10a650v场(chang)效应管,65t540 650V,KNF6165C参数引(yin)脚图-KIA MOS管
信(xin)息(xi)来(lai)源：本(ben)站(zhan) 日期：2025-05-20
开关电(dian)源专(zhuan)用(yong)MOS管KNF6165C漏(lou)源击穿电(dian)压(ya)6500V，漏(lou)极电(dian)流10A；低导通电(dian)阻RDS（导通）0.8Ω，最(zui)小化开关损耗，快速切换，开关性(xing)能(neng)优越；低栅极电(dian)荷、低反向传输电(dian)容、100%单(dan)脉冲雪(xue)崩能(neng)量测试，高(gao)效稳定(ding)可靠；专(zhuan)为(wei)高(gao)压(ya)、高(gao)速功(gong)(gong)率开关应用(yong)而设计，如高(gao)效开关电(dian)源、有源功(gong)(gong)率因数校正、基于(yu)半桥拓扑的电(dian)子灯镇流器(qi)等；封(feng)装形式：TO-220F。
漏源电压：650V
漏(lou)极电流(liu)：10A
栅源电压：±30V
脉冲漏(lou)电流(liu)：40A
雪(xue)崩能量单脉冲(chong)：500MJ
总功耗：40W
阈值电压：2-4V
总栅(zha)极电荷：35nC
输入电容：1645PF
输出电(dian)容：130PF
反向传输电容：8PF
开通延迟时间：29nS
关断延(yan)迟时间：56nS
上(shang)升时间：25ns
下降时(shi)间：26ns
联(lian)系(xi)方式：邹(zou)先生
座机：0755-83888366-8022
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