MOS管参数测试方法详细图文-KIA MOS管

沟槽式场效应管

沟槽式场效(xiao)应管TrenchMOSFET是(shi)现在比较常用的金属-氧化物(wu)半导体场效(xiao)应晶体管。因其(qi)具(ju)有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点，所以功(gong)率损(sun)耗低、开关速(su)度快。且由于TrenchMOSFET为垂直(zhi)结构器件(jian)，因此可进一步提高其(qi)沟道密度，减少芯片(pian)尺(chi)寸，使功(gong)率场效(xiao)应管的SMD微(wei)型封(feng)装(zhuang)成为现实。

在(zai)手机电(dian)(dian)池保护电(dian)(dian)路中，常用到两个场效应管共漏极使用的MOSFET，因为(wei)在(zai)手机保护电(dian)(dian)路中，即要进行(xing)过(guo)充检(jian)测(ce)也要进行(xing)过(guo)放检(jian)测(ce)。

该类MOSFET内部电路(lu)结构如下图虚线内所示：

打开该类MOS的规格书(shu)我们会看到许(xu)多如(ru)下(xia)参数：

那(nei)么如(ru)何测(ce)试(shi)这(zhei)些参数呢，下面请看测(ce)试(shi)手法！

注(zhu)意：

下(xia)文中加粗字体为(wei)变量，需根据MOS规格书(shu)来确(que)定实际参数。

1、VSSS耐压

按下图连接(jie)测试电(dian)路，设置(zhi)VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电(dian)压至IS=1mA,且(qie)MOS无损(sun)毁，记录VSS1的电(dian)压。

按下图连接测试电(dian)路，设(she)置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，瞬(shun)间(jian)增加电(dian)压至IS=1mA,且MOS无(wu)损毁，记录VSS2的电(dian)压。

2、ISSS电(dian)流

按下图连接测试电路，设置VSS=12V，VGS=0V，记录(lu)下ISSS。

3、VGS(th)开启电(dian)压

按下图连接测试电路，设置VSS=6V，以0.1V同(tong)步增加VGS1的(de)电压(ya)，直至(zhi)ISS=1mA,记录下此(ci)时VGS1的(de)电压(ya)，同(tong)理测试另一(yi)FET的(de)VGS2。

4、IGSS栅极漏电流

按下(xia)图(tu)连接测试(shi)电路，设置VSS=0V，VGS1=±8V，记录下(xia)IGSS1，同(tong)理测试(shi)另一FET的IGSS2。

5、RSS(on)内阻

按下图连接测(ce)(ce)试(shi)电(dian)路(lu)，设(she)置IS=6A，分别测(ce)(ce)试(shi)VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V时，S1与S2两端(duan)的电(dian)压VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。

6、VFSS二极管(guan)导通电压

按下(xia)图(tu)连(lian)接测(ce)试(shi)电路，设置(zhi)VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，记录(lu)下(xia)测(ce)试(shi)的(de)VFSS1。

同理，设置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，记录下测试(shi)的VFSS2。

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