MOS管2301 -2.8A-20V产品特(te)征(zheng) VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V产品特(te)征(zheng) VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高(gao)(gao)耐压的器件(jian)主要应(ying)用(yong)场景(jing)为(wei)工业三相智能(neng)电(dian)(dian)表、LED照(zhao)明驱(qu)(qu)动电(dian)(dian)源(yuan)、充电(dian)(dian)桩，光...超高(gao)(gao)耐压的器件(jian)主要应(ying)用(yong)场景(jing)为(wei)工业三相智能(neng)电(dian)(dian)表、LED照(zhao)明驱(qu)(qu)动电(dian)(dian)源(yuan)、充电(dian)(dian)桩，光伏(fu)逆变(bian)器等(deng)辅助电(dian)(dian)源(yuan)。 国内(nei)专注研发优质MOS管厂(chang)家(jia)KIA半导(dao)体生产的超高(gao)(gao)压MOSFET--KN...
MOS管(guan)导通时，Rds会从无穷大(da)(da)将(jiang)至Rds(on)(一(yi)般0.1欧姆级(ji)或者更低)。栅极(ji)电(dian)(dian)阻(zu)过(guo)大(da)(da)...MOS管(guan)导通时，Rds会从无穷大(da)(da)将(jiang)至Rds(on)(一(yi)般0.1欧姆级(ji)或者更低)。栅极(ji)电(dian)(dian)阻(zu)过(guo)大(da)(da)时，MOS管(guan)导通速度过(guo)慢，即(ji)Rds的减小要经过(guo)一(yi)段时间(jian)，高压时Rds会消耗大(da)(da)量功率，导...
KIA12N65H N沟道增强(qiang)型MOSFET；12N65参(can)数(shu)650V12A；12N65引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)TO-220F；12N65场效...KIA12N65H N沟道增强(qiang)型MOSFET；12N65参(can)数(shu)650V12A；12N65引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)TO-220F；12N65场效应管中文资料(liao)规格书12N65引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)图
这(zhei)些(xie)N沟(gou)道增(zeng)(zeng)强(qiang)模式(shi)的(de)功率场效应晶(jing)体(ti)管是用KIA半(ban)导体(ti)制(zhi)造的(de)专(zhuan)有、平(ping)面(mian)、DMOS技术...这(zhei)些(xie)N沟(gou)道增(zeng)(zeng)强(qiang)模式(shi)的(de)功率场效应晶(jing)体(ti)管是用KIA半(ban)导体(ti)制(zhi)造的(de)专(zhuan)有、平(ping)面(mian)、DMOS技术。这(zhei)项先进(jin)的(de)技术经过了特别的(de)调整，以使其最(zui)小化通态电阻(zu)，提供优越的(de)开关性能，并...
MOSFET的(de)(de)失(shi)效很(hen)多(duo)都(dou)(dou)是由于(yu)过热(re)导致的(de)(de)，那么在(zai)(zai)选(xuan)件(jian)选(xuan)型，电(dian)路设(she)计(ji)及PCB布(bu)局时就...MOSFET的(de)(de)失(shi)效很(hen)多(duo)都(dou)(dou)是由于(yu)过热(re)导致的(de)(de)，那么在(zai)(zai)选(xuan)件(jian)选(xuan)型，电(dian)路设(she)计(ji)及PCB布(bu)局时就要格(ge)外(wai)注意应用情况和设(she)计(ji)余量，确保MOSFET的(de)(de)Tj不(bu)会(hui)超过其最大值。
