MOSFET管(guan)是FET的一种(zhong)（另(ling)一种(zhong)是JFET），可(ke)(ke)以(yi)(yi)被(bei)制(zhi)造成(cheng)增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)或(huo)耗(hao)尽型(xing)(xing)(xing)(xing)，P沟道或(huo)N...MOSFET管(guan)是FET的一种(zhong)（另(ling)一种(zhong)是JFET），可(ke)(ke)以(yi)(yi)被(bei)制(zhi)造成(cheng)增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)或(huo)耗(hao)尽型(xing)(xing)(xing)(xing)，P沟道或(huo)N沟道共4种(zhong)类型(xing)(xing)(xing)(xing)，但(dan)实际(ji)应用的只有增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)的N沟道MOS管(guan)型(xing)(xing)(xing)(xing)号和增(zeng)强(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)的P沟道MOS管(guan)型(xing)(xing)(xing)(xing)号，...
KIA半导(dao)体专业研发生(sheng)产MOS管(guan)场效应(ying)(ying)管(guan)厂家(jia)KIA半导(dao)体专业研发生(sheng)产MOS管(guan)场效应(ying)(ying)管(guan)厂家(jia)
如何取(qu)舍(she)好MOS管(guan)(guan)(guan) 第一步是决议采(cai)纳(na)N沟(gou)道(dao)(dao)还是P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管(guan)(guan)(guan)。正在(zai)垂范的功...如何取(qu)舍(she)好MOS管(guan)(guan)(guan) 第一步是决议采(cai)纳(na)N沟(gou)道(dao)(dao)还是P沟(gou)道(dao)(dao)MOS管(guan)(guan)(guan)。正在(zai)垂范的功率(lv)使用中，当一度MOS管(guan)(guan)(guan)接地(di)，而负载联接到支线电(dian)压(ya)上(shang)时(shi)，该MOS管(guan)(guan)(guan)就(jiu)构 成了高(gao)压(ya)侧(ce)电(dian)...
场(chang)效应(ying)管(guan)引见篇 场(chang)效应(ying)结(jie)晶体管(guan)（Field Effect Transistor缩写（FET））职(zhi)称(cheng)...场(chang)效应(ying)管(guan)引见篇 场(chang)效应(ying)结(jie)晶体管(guan)（Field Effect Transistor缩写（FET））职(zhi)称(cheng)场(chang)效应(ying)管(guan)。由少数(shu)载流子参(can)加导(dao)热，也称(cheng)为多极(ji)型结(jie)晶体管(guan)。它归于电压掌握型半超导(dao)体...
KIA6N70H场(chang)效应管(guan)漏源(yuan)击穿电(dian)压(ya)700V、漏极电(dian)流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场(chang)效应管(guan)漏源(yuan)击穿电(dian)压(ya)700V、漏极电(dian)流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电(dian)荷（典型16NC）、高(gao)耐用(yong)性、快速切换和雪(xue)崩测试(shi)100%、具备(bei)提高(gao)dv/dt能力...
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