KNX3404C是一种(zhong)高密(mi)(mi)度沟(gou)槽N-ch MOSFET，为大(da)多(duo)数(shu)同步(bu)BUCK变换器(qi)的应用提供了优(you)(you)...KNX3404C是一种(zhong)高密(mi)(mi)度沟(gou)槽N-ch MOSFET，为大(da)多(duo)数(shu)同步(bu)BUCK变换器(qi)的应用提供了优(you)(you)良的Rdson和(he)(he)栅电荷。KND3404C满足RoHS和(he)(he)绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功(gong)能的可...
KNX2906B 60V130A HY3306参(can)数代换(huan)-产品描述(shu) 该功率(lv)MOSFET采用KIA的(de)先(xian)进技术...KNX2906B 60V130A HY3306参(can)数代换(huan)-产品描述(shu) 该功率(lv)MOSFET采用KIA的(de)先(xian)进技术生产。该技术使功率(lv)MOSFET具有更(geng)好的(de)特性，包括快速开关时间，低导通(tong)电(dian)阻，低栅(zha)电(dian)荷(he)...
region：MOS管(guan)的(de)工作区(qu)(qu)(qu)(qu)域，可能值为 0~4，分别对(dui)应：0： 关(guan)断；1： 线(xian)(xian)性区(qu)(qu)(qu)(qu)；2：...region：MOS管(guan)的(de)工作区(qu)(qu)(qu)(qu)域，可能值为 0~4，分别对(dui)应：0： 关(guan)断；1： 线(xian)(xian)性区(qu)(qu)(qu)(qu)；2： 饱和(he)区(qu)(qu)(qu)(qu)；3： 亚阈值区(qu)(qu)(qu)(qu)；4： 击(ji)穿
MOS管有如(ru)下参数(shu)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如(ru)下参数(shu)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
KIA MOS管(guan)-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是(shi)由国内(nei)专(zhuan)注研发的(de)优(you)(you)质MOS管(guan)厂家生产(chan)。...KIA MOS管(guan)-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是(shi)由国内(nei)专(zhuan)注研发的(de)优(you)(you)质MOS管(guan)厂家生产(chan)。KCX2704A是(shi)一款(kuan)SGT工艺产(chan)品，是(shi)使用LVMOS技术生产(chan)的(de)N沟道增强型功率MOSFET。改(gai)进(jin)的(de)...
我(wo)们知道采用PNP管(guan)(guan)子(zi)作为开(kai)关管(guan)(guan)的(de)饱和压(ya)降在(zai)0～0.3V，这(zhei)在(zai)低(di)电(dian)路(lu)上(shang)是(shi)不(bu)可接受的(de)...我(wo)们知道采用PNP管(guan)(guan)子(zi)作为开(kai)关管(guan)(guan)的(de)饱和压(ya)降在(zai)0～0.3V，这(zhei)在(zai)低(di)电(dian)路(lu)上(shang)是(shi)不(bu)可接受的(de)。3.3V的(de)控制(zhi)电(dian)源(yuan)最大误差变(bian)成(cheng)3V，某些1.5V的(de)电(dian)源(yuan)变(bian)成(cheng)1.2V，这(zhei)会导致由此供电(dian)的(de)芯(xin)片...
