电动工具、锂电保护板推荐MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。KCX2704A是一款SGT工艺产品，是使用LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET。改进的工艺和单元结构特别定制，以最小化导通电阻，提供优越的开关性能。该设备广泛用于UPS和逆变器系统的电源管理等。

随着手机(ji)快充、电动汽车、无刷电机(ji)和锂电池的(de)(de)兴起，中(zhong)(zhong)压(ya)MOSFET的(de)(de)需求越来越大(da)，中(zhong)(zhong)压(ya)功率器(qi)件(jian)开始蓬(peng)勃发展，因其巨大(da)的(de)(de)市场份额，国(guo)内外诸多厂商在(zai)相应的(de)(de)新技术研发上不断加大(da)投入。SGT MOSFET作为(wei)中(zhong)(zhong)MOSFET的(de)(de)代表，被作为(wei)开关(guan)器(qi)件(jian)广(guang)泛(fan)应用于(yu)电机(ji)驱动系(xi)统、逆(ni)变器(qi)系(xi)统及电源管理系(xi)统，是核心功率控制部件(jian)。

SGT MOSFET结构(gou)具有电(dian)荷耦合(he)效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗(hao)尽的基础上引入(ru)了(le)水平耗(hao)尽，将器件电(dian)场由三角形(xing)分布(bu)改(gai)变为近似(si)矩形(xing)分布(bu)，在采用同样掺(chan)杂(za)浓度的外(wai)延材料(liao)规格情况下，器件可以获(huo)得更高的击穿电(dian)压。

较深的(de)沟(gou)槽深度，可以(yi)利用更多(duo)的(de)硅体积来吸收EAS能(neng)量，所以(yi)SGT在雪崩时(shi)可以(yi)做得更好，更能(neng)承受(shou)雪崩击(ji)穿(chuan)和浪涌(yong)电流。在开关电源，电机(ji)控制，动力电池系(xi)统等(deng)应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，非常(chang)有助于提高(gao)系(xi)统的(de)效能(neng)和功率密(mi)度。

SGT技术优势：

提升功(gong)率密度

SGT结(jie)构相对传(chuan)统的(de)Trench结(jie)构，沟槽挖掘深(shen)(shen)度深(shen)(shen)3-5倍(bei)，可以(yi)横向(xiang)使用(yong)更多(duo)的(de)外延体积来阻止电(dian)压(ya)，显著降低(di)了MOSFET器件(jian)的(de)特(te)征导(dao)通(tong)电(dian)阻（Specific Resistance），例如相同的(de)封(feng)装外形PDFN5*6，采用(yong)SGT芯片技术，可以(yi)得到更低(di)的(de)导(dao)通(tong)电(dian)阻。

极低的开关损耗

SGT相对传统Trench结(jie)构(gou)(gou)，具有低(di)Qg 的(de)特(te)点。屏蔽(bi)栅结(jie)构(gou)(gou)的(de)引(yin)入(ru)，可(ke)以降低(di)MOSFET的(de)米勒电容CGD达10倍以上，有助于降低(di)器件在开(kai)关电源应(ying)用中的(de)开(kai)关损(sun)耗(hao)。另外，CGD/CGS的(de)低(di)比值(zhi)也是目前同步(bu)整(zheng)流(liu)应(ying)用中抑制shoot-through的(de)关键指标，采用SGT结(jie)构(gou)(gou)，可(ke)以获(huo)得更低(di)的(de)CGD/CGS比值(zhi)。

更好的(de)EMI优势(shi)

SGT MOS结(jie)(jie)构(gou)中的(de)(de)内置电(dian)阻(zu)电(dian)容缓(huan)冲(chong)结(jie)(jie)构(gou)，可以抑制DS电(dian)压关断(duan)时(shi)的(de)(de)瞬态振(zhen)荡(dang)，开关电(dian)源(yuan)应用中，SGT结(jie)(jie)构(gou)中寄生的(de)(de)CD-shield和Rshield可以吸收器件关断(duan)时(shi)dv/dt变化带(dai)来的(de)(de)尖峰和震荡(dang)，进一步降低应用风(feng)险。

40V 150A KCX2704A特点：

VGS=10V时，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低栅极(ji)电荷(he)

低Crss

快(kuai)速切换(huan)

额定极限dv/dt

100%雪崩(beng)测试

无铅(qian)电镀

符合RoHS

KCX2704A漏源(yuan)击穿电压40V，漏极电流最(zui)大为150A；开启延迟典型值(zhi)为22nS，关断(duan)延迟时间(jian)典型值(zhi)为87nS，上(shang)升时间(jian)64nS，下降时间(jian)28nS，反(fan)向传(chuan)输电容43pF，反(fan)向恢复时间(jian)67nS，正向电压的典型值(zhi)1.4V。