场效(xiao)应管MOS管生(sheng)产(chan)(chan)厂家(jia)KIA电(dian)子，专(zhuan)业(ye)生(sheng)产(chan)(chan)从事各种(zhong)大功率(lv)(lv)半导体器件(jian)与功率(lv)(lv)集(ji)成(cheng)器...场效(xiao)应管MOS管生(sheng)产(chan)(chan)厂家(jia)KIA电(dian)子，专(zhuan)业(ye)生(sheng)产(chan)(chan)从事各种(zhong)大功率(lv)(lv)半导体器件(jian)与功率(lv)(lv)集(ji)成(cheng)器件(jian)的(de)设计，生(sheng)产(chan)(chan)和销售(shou)。是中国(guo)大功率(lv)(lv)半导体器件(jian)的(de)销售(shou)企业(ye)。且(qie)本公司产(chan)(chan)品广泛应用于...
MOS管(guan)可(ke)(ke)以(yi)用作(zuo)可(ke)(ke)变电(dian)(dian)(dian)阻(zu)也可(ke)(ke)应(ying)(ying)用于(yu)放大(da)。由(you)(you)于(yu)场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)放大(da)器的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)很(hen)高(gao)，因(yin)...MOS管(guan)可(ke)(ke)以(yi)用作(zuo)可(ke)(ke)变电(dian)(dian)(dian)阻(zu)也可(ke)(ke)应(ying)(ying)用于(yu)放大(da)。由(you)(you)于(yu)场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)放大(da)器的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)很(hen)高(gao)，因(yin)此耦合电(dian)(dian)(dian)容可(ke)(ke)以(yi)容量较小，不必(bi)使用电(dian)(dian)(dian)解电(dian)(dian)(dian)容器。且场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)很(hen)高(gao)的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)非(fei)常适合作(zuo)...
碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)(liao)(liao)半导(dao)体(ti)，虽然随着(zhe)技(ji)术的(de)发(fa)展(zhan)，目前(qian)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)成本下降(jiang)很(hen)多(duo)(duo)，但是(shi)据市(shi)场(chang)...碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)(liao)(liao)半导(dao)体(ti)，虽然随着(zhe)技(ji)术的(de)发(fa)展(zhan)，目前(qian)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)成本下降(jiang)很(hen)多(duo)(duo)，但是(shi)据市(shi)场(chang)价(jia)格表现同类型的(de)硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)(liao)(liao)与碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)半导(dao)体(ti)器件价(jia)格相差(cha)十倍(bei)有余(yu)。碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)单晶体(ti)可...
测(ce)量场效应(ying)(ying)管(guan)的源(yuan)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)(yu)(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ2之间的电(dian)(dian)...测(ce)量场效应(ying)(ying)管(guan)的源(yuan)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)(yu)(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)Ｇ2之间的电(dian)(dian)阻值同场效应(ying)(ying)管(guan)手册标(biao)明的电(dian)(dian)阻值是否相符去判别管(guan)的好坏。
半导体(ti)功(gong)率器件被广泛(fan)应用(yong)于(yu)汽(qi)(qi)车电(dian)子，网络通(tong)讯等(deng)各大(da)领(ling)域(yu)，目(mu)前最(zui)具代表性的两...半导体(ti)功(gong)率器件被广泛(fan)应用(yong)于(yu)汽(qi)(qi)车电(dian)子，网络通(tong)讯等(deng)各大(da)领(ling)域(yu)，目(mu)前最(zui)具代表性的两种功(gong)率器件即为绝缘栅MOS管(guan)场效应晶体(ti)管(guan)(IGBT)和超结MOSFET(Super-junctionMOSFET)...
三(san)端(duan)稳(wen)压(ya)管(guan)是一(yi)种直到临界反(fan)向击(ji)穿电压(ya)前(qian)都具(ju)有(you)很高(gao)电阻的(de)半导(dao)体器件(jian)。稳(wen)压(ya)管(guan)在...三(san)端(duan)稳(wen)压(ya)管(guan)是一(yi)种直到临界反(fan)向击(ji)穿电压(ya)前(qian)都具(ju)有(you)很高(gao)电阻的(de)半导(dao)体器件(jian)。稳(wen)压(ya)管(guan)在反(fan)向击(ji)穿时，在一(yi)定的(de)电流(liu)范(fan)围(wei)内（或者说在一(yi)定功率损耗范(fan)围(wei)内），端(duan)电压(ya)几(ji)乎不变(bian)，...
