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主板

什(shen)么(me)是(shi)(shi)(shi)主板(ban)？可能(neng)大家(jia)都(dou)知(zhi)道(dao)电脑主板(ban)这个部(bu)件，但(dan)关于主板(ban)的(de)学(xue)(xue)问却(que)了解的(de)不(bu)多，为(wei)了大家(jia)更好的(de)学(xue)(xue)习计算机(ji)方面的(de)学(xue)(xue)问，今天小编给大家(jia)进步下(xia)主板(ban)的(de)细致学(xue)(xue)问，让大家(jia)慢慢告别(bie)电脑小白。主板(ban)，又叫主机(ji)板(ban)（mainboard）、系(xi)统板(ban)（systemboard）或母板(ban)（motherboard），它安装在机(ji)箱内(nei)，是(shi)(shi)(shi)计算机(ji)最基(ji)本的(de)也是(shi)(shi)(shi)最重要(yao)的(de)部(bu)件之一(yi)。

主板普通为矩形电路板，上面安(an)装了组成计算机的主要(yao)电路系统(tong)，普通有BIOS芯(xin)片(pian)、I/O控制(zhi)芯(xin)片(pian)、键盘和(he)面板控制(zhi)开关接口、指示灯插(cha)接件(jian)、扩(kuo)展(zhan)插(cha)槽、主板及插(cha)卡的直流(liu)电源供电接插(cha)件(jian)等元件(jian)。

所以个(ge)人以为将(jiang)主(zhu)板单纯的(de)(de)(de)(de)以为只是一(yi)块集成(cheng)PC插槽(cao)的(de)(de)(de)(de)电路板是不确切(qie)的(de)(de)(de)(de)。固然往常的(de)(de)(de)(de)主(zhu)板对PC性能(neng)的(de)(de)(de)(de)影响曾经(jing)越来越小，但是主(zhu)板就好(hao)比(bi)PC主(zhu)机的(de)(de)(de)(de)骨骼和经(jing)络，选(xuan)择一(yi)块具有(you)恰(qia)当(dang)功用(yong)(yong)（例如ITX主(zhu)板对安装兼容性和无线(xian)功用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)需(xu)(xu)求(qiu)）和与其他配(pei)置(zhi)相(xiang)匹(pi)配(pei)的(de)(de)(de)(de)电气(qi)性能(neng)的(de)(de)(de)(de)主(zhu)板还是很有(you)必要(yao)的(de)(de)(de)(de)，关于主(zhu)板，用(yong)(yong)户(hu)主(zhu)要(yao)需(xu)(xu)考(kao)兼容、稳定性、扩展即可，优先建议选(xuan)择主(zhu)流型号品牌主(zhu)板，稳定性更有(you)保证(zheng)。

首先了解下主板各部件称号：

A：CPU插(cha)槽

B：内存条插(cha)槽

C：BIOS芯片

D：AGP插(cha)槽

E：北桥芯片

F：PCI-E-1X芯片（最短）

G：PCI-E-16X芯片（防固点(dian)在上方）

H：PCI插槽（2条或3条平行，防固点在下方）

L：南桥芯片

M：IDE接口（并行）

N：电源插座

O：软(ruan)驱插座FLOPY

P：SATA接口（串行）

Q：CMOS电池

R：CPU供电电源插座

主板的板型分类

主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)型(xing)分类是在选择主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)时首先(xian)要思索的(de)问(wen)题(ti)之一，主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)型(xing)会(hui)决议整台(tai)PC的(de)大(da)小与(yu)相应的(de)扩(kuo)展性。台(tai)式电(dian)脑的(de)主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)型(xing)主(zhu)(zhu)要经过数主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)扩(kuo)展插槽数来判(pan)别(bie)，以下是目前(qian)常见的(de)主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)型(xing)。其(qi)中最常见的(de)就是ATX（大(da)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)），M-ATX（小板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)），ITX。ATX主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)比较(jiao)适宜(yi)安装(zhuang)在中塔机(ji)箱中，M-ATX比较(jiao)适宜(yi)中塔\迷(mi)你塔机(ji)箱，ITX主(zhu)(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)比较(jiao)适宜(yi)HTPC机(ji)箱。E-ATX、XL-ATX、HTPX则相对较(jiao)少有相关产品(pin)，产品(pin)更多的(de)集中在旗舰级(ji)产品(pin)或效(xiao)劳(lao)器级(ji)产品(pin)。

主板MOS管穿通击穿的特征

（1）穿通击穿的击穿点(dian)软(ruan)，击穿过程(cheng)中，电(dian)流有(you)逐渐增大(da)(da)的特征，这是(shi)因为耗(hao)尽层(ceng)扩展较(jiao)宽，发(fa)生电(dian)流较(jiao)大(da)(da)。另一方面，耗(hao)尽层(ceng)展广大(da)(da)容易发(fa)生DIBL效应，使源衬底结正(zheng)偏呈现电(dian)流逐渐增大(da)(da)的特征。

（2）穿(chuan)(chuan)通(tong)(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)软击(ji)穿(chuan)(chuan)点发生在源(yuan)漏的(de)(de)(de)(de)耗(hao)尽层(ceng)相(xiang)接时，此刻(ke)源(yuan)端(duan)的(de)(de)(de)(de)载流(liu)(liu)(liu)子注入到耗(hao)尽层(ceng)中， 被耗(hao)尽层(ceng)中的(de)(de)(de)(de)电场(chang)加(jia)快到达漏端(duan)，因此，穿(chuan)(chuan)通(tong)(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)电流(liu)(liu)(liu)也有急剧(ju)增(zeng)大(da)点，这个电流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)(de)急剧(ju)增(zeng)大(da)和雪崩(beng)击(ji)穿(chuan)(chuan)时电流(liu)(liu)(liu)急剧(ju)增(zeng)大(da)不(bu)同，这时的(de)(de)(de)(de)电流(liu)(liu)(liu)相(xiang)当于源(yuan)衬底PN结正向导通(tong)(tong)时的(de)(de)(de)(de)电流(liu)(liu)(liu)，而雪崩(beng)击(ji)穿(chuan)(chuan)时的(de)(de)(de)(de)电流(liu)(liu)(liu)主要为PN结反向击(ji)穿(chuan)(chuan)时的(de)(de)(de)(de)雪崩(beng)电流(liu)(liu)(liu)，如不(bu)作限(xian)流(liu)(liu)(liu)，雪崩(beng)击(ji)穿(chuan)(chuan)的(de)(de)(de)(de)电流(liu)(liu)(liu)要大(da)。

（3）穿(chuan)(chuan)通(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)一般不会呈现破坏性击(ji)穿(chuan)(chuan)。因为穿(chuan)(chuan)通(tong)击(ji)穿(chuan)(chuan)场(chang)强没有(you)到达雪崩击(ji)穿(chuan)(chuan)的场(chang)强，不会发生许(xu)多(duo)电子空穴对。

（4）穿(chuan)通(tong)击穿(chuan)一般(ban)发生(sheng)在(zai)沟道(dao)体内(nei)，沟道(dao)外(wai)表不容易(yi)发生(sheng)穿(chuan)通(tong)，这(zhei)主要(yao)是因为沟道(dao)注入使外(wai)表浓度比浓度大构成(cheng)，所以(yi)，对NMOS管(guan)一般(ban)都有防穿(chuan)通(tong)注入。

（5）一般的，鸟嘴边际的浓度(du)比(bi)沟道中心浓度(du)大，所以穿通击(ji)穿一般发生(sheng)在(zai)沟道中心。

（6）多晶栅长度对穿(chuan)(chuan)通击(ji)穿(chuan)(chuan)是(shi)(shi)有影响的，跟着栅长度添加(jia)，击(ji)穿(chuan)(chuan)增大(da)。而对雪崩击(ji)穿(chuan)(chuan)，严格来说也有影响，可(ke)是(shi)(shi)没(mei)有那(nei)么明(ming)显(xian)。

主板MOS管被击穿的原因及解决方案

第一(yi)、MOS管(guan)本身的(de)输入电(dian)(dian)(dian)阻很高(gao)，而(er)(er)栅-源极间(jian)电(dian)(dian)(dian)容又十(shi)分小，所以极易受(shou)外(wai)界电(dian)(dian)(dian)磁场或静(jing)电(dian)(dian)(dian)的(de)感应而(er)(er)带电(dian)(dian)(dian)，而(er)(er)少数电(dian)(dian)(dian)荷就可在(zai)(zai)极间(jian)电(dian)(dian)(dian)容上(shang)构(gou)成(cheng)相当(dang)高(gao)的(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(U=Q/C)，将管(guan)子(zi)损坏(huai)。尽管(guan)MOS输入端(duan)有抗(kang)静(jing)电(dian)(dian)(dian)的(de)维(wei)护措(cuo)施(shi)，但仍需当(dang)心对待，在(zai)(zai)存储(chu)和运送(song)中最(zui)好用金属容器或许导电(dian)(dian)(dian)资料包装，不要放在(zai)(zai)易发生静(jing)电(dian)(dian)(dian)高(gao)压(ya)的(de)化(hua)工(gong)(gong)资料或化(hua)纤织物中。拼装、调试时，东西(xi)、外(wai)表(biao)、工(gong)(gong)作台等均应杰出接地(di)(di)。要避(bi)免操作人员(yuan)的(de)静(jing)电(dian)(dian)(dian)搅(jiao)扰构(gou)成(cheng)的(de)损坏(huai)，如(ru)不宜穿尼龙、化(hua)纤衣服，手或东西(xi)在(zai)(zai)触摸集成(cheng)块前(qian)最(zui)好先接一(yi)下地(di)(di)。对器材引线(xian)矫直曲折或人工(gong)(gong)焊接时，运用的(de)设备(bei)有必要杰出接地(di)(di)。

第二(er)、MOS电(dian)(dian)(dian)路输(shu)(shu)入(ru)(ru)端(duan)的维(wei)护二(er)极管(guan)，其导通时(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)流(liu)容(rong)限一般为1mA 在可(ke)能呈现过(guo)大瞬(shun)态输(shu)(shu)入(ru)(ru)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(超越10mA)时(shi)(shi)，应串接输(shu)(shu)入(ru)(ru)维(wei)护电(dian)(dian)(dian)阻(zu)。而129#在初期设计(ji)时(shi)(shi)没有参(can)加(jia)维(wei)护电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，所(suo)以(yi)这也是MOS管(guan)可(ke)能击(ji)穿(chuan)的原因(yin)，而经过(guo)替换一个内部(bu)有维(wei)护电(dian)(dian)(dian)阻(zu)的MOS管(guan)应可(ke)避免此种失(shi)效的发生。还(hai)有因(yin)为维(wei)护电(dian)(dian)(dian)路吸收的瞬(shun)间能量有限，太大的瞬(shun)间信(xin)号和(he)过(guo)高的静电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)压将(jiang)使维(wei)护电(dian)(dian)(dian)路失(shi)去效果(guo)。所(suo)以(yi)焊(han)(han)接时(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)烙铁有必要可(ke)靠接地(di)，以(yi)防(fang)漏电(dian)(dian)(dian)击(ji)穿(chuan)器材(cai)输(shu)(shu)入(ru)(ru)端(duan)，一般运用(yong)时(shi)(shi)，可(ke)断(duan)电(dian)(dian)(dian)后使用(yong)电(dian)(dian)(dian)烙铁的余热进行焊(han)(han)接，并先(xian)焊(han)(han)其接地(di)管(guan)脚。

MOS是(shi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)驱动元件，对(dui)电(dian)(dian)压(ya)(ya)很敏(min)感(gan)，悬空的(de)G很容易接受外部(bu)搅扰(rao)使(shi)MOS导通，外部(bu)搅扰(rao)信(xin)号(hao)对(dui)G-S结电(dian)(dian)容充电(dian)(dian)，这个细小的(de)电(dian)(dian)荷能够贮存很长时刻。在(zai)实验中(zhong)G悬空很风险，许多就(jiu)因为这样爆(bao)管，G接个下拉电(dian)(dian)阻对(dui)地，旁路(lu)搅扰(rao)信(xin)号(hao)就(jiu)不会直通了(le)，一(yi)般(ban)能够10~20K。

这(zhei)(zhei)(zhei)个(ge)电(dian)(dian)阻称为栅(zha)极电(dian)(dian)阻。效(xiao)果(guo)(guo)(guo)1：为场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)供给(ji)偏置电(dian)(dian)压;效(xiao)果(guo)(guo)(guo)2：起到泻(xie)放(fang)电(dian)(dian)阻的(de)效(xiao)果(guo)(guo)(guo)(维(wei)护栅(zha)极G~源极S)。榜首个(ge)效(xiao)果(guo)(guo)(guo)好了(le)解，这(zhei)(zhei)(zhei)儿(er)解释一下第二个(ge)效(xiao)果(guo)(guo)(guo)的(de)原理(li)：维(wei)护栅(zha)极G~源极S：场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)G-S极间(jian)的(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)是很大(da)的(de)，这(zhei)(zhei)(zhei)样只要有少(shao)数的(de)静电(dian)(dian)就(jiu)能(neng)使(shi)他(ta)的(de)G-S极间(jian)的(de)等效(xiao)电(dian)(dian)容两头(tou)发(fa)生(sheng)(sheng)很高(gao)的(de)电(dian)(dian)压，如果(guo)(guo)(guo)不(bu)及时(shi)把(ba)这(zhei)(zhei)(zhei)些少(shao)数的(de)静电(dian)(dian)泻(xie)放(fang)掉，他(ta)两头(tou)的(de)高(gao)压就(jiu)有可能(neng)使(shi)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)发(fa)生(sheng)(sheng)误动(dong)作(zuo)，甚至(zhi)有可能(neng)击穿其G-S极;这(zhei)(zhei)(zhei)时(shi)栅(zha)极与源极之间(jian)加的(de)电(dian)(dian)阻就(jiu)能(neng)把(ba)上(shang)述的(de)静电(dian)(dian)泻(xie)放(fang)掉，然(ran)后起到了(le)维(wei)护场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)效(xiao)果(guo)(guo)(guo)。

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