MOS管栅极串联电阻作用分享-KIA MOS管

1、如果(guo)没有栅极电阻(zu)，或(huo)者电阻(zu)阻(zu)值太小

MOS导通速(su)度过快，高压(ya)情况(kuang)下容易(yi)击穿周围的器件。

2、栅极电阻阻值过大

MOS管(guan)导通(tong)时(shi)(shi)，Rds会(hui)从无(wu)穷大(da)将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电(dian)阻(zu)过大(da)时(shi)(shi)，MOS管(guan)导通(tong)速度(du)(du)过慢(man)，即(ji)Rds的减小要(yao)经过一段时(shi)(shi)间(jian)，高压(ya)时(shi)(shi)Rds会(hui)消耗大(da)量(liang)功率，导致MOS管(guan)发烫。过于频繁(fan)地(di)导通(tong)会(hui)使热(re)量(liang)来不及发散(san)，MOS温(wen)度(du)(du)迅(xun)速升高。

3、在高(gao)(gao)压(ya)下，PCB的设计也(ye)需要注意(yi)。栅(zha)极电(dian)阻最好紧靠栅(zha)极，并且导线不要与母线电(dian)压(ya)平行分布。否(fou)则母线高(gao)(gao)压(ya)容易耦合至下方(fang)导线，栅(zha)极电(dian)压(ya)过高(gao)(gao)击(ji)穿MOS管。

MOS管栅极(ji)串联(lian)电阻作用的研究(jiu)

与(yu)反向(xiang)并联(lian)的二(er)极管一同构成硬件死区(qu)电路

驱动电(dian)(dian)(dian)路电(dian)(dian)(dian)压(ya)源为mos结电(dian)(dian)(dian)容(rong)充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)时经过栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)阻，栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)阻降低(di)了充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)功率，延(yan)长了栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)容(rong)两端(duan)电(dian)(dian)(dian)压(ya)达到mos管开(kai)启电(dian)(dian)(dian)压(ya)的速(su)(su)度；结电(dian)(dian)(dian)容(rong)放电(dian)(dian)(dian)时经过二极(ji)管，放电(dian)(dian)(dian)功率不受(shou)限制，故此情况下(xia)mos管开(kai)启速(su)(su)度较关(guan)断速(su)(su)度慢，形成(cheng)硬件死(si)区。

限流(liu)

当使用含内(nei)部(bu)死(si)区(qu)的(de)驱动或不需(xu)要硬件死(si)区(qu)时，是(shi)否可以省去栅极电阻呢？答案(an)是不行(xing)。

当(dang)开启(qi)mos管(guan)为结电容充电瞬间，驱动电路(lu)电压(ya)源近似(si)短接(jie)到地，当(dang)驱动电驴电压(ya)源等(deng)价电源内阻较小时(shi)，存在过流烧毁驱动（可(ke)能是(shi)三态门三极管(guan)光(guang)耦甚至(zhi)是(shi)单片(pian)机不能短接(jie)到地的io口等(deng)等(deng)）的风(feng)险。

消(xiao)除振(zhen)铃

同时，由于pcb布(bu)线电感、布(bu)线电阻和结电容构(gou)成(cheng)构(gou)成(cheng)LCR震(zhen)荡，在布(bu)线电阻R及电压源(yuan)输(shu)出阻抗较小的一(yi)般情况下(xia)，mos管栅(zha)极电压波动可(ke)能(neng)十分明显，造(zao)成(cheng)振铃现(xian)象(xiang)使mos管开启不稳定。在栅(zha)极串接一(yi)个阻值合适(shi)的电阻，可(ke)减小震(zhen)荡的波动幅度，降低mos管开启不稳定的风(feng)险。

综上所述：

1）如果需要使用基于二极(ji)管和电阻的纯硬(ying)件死区，在二极(ji)管一侧还需要考虑增加一个合适阻值的电阻来限制振(zhen)铃等现象。

2）如果需要使用基于二极管(guan)和(he)电(dian)(dian)阻的(de)纯硬件死区，在结电(dian)(dian)容较小(xiao)时，可(ke)以考虑在gs两(liang)端并联一颗合适(shi)大小(xiao)的(de)电(dian)(dian)容，与(yu)寄(ji)生电(dian)(dian)感和(he)走线、电(dian)(dian)源(yuan)阻抗一同(tong)形(xing)成时长(zhang)精确可(ke)调的(de)死区。

4）某些型号(hao)的mos管自带栅极电阻 或 允许栅极dV/dt无穷大（一般(ban)手册会特别强调，这是卖点），驱动给的开(kai)启电压很大，即使已经发(fa)生振铃mos管也不(bu)会振荡开(kai)启/关(guan)闭。

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