MOS管

用半(ban)桥/全桥驱动芯(xin)片和(he)MOS管搭建合适(shi)的H桥电(dian)(dian)机(ji)驱动电(dian)(dian)路(lu)实现对(dui)大电(dian)(dian)流电(dian)(dian)机(ji)的驱动控(kong)(kong)制。该(gai)电(dian)(dian)机(ji)驱动板有(you)两个(ge)H桥电(dian)(dian)路(lu)，可以同(tong)时控(kong)(kong)制双路(lu)电(dian)(dian)机(ji)。可通过相应的控(kong)(kong)制信号来控(kong)(kong)制电(dian)(dian)机(ji)的转速和(he)正反(fan)转。

大电流H桥电机驱动电路原理图

PCB 3D图

大电流H桥电机驱动电路详解

搭(da)建H桥(qiao)(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动电(dian)路一般都包括两个部(bu)分：半桥(qiao)(qiao)(qiao)/全桥(qiao)(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动芯(xin)片和MOS管(guan)。自行搭(da)建的(de)(de)H桥(qiao)(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动所(suo)能通(tong)过(guo)的(de)(de)电(dian)流几乎(hu)由MOS管(guan)的(de)(de)导通(tong)漏(lou)极电(dian)流所(suo)决定。因此，选择适当(dang)的(de)(de)MOS管(guan)，即可(ke)设计出驱(qu)(qu)动大电(dian)流电(dian)机的(de)(de)H桥(qiao)(qiao)(qiao)驱(qu)(qu)动电(dian)路。

NMOS管

在选择(ze)MOS管搭建H桥时，主要(yao)需注意以下一些参(can)数：

1.漏极电(dian)流(liu)（Id）：该电(dian)流(liu)即限制了所能接(jie)入电(dian)机(ji)的(de)最大电(dian)流(liu)（一般要选择大于电(dian)机(ji)堵转时(shi)的(de)电(dian)流(liu)，否则可能在(zai)电(dian)机(ji)堵转时(shi)烧毁(hui)MOS管）。

2.栅源(yuan)阈值电(dian)(dian)(dian)压(ya)/开启电(dian)(dian)(dian)压(ya)（Vth）：该(gai)电(dian)(dian)(dian)压(ya)即(ji)(ji)MOS管打开所需的最小电(dian)(dian)(dian)压(ya)，也将决定后续半桥驱动(dong)芯片的选择和设计(ji)（即(ji)(ji)芯片栅极控制脚的输出电(dian)(dian)(dian)压(ya)）。

3.漏源(yuan)导通电阻（Rds）：该电阻是MOS管导通时，漏极和(he)源(yuan)极之(zhi)间的(de)(de)损耗内阻，将会决定(ding)电机转(zhuan)动(dong)时，MOS管上的(de)(de)发(fa)热量，因此一般越(yue)小越(yue)好(hao)。

4.最大漏(lou)源电(dian)(dian)压（Vds）：该电(dian)(dian)压是MOS管(guan)漏(lou)源之(zhi)间所能承受的最大电(dian)(dian)压，必(bi)须大于加在(zai)H桥上的电(dian)(dian)机驱动电(dian)(dian)压。

半桥驱动芯(xin)片(pian)

在(zai)H桥(qiao)(qiao)驱(qu)动电路中，一共需要(yao)4个MOS管。而这四个MOS管的(de)(de)导通(tong)与截止则需要(yao)专门的(de)(de)芯片来进行控制，即要(yao)半桥(qiao)(qiao)/全(quan)桥(qiao)(qiao)驱(qu)动芯片。

所谓(wei)半(ban)(ban)桥驱动芯(xin)片，便是一块(kuai)驱动芯(xin)片只(zhi)能用于控(kong)(kong)制H桥一侧的2个(ge)MOS管(guan)（1个(ge)高端(duan)MOS和1个(ge)低端(duan)MOS）。因此采用半(ban)(ban)桥驱动芯(xin)片时，需要两块(kuai)该芯(xin)片才能控(kong)(kong)制一个(ge)完整的H桥。

相应的，全(quan)桥驱(qu)动芯(xin)片便是可以直接控(kong)制(zhi)(zhi)4个(ge)MOS管的导通与截止，一块(kuai)该芯(xin)片便能完(wan)成一个(ge)完(wan)整H桥的控(kong)制(zhi)(zhi)。

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