TVS是(shi)(shi)瞬(shun)态制(zhi)(zhi)约(yue)二极(ji)管(guan)，它(ta)(ta)主(zhu)要是(shi)(shi)制(zhi)(zhi)约(yue)瞬(shun)时电压尖峰(feng)，减(jian)损尖峰(feng)电压对元(yuan)部件的伤耗...TVS是(shi)(shi)瞬(shun)态制(zhi)(zhi)约(yue)二极(ji)管(guan)，它(ta)(ta)主(zhu)要是(shi)(shi)制(zhi)(zhi)约(yue)瞬(shun)时电压尖峰(feng)，减(jian)损尖峰(feng)电压对元(yuan)部件的伤耗，不过TVS管(guan)超过它(ta)(ta)的耐压值后，会刹(cha)那导通短路，反响(xiang)速(su)度在ns级，而稳压管(guan)是(shi)(shi)稳压效(xiao)用(yong)...
MOS管(guan)也(ye)有(you)N沟道和P沟道之(zhi)分，并且(qie)每一类又(you)分为加强型(xing)和耗(hao)尽型(xing)两种，二者的差别(bie)...MOS管(guan)也(ye)有(you)N沟道和P沟道之(zhi)分，并且(qie)每一类又(you)分为加强型(xing)和耗(hao)尽型(xing)两种，二者的差别(bie)是加强型(xing)MOS管(guan)在(zai)栅-源电(dian)压(ya)(ya)vGS=0时，漏-源极之(zhi)间没有(you)导电(dian)沟道存在(zai)，纵然加上电(dian)压(ya)(ya)vDS（...
快恢(hui)复(fu)二(er)极管(guan)(guan)是(shi)近年(nian)来问(wen)世的(de)新(xin)型半导(dao)体器件，具有开(kai)关(guan)特性好，反(fan)(fan)向(xiang)恢(hui)复(fu)时(shi)(shi)间短、...快恢(hui)复(fu)二(er)极管(guan)(guan)是(shi)近年(nian)来问(wen)世的(de)新(xin)型半导(dao)体器件，具有开(kai)关(guan)特性好，反(fan)(fan)向(xiang)恢(hui)复(fu)时(shi)(shi)间短、正向(xiang)电流大、体积小、安装(zhuang)简便等长处。超快恢(hui)复(fu)二(er)极管(guan)(guan)），则(ze)是(shi)在（快恢(hui)复(fu)二(er)极管(guan)(guan)）基...
MOS部(bu)件出厂时(shi)一般(ban)装在(zai)黑色的导电多气(qi)孔材料(liao)袋(dai)(dai)中，切勿自行(xing)轻(qing)易拿(na)个(ge)分(fen)子(zi)化(hua)合(he)物...MOS部(bu)件出厂时(shi)一般(ban)装在(zai)黑色的导电多气(qi)孔材料(liao)袋(dai)(dai)中，切勿自行(xing)轻(qing)易拿(na)个(ge)分(fen)子(zi)化(hua)合(he)物塑料(liao)袋(dai)(dai)装。 2抽取MOS管部(bu)件不(bu)可以在(zai)分(fen)子(zi)化(hua)合(he)物塑料(liao)板上滑(hua)动，应用金属盘来盛(sheng)放(fang)待用...
我(wo)(wo)们(men)上海慕(mu)尼黑电子展(zhan) 3.14-16日的(de)参展(zhan)会我(wo)(wo)们(men)上海慕(mu)尼黑电子展(zhan) 3.14-16日的(de)参展(zhan)会
为了(le)规(gui)范我(wo)(wo)公司(si)(si)的(de)产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)丝印以及提高产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)形象.我(wo)(wo)公司(si)(si)从2017年(nian)1月起安(an)排投料生(sheng)产(chan)(chan)(chan)(chan)的(de)...为了(le)规(gui)范我(wo)(wo)公司(si)(si)的(de)产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)丝印以及提高产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)形象.我(wo)(wo)公司(si)(si)从2017年(nian)1月起安(an)排投料生(sheng)产(chan)(chan)(chan)(chan)的(de)产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin).产(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)丝印会有如(ru)下更变：
