KNX2906B N沟道场效应管(guan)代(dai)换(huan) 60V130A HY3306参数(shu)代(dai)换(huan)-KIA MOS管(guan)
信息来(lai)源：本站 日(ri)期：2022-10-13
该功率MOSFET采用KIA的(de)先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更(geng)好的(de)特性(xing)，包括快速(su)开关时间(jian)，低(di)导通电阻，低(di)栅电荷(he)，特别是优(you)异(yi)的(de)雪崩特性(xing)。
RDS（打开）类型=4.6mΩ@VGS=10V
低(di)栅电荷(he)（典型145nC）
高坚(jian)固性
100%雪崩测试
改(gai)进的dv/dt功能
同步整流
锂电池(chi)保护板
逆变(bian)器
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