050N08,85v120a场效(xiao)应管,KCX050N08N参数引脚(jiao)图-KIA MOS管
信息来源：本(ben)站(zhan) 日期：2025-07-07
KCX050N08N场效(xiao)应管漏源(yuan)击穿电(dian)压85V，漏极(ji)电(dian)流(liu)120A ，采用先进的MOS技术制造，极(ji)低导通电(dian)阻RDS(开(kai)启(qi)) 4.6mΩ，卓(zhuo)越的QgxRDS（on）产(chan)品（FOM），减少开(kai)关损耗，提高效(xiao)率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确(que)保可靠性(xing)和稳定性(xing)，在(zai)电机控制和驱动、电池管(guan)理、不间断(duan)电源(yuan)（UPS）中广泛应用(yong)；封装形式：TO-263、TOLL-8，散热(re)良好。
漏源电(dian)压：85V
漏极电流：120A
栅源电压：±20V
脉冲漏电(dian)流：480A
单脉冲(chong)雪崩能量：144MJ
功率耗散：174W
阈(yu)值电压：3V
总栅极(ji)电荷：55nC
输(shu)入电容：3086PF
输出电容(rong)：1057PF
反(fan)向传输电容：26PF
开通延迟时间：20.1nS
关断延迟时间：45.1nS
上(shang)升(sheng)时间：38.9ns
下降时间(jian)：22.8ns
联系方式(shi)：邹(zou)先生
座(zuo)机：0755-83888366-8022
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