场效应管在电路中低压、宽电压、双电压应用-KIA MOS管

场效应管低压应用:

当使用5V电(dian)(dian)源，这时(shi)候(hou)如(ru)果(guo)使用传统的(de)(de)图腾(teng)柱结构(gou)，由于三极(ji)管的(de)(de)be有0.7V左(zuo)右的(de)(de)压(ya)降，导致实际最终加在gate上的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)只有4.3V。这时(shi)候(hou)，我们选用标称gate电(dian)(dian)压(ya)4.5V的(de)(de)场效应(ying)管就存在一定的(de)(de)风险。

同(tong)样的问题(ti)也(ye)发生在使用3V或者(zhe)其他低压电源的场(chang)合。

场效应管电路应用

场效应管宽电压应用:

输入(ru)电(dian)压(ya)并(bing)不(bu)是(shi)一(yi)个(ge)固(gu)定值，它会(hui)随(sui)着时间或(huo)者其他因素而变(bian)动。这个(ge)变(bian)动导致PWM电(dian)路(lu)提(ti)供(gong)给场效应管的驱(qu)动电(dian)压(ya)是(shi)不(bu)稳定的。

为了让场(chang)效应管(guan)在高gate电(dian)压(ya)(ya)下(xia)安全(quan)，很(hen)多(duo)场(chang)效应管(guan)内置了稳压(ya)(ya)管(guan)强行限制(zhi)gate电(dian)压(ya)(ya)的幅值。在这种情况(kuang)下(xia)，当提供的驱动电(dian)压(ya)(ya)超过稳压(ya)(ya)管(guan)的电(dian)压(ya)(ya)，就(jiu)会引起较大的静态功耗。

同时(shi)，如果简单的用电阻分压(ya)(ya)的原(yuan)理降低gate电压(ya)(ya)，就会出现(xian)输入(ru)电压(ya)(ya)比较高的时(shi)候，场效应管工作良好，而(er)输入(ru)电压(ya)(ya)降低的时(shi)候gate电压(ya)(ya)不足，引(yin)起导通不够彻底，从而(er)增加功耗。

场效应管电路应用

场效应管双电压应用:

在一(yi)些控制电(dian)(dian)路中，逻辑(ji)部分(fen)(fen)使用典型的(de)5V或者3.3V数字电(dian)(dian)压(ya)，而功率部分(fen)(fen)使用12V甚(shen)至更高的(de)电(dian)(dian)压(ya)。两个电(dian)(dian)压(ya)采用共地方式连接。

这就提出一(yi)个要求，需要使用(yong)一(yi)个电路，让(rang)低压(ya)侧(ce)(ce)能够有效的(de)控制高(gao)压(ya)侧(ce)(ce)的(de)场效应(ying)(ying)管，同时高(gao)压(ya)侧(ce)(ce)的(de)场效应(ying)(ying)管也(ye)同样会面对1和(he)2中提到的(de)问题(ti)。

在这(zhei)三(san)种情况下，图腾(teng)柱结(jie)构(gou)无法满(man)足输出要求，而很(hen)多现成(cheng)的(de)(de)场效应管(guan)驱动IC，似乎也(ye)没(mei)有包含(han)gate电压限(xian)制的(de)(de)结(jie)构(gou)。

场效应管电路应用