MOSFET管是FET的(de)(de)一(yi)(yi)种(zhong)（另(ling)一(yi)(yi)种(zhong)是JFET），可(ke)以被(bei)制(zhi)造成(cheng)增强型(xing)(xing)或(huo)耗尽型(xing)(xing)，P沟(gou)道或(huo)N...MOSFET管是FET的(de)(de)一(yi)(yi)种(zhong)（另(ling)一(yi)(yi)种(zhong)是JFET），可(ke)以被(bei)制(zhi)造成(cheng)增强型(xing)(xing)或(huo)耗尽型(xing)(xing)，P沟(gou)道或(huo)N沟(gou)道共(gong)4种(zhong)类型(xing)(xing)，但实际应用的(de)(de)只有增强型(xing)(xing)的(de)(de)N沟(gou)道MOS管型(xing)(xing)号(hao)和(he)增强型(xing)(xing)的(de)(de)P沟(gou)道MOS管型(xing)(xing)号(hao)，...
KIA半导体专(zhuan)业研(yan)(yan)发(fa)生(sheng)产MOS管场(chang)效应管厂家(jia)KIA半导体专(zhuan)业研(yan)(yan)发(fa)生(sheng)产MOS管场(chang)效应管厂家(jia)
如何(he)取舍好(hao)MOS管(guan) 第一(yi)(yi)步(bu)是决议采纳N沟(gou)道(dao)(dao)还(hai)(hai)是P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管(guan)。正在垂(chui)范的功(gong)...如何(he)取舍好(hao)MOS管(guan) 第一(yi)(yi)步(bu)是决议采纳N沟(gou)道(dao)(dao)还(hai)(hai)是P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管(guan)。正在垂(chui)范的功(gong)率(lv)使用中，当一(yi)(yi)度MOS管(guan)接地，而负载(zai)联接到支线(xian)电压上时，该MOS管(guan)就构 成了高压侧电...
场(chang)效应管引见篇(pian) 场(chang)效应结(jie)晶体(ti)(ti)管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称(cheng)...场(chang)效应管引见篇(pian) 场(chang)效应结(jie)晶体(ti)(ti)管（Field Effect Transistor缩写（FET））职称(cheng)场(chang)效应管。由少(shao)数载流子(zi)参加导(dao)热，也称(cheng)为(wei)多极型结(jie)晶体(ti)(ti)管。它归于电压掌握型半(ban)超导(dao)体(ti)(ti)...
KIA6N70H场效应管(guan)漏源击(ji)穿电(dian)(dian)压700V、漏极(ji)电(dian)(dian)流5.8A，RDS(on)typ为(wei)1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场效应管(guan)漏源击(ji)穿电(dian)(dian)压700V、漏极(ji)电(dian)(dian)流5.8A，RDS(on)typ为(wei)1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电(dian)(dian)荷（典型16NC）、高(gao)耐用(yong)性、快速切换和雪崩测试100%、具备提(ti)高(gao)dv/dt能力...
广东(dong)利(li)盈娱乐(le)半(ban)导(dao)体科技有限公司-商(shang)(shang)标(biao) 深圳(zhen)市(shi)(shi)金泰(tai)子实(shi)业有限公司-商(shang)(shang)标(biao) 深圳(zhen)市(shi)(shi)福...广东(dong)利(li)盈娱乐(le)半(ban)导(dao)体科技有限公司-商(shang)(shang)标(biao) 深圳(zhen)市(shi)(shi)金泰(tai)子实(shi)业有限公司-商(shang)(shang)标(biao) 深圳(zhen)市(shi)(shi)福田区可(ke)得电子设备商(shang)(shang)行-商(shang)(shang)标(biao)
