低(di)碳”糊(hu)口(kou)(kou)是(shi)目前(qian)倡(chang)导的(de)一种观(guan)念，对于照明来说(shuo)，LED的(de)应(ying)用就(jiu)是(shi)详(xiang)细体(ti)现。 P...低(di)碳”糊(hu)口(kou)(kou)是(shi)目前(qian)倡(chang)导的(de)一种观(guan)念，对于照明来说(shuo)，LED的(de)应(ying)用就(jiu)是(shi)详(xiang)细体(ti)现。 P沟(gou)道MOS管的(de)栅(zha)极驱动(dong)，采用简朴的(de)NPN三极管驱动(dong)放大电路，以改(gai)善MOS管的(de)导通过程(cheng)，减...
开(kai)(kai)关(guan)电源(yuan)基(ji)于(yu)自(zi)身(shen)的(de)(de)体积小巧和转换(huan)效率高(gao)的(de)(de)特点已在(zai)电子产品(pin)中得(de)到了广泛(fan)的(de)(de)应用...开(kai)(kai)关(guan)电源(yuan)基(ji)于(yu)自(zi)身(shen)的(de)(de)体积小巧和转换(huan)效率高(gao)的(de)(de)特点已在(zai)电子产品(pin)中得(de)到了广泛(fan)的(de)(de)应用，特别是(shi)美国PI公(gong)司开(kai)(kai)发的(de)(de)TOPSwitch系列高(gao)频开(kai)(kai)关(guan)电源(yuan)集成芯片的(de)(de)泛(fan)起(qi)，使(shi)电路设计更...
功率(lv)(lv)(lv)管发(fa)烧(shao)要留意，大多数场(chang)合特别是LED市(shi)电驱(qu)动应(ying)用，开关损(sun)害要弘远于导(dao)通(tong)...功率(lv)(lv)(lv)管发(fa)烧(shao)要留意，大多数场(chang)合特别是LED市(shi)电驱(qu)动应(ying)用，开关损(sun)害要弘远于导(dao)通(tong)损(sun)耗(hao)。频率(lv)(lv)(lv)与导(dao)通(tong)损(sun)耗(hao)也(ye)成正比，所以功率(lv)(lv)(lv)管发(fa)烧(shao)时(shi)，首(shou)先(xian)要想想是不是频率(lv)(lv)(lv)选择的有点...
MOS管(guan)学名是(shi)场效应管(guan)，是(shi)金属(shu)-氧化物(wu)(wu)-半导(dao)体(ti)型场效应管(guan)，英文(wen)MOSFET，属(shu)于绝(jue)缘...MOS管(guan)学名是(shi)场效应管(guan)，是(shi)金属(shu)-氧化物(wu)(wu)-半导(dao)体(ti)型场效应管(guan)，英文(wen)MOSFET，属(shu)于绝(jue)缘栅(zha)型。本文(wen)就结构构造、特点(dian)、实用电(dian)路等几个方面用工程师的话简(jian)单(dan)描述。沟道 下(xia)边...
近年来(lai)的发展方向是将(jiang)小功率(lv)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)系统集成在一个芯片上(shang)，可(ke)(ke)以使电(dian)(dian)(dian)源(yuan)产(chan)品更为紧(jin)凑...近年来(lai)的发展方向是将(jiang)小功率(lv)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)系统集成在一个芯片上(shang)，可(ke)(ke)以使电(dian)(dian)(dian)源(yuan)产(chan)品更为紧(jin)凑，体积更小，也(ye)减小了引线长度，从而减小了寄生参数。对高频(pin)磁元件所用(yong)的磁性材料，...
N沟道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管(guan)和N沟道(dao)(dao)增强(qiang)型(xing)(xing)MOS管(guan)的结(jie)构基本(ben)相同。差别在(zai)于(yu)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管(guan)的Si...N沟道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管(guan)和N沟道(dao)(dao)增强(qiang)型(xing)(xing)MOS管(guan)的结(jie)构基本(ben)相同。差别在(zai)于(yu)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管(guan)的Si02绝缘(yuan)层中掺(chan)有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)MOS管(guan)时掺(chan)人(ren)负(fu)离子），故在(zai)UCs...
