Qg=（CEI）(VGS)或(huo)Qg=Qgs+Qgd+Qod （可(ke)在datasheet中找到(dao)） Tr：上(shang)升(sheng)时(shi)(shi)刻(ke)。输(shu)...Qg=（CEI）(VGS)或(huo)Qg=Qgs+Qgd+Qod （可(ke)在datasheet中找到(dao)） Tr：上(shang)升(sheng)时(shi)(shi)刻(ke)。输(shu)出电压VDS从90%下降到(dao)其幅值10%的时(shi)(shi)刻(ke) td(on)：MOS导(dao)通延迟(chi)时(shi)(shi)刻(ke)，从有(you)驶(shi)入电压上(shang)升(sheng)...
向传(chuan)输(shu)电容(rong)(rong) Crss = CGD . Coss:输(shu)出电容(rong)(rong) Coss = CDS +CGD . Ciss:输(shu)入(ru)电容(rong)(rong)...向传(chuan)输(shu)电容(rong)(rong) Crss = CGD . Coss:输(shu)出电容(rong)(rong) Coss = CDS +CGD . Ciss:输(shu)入(ru)电容(rong)(rong) Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路(lu)). Tf :下降时刻(ke).输(shu)出电压 VDS 从(cong) 10% 上升到其幅值 9...
MOS管，即(ji)在(zai)集成电路(lu)中绝缘性(xing)场效应(ying)管。MOS英文(wen)全(quan)称为Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管，即(ji)在(zai)集成电路(lu)中绝缘性(xing)场效应(ying)管。MOS英文(wen)全(quan)称为Metal-Oxide-Semiconductor即(ji)金属-氧化物(wu)-半导体，确切的说，这(zhei)个名字描写了集成电路(lu)中MOS管的构造，即(ji)：在(zai)一...
MOS管(guan)功(gong)放具(ju)有(you)鼓励功(gong)率(lv)小(xiao)，输(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)功(gong)率(lv)大(da)，输(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)漏极(ji)(ji)电(dian)流具(ju)有(you)负温度系数(shu)，安全可(ke)靠(kao)...MOS管(guan)功(gong)放具(ju)有(you)鼓励功(gong)率(lv)小(xiao)，输(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)功(gong)率(lv)大(da)，输(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)漏极(ji)(ji)电(dian)流具(ju)有(you)负温度系数(shu)，安全可(ke)靠(kao)，且有(you)工(gong)作频率(lv)高，偏置简略等(deng)长处。 MOS管(guan)主驱动电(dian)路的(de)输(shu)(shu)出(chu)(chu)(chu)端与MOS管(guan)的(de)栅极(ji)(ji)电(dian)衔接，...
N沟MOS晶(jing)体(ti)管(guan)金(jin)属-氧(yang)化物-半导(dao)体(ti)(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的(de)(de)晶(jing)体(ti)管(guan)简(jian)...N沟MOS晶(jing)体(ti)管(guan)金(jin)属-氧(yang)化物-半导(dao)体(ti)(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的(de)(de)晶(jing)体(ti)管(guan)简(jian)称MOS晶(jing)体(ti)管(guan)，有P型MOS管(guan)和N型MOS管(guan)之分。MOS管(guan)构成的(de)(de)集成电(dian)路称为MOS集成电(dian)路，而P...
MOS管(guan)是金(jin)属（metal）-氧化物(wu)（oxid）-半(ban)导体（semiconductor）场效(xiao)应晶体管(guan)...MOS管(guan)是金(jin)属（metal）-氧化物(wu)（oxid）-半(ban)导体（semiconductor）场效(xiao)应晶体管(guan)，或者称是金(jin)属-绝缘体（insulator）-半(ban)导体。MOS管(guan)的source和(he)drain是可(ke)以对调的，他...
