MOS管做电源开关的经验分享-KIA MOS管

一(yi)般的(de)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)开(kai)关电(dian)(dian)(dian)路，控制(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)目的(de)是省电(dian)(dian)(dian)，控制(zhi)(zhi)静态电(dian)(dian)(dian)流。不过以(yi)下的(de)电(dian)(dian)(dian)路存在着几个缺点：

1.管(guan)压(ya)降较大

我们知道采用PNP管子作为开关管的(de)饱和压(ya)降在(zai)0～0.3V，这(zhei)在(zai)低(di)电路上(shang)是不可(ke)接受的(de)。3.3V的(de)控制(zhi)电源最(zui)大(da)误(wu)差变成3V，某些1.5V的(de)电源变成1.2V，这(zhei)会(hui)导致由此供电的(de)芯片损坏。

PMOS的管子压降(jiang)为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可(ke)选择，实际(ji)的值(zhi)在(zai)1欧以内(nei)。

2.控制电流

我(wo)们(men)知(zhi)道(dao)Ib和Ic是相(xiang)关(guan)的，饱(bao)和放大系数(shu)一般的设计为30，因此我(wo)们(men)通(tong)过200mA的电流(liu)的时(shi)候，Ib=200/30=7mA，这样导致(zhi)了控制电路功耗较大。

3.开关管功耗(hao)

我们知道(dao)三极管的功(gong)耗计算(suan)公式为Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec饱和时0～0.3V的条件下(xia)，当通(tong)过(guo)电流(liu)较大的时候，开关管的功(gong)耗就很(hen)大。

比较而言，PMOS的导通电(dian)阻Rdson较小（也(ye)可选择），P=Rdson×Id^2。

PMOS高(gao)压电路设计（12V）电路

对(dui)比PNP电路设(she)计

低压开关（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】

NMOS导通(tong)关闭条(tiao)件：

这里使(shi)用PNP管直接使(shi)NM OS的(de)G和Vin导通(tong)，这样NMOS才(cai)可以完全导通(tong)，要是(shi)不能使(shi)Vin完全和NMOS的(de)G完全接通(tong)，就使(shi)用最上(shang)面的(de)PMOS的(de)方案，如果(guo)接成如下的(de)情况：

MOS管开关电路

结果

当Photo Control为高定平(ping)，9014导(dao)通，640断开(kai)。当Photo Control为低电平(ping)，9014断开(kai)，640导(dao)通，可此时640上(shang)ds间3~4V的压降，本意DC=VBAT(8V) ,现在(zai)DC只有(you)3点几伏电压；

原因：

NPN+PMOS才做电源控(kong)(kong)制，这是NPN+NMOS，R21直(zhi)接换(huan)成0欧就(jiu)通了，只不过没有控(kong)(kong)制什(shen)么事了。

还有(you)NMOS的(de)衬底(di)一(yi)般做出来(lai)的(de)时候是(shi)和源(yuan)极(ji)接在一(yi)起的(de)，开机NMOS需(xu)控制电(dian)压（相对(dui)衬底(di)）大于开启电(dian)压，这样(yang)接衬底(di)完(wan)全悬空了，现在的(de)电(dian)路无论怎(zen)么控制都达(da)不到要求，电(dian)路本身设计就错了，NMOS一(yi)般是(shi)做低(di)输出的(de)，PMOS才是(shi)高输出电(dian)路，这个性质和三极(ji)管的(de)NPN和PNP差不多的(de)。TTL中用三极管，TTL能(neng)驱动MOS，MOS不能(neng)驱动TTL。

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MOS管开关电路