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半导体(ti)二(er)极管主要是依靠PN结(jie)而工作的(de)(de)。与PN结(jie)不(bu)可分(fen)割的(de)(de)点接触型(xing)和肖特基型(xing)，也被列入一般的(de)(de)二(er)极管的(de)(de)范围内，包括这两种型(xing)号(hao)在(zai)内，根据PN结(jie)构造面(mian)  的(de)(de)特点，把晶体(ti)二(er)极管分(fen)类如(ru)下： 

1、键型二极管

键(jian)(jian)(jian)型(xing)(xing)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)是在锗(zhe)或(huo)硅的单晶片上熔接(jie)或(huo)银(yin)的细丝(si)而形成(cheng)的。其特(te)性介于(yu)(yu)点接(jie)触型(xing)(xing)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)和合(he)金(jin)型(xing)(xing)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)之间。与点接(jie)触型(xing)(xing)相(xiang)比较，虽然键(jian)(jian)(jian)型(xing)(xing)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的PN结电(dian)容量稍有(you)增加，但正向特(te)性特(te)别优良。多作(zuo)开关用，有(you)时(shi)(shi)也被(bei)(bei)应用于(yu)(yu)检波和电(dian)源整流（不大于(yu)(yu)50mA）。在键(jian)(jian)(jian)型(xing)(xing)二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)中，熔接(jie)金(jin)丝(si)的二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)有(you)时(shi)(shi)被(bei)(bei)称金(jin)键(jian)(jian)(jian)型(xing)(xing)，熔接(jie)银(yin)丝(si)的二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)有(you)时(shi)(shi)被(bei)(bei)称为银(yin)键(jian)(jian)(jian)型(xing)(xing)。

2、点接触型(xing)二(er)极(ji)管

点接触型(xing)(xing)二极管是(shi)在(zai)锗或(huo)硅材料的单晶(jing)片上压触一根金属(shu)针(zhen)后，再通过电(dian)流法而形成的。因此，其PN结(jie)的静电(dian)容量小，适用(yong)(yong)于高频电(dian)路。但是(shi)，与(yu)面结(jie)型(xing)(xing)相比(bi)较，点接触型(xing)(xing)二极管正(zheng)向特性和(he)反向特性都(dou)差，因此，不(bu)能使(shi)用(yong)(yong)于大电(dian)流和(he)整流。因为构(gou)造简(jian)单，所以价格便宜(yi)。对于小信号的检波(bo)、整流、调(diao)制、混(hun)频和(he)限幅等一般用(yong)(yong)途而言，它是(shi)应用(yong)(yong)范围较广的类型(xing)(xing)。

3、扩散(san)型二(er)极管

在高(gao)温(wen)的P型(xing)杂质气体中，加热N型(xing)锗(zhe)或(huo)硅的单晶片，使(shi)单晶片表面的一(yi)部(bu)变成(cheng)P型(xing)，以(yi)此法PN结(jie)。因PN结(jie)正(zheng)向(xiang)电(dian)压降小(xiao)，适用于大电(dian)流(liu)(liu)整流(liu)(liu)。最近，使(shi)用大电(dian)流(liu)(liu)整流(liu)(liu)器的主流(liu)(liu)已(yi)由硅合金(jin)型(xing)转移到硅扩(kuo)散(san)型(xing)。

4、合金型二(er)极管

在N型(xing)锗或硅的(de)单晶片上，通过(guo)合金铟、铝等金属(shu)的(de)方法制作PN结而(er)形成的(de)。正向电(dian)(dian)压降小，适(shi)于大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)整流(liu)(liu)。因其PN结反向时静电(dian)(dian)容量大(da)，所(suo)以不适(shi)于高(gao)(gao)频(pin)检波和高(gao)(gao)频(pin)整流(liu)(liu)。

5、台面型两极管

PN结的(de)制(zhi)造办(ban)法(fa)固然与分散(san)型(xing)相同，然而(er)(er)(er)，只保存PN结及其多(duo)余(yu)的(de)全体，把(ba)(ba)无须要的(de)全体用(yong)(yong)(yong)药品(pin)侵蚀掉。其剩余(yu)的(de)全体便出(chu)(chu)现出(chu)(chu)面(mian)面(mian)形(xing)，因此得名。年初消费的(de)台面(mian)型(xing)，是对于半超(chao)导体资料运用(yong)(yong)(yong)分散(san)法(fa)而(er)(er)(er)制(zhi)成的(de)。因而(er)(er)(er)，又(you)把(ba)(ba)这(zhei)种(zhong)台面(mian)型(xing)称为(wei)分散(san)台面(mian)型(xing)。关于这(zhei)一类型(xing)来(lai)说，似乎大电流(liu)电整组用(yong)(yong)(yong)的(de)货物型(xing)号很少，而(er)(er)(er)小直流(liu)开关用(yong)(yong)(yong)的(de)产品(pin)型(xing)号却(que)很多(duo)。

6、合金分散型二极(ji)管

它是合金型的一种。合金资料是简单被分散的资料。把难以制造的资料经过拙劣地掺配杂质，就能与合金一同过扩散，再不正在曾经构成的PN结中失掉杂质的适当的深浅散布。本法适用于打造高锐敏度的变容二极管。

7、内涵(han)型两极管

用内涵面(mian)长(zhang)的进程打(da)(da)造(zao)(zao)PN结(jie)而构成的二极(ji)管(guan)。打(da)(da)造(zao)(zao)时(shi)非常高(gao)超的技能。因能随意地掌握(wo)杂质(zhi)的不(bu)同分布，故适宜于打(da)(da)造(zao)(zao)高(gao)锐(rui)敏(min)度的变容二极(ji)管(guan)。

8、平面型二极管(guan)

在半导(dao)体单晶片(pian)（主要(yao)(yao)地是N型(xing)硅单晶片(pian)）上，扩散P型(xing)杂质，利用(yong)硅片(pian)表面氧化膜的屏蔽作(zuo)(zuo)用(yong)，在N型(xing)硅单晶片(pian)上仅选(xuan)择性地扩散一部分而(er)形(xing)成的PN结。因(yin)此，不(bu)需要(yao)(yao)为调整PN结面积的药(yao)品腐蚀作(zuo)(zuo)用(yong)。由于半导(dao)体表面被制作(zuo)(zuo)得平(ping)整，故而(er)得名。并且，PN结合的表面，因(yin)被氧化膜覆(fu)盖，所以公认(ren)为是稳定性好和(he)寿(shou)命(ming)长(zhang)的类型(xing)。最(zui)初，对于被使用(yong)的半导(dao)体材料是采用(yong)外延法(fa)形(xing)成的，故又把平(ping)面型(xing)称为外延平(ping)面型(xing)。对平(ping)面型(xing)二极(ji)管而(er)言，似(si)乎使用(yong)于大电流(liu)整流(liu)用(yong)的型(xing)号(hao)很少，而(er)作(zuo)(zuo)小电流(liu)开关(guan)用(yong)的型(xing)号(hao)则很多。

9、肖特基两极(ji)管(guan)

根本原理(li)是(shi)：在金属（例如铅(qian)）和半超导体（N型硅钢片）的(de)平(ping)行面上，用已构(gou)成的(de)肖(xiao)特(te)基(ji)(ji)来阻(zu)挠(nao)反向电压(ya)。肖(xiao)特(te)基(ji)(ji)与PN结的(de)整(zheng)组(zu)作用原理(li)有基(ji)(ji)本性的(de)差别。其耐压(ya)水(shui)平(ping)只要(yao)40V内(nei)外。其专(zhuan)长(zhang)是(shi)：开(kai)关进度无(wu)比快：反向复时(shi)间trr特(te)别地短。因(yin)而，能制造电门二极(ji)和高(gao)压(ya)大直流电整(zheng)组(zu)两(liang)极(ji)管(guan)。

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