怎样判断场效应管好坏

场效应管（FET）以其高输入电(dian)阻、低噪、热(re)稳定、便于集成的优点(dian)在(zai)电(dian)子电(dian)路以及(ji)大(da)电(dian)流、大(da)电(dian)压电(dian)路中应用(yong)十(shi)分普(pu)遍(bian)；正(zheng)确使用(yong)、判别场效应管的管脚、极(ji)性(xing)十(shi)分必(bi)要(yao)；

场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)的管(guan)脚有栅(zha)极(ji)(ji)G、漏极(ji)(ji)D、源(yuan)极(ji)(ji)S三个电极(ji)(ji)（双栅(zha)极(ji)(ji)管(guan)具有四个电极(ji)(ji)）；怎样判断场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)好坏(huai)

场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)按结(jie)构分(fen)结(jie)型场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)（JFET）、绝缘栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)（MOS），绝缘栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)又(you)分(fen)增强型和耗尽型；结(jie)型场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)的(de)“结(jie)”指的(de)是(shi)pn结(jie)，绝缘栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)的(de)绝缘栅(zha)(zha)指的(de)是(shi)栅(zha)(zha)极(ji)与源(yuan)极(ji)、漏极(ji)之间有一层sio2绝缘层，它(ta)们之间没有导(dao)通连接关系(xi)。

按导(dao)电沟(gou)道性质，结型(xing)(xing)场效应(ying)管(guan)和绝缘(yuan)栅场效应(ying)管(guan)又(you)分(fen)电子(zi)型(xing)(xing)（n）沟(gou)道、空穴(xue)型(xing)(xing)（p）沟(gou)道，这是场效应(ying)管(guan)导(dao)电的(de)通道；

场效应(ying)管(guan)(guan)属于(yu)(yu)单(dan)极(ji)性晶(jing)体管(guan)(guan)，三极(ji)管(guan)(guan)属于(yu)(yu)双极(ji)性晶(jing)体管(guan)(guan)，也即前者(zhe)仅仅由一种载流子导电，后者(zhe)是由两种载流子导电；

场效应管属于(yu)压控型晶(jing)体(ti)管，通(tong)过栅极与源极之间的电(dian)(dian)压的变化(hua)，来改变沟道的导电(dian)(dian)能力；三极管属于(yu)电(dian)(dian)流(liu)控制(zhi)型晶(jing)体(ti)管，通(tong)过电(dian)(dian)流(liu)的变化(hua)改变集电(dian)(dian)极电(dian)(dian)流(liu)大小。

根据场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)PN结(jie)正(zheng)、反向(xiang)电阻(zu)值不(bu)一样的(de)现象，可以判别(bie)出结(jie)型场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)三个电极(ji)。怎样判断场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)好坏(huai)

具(ju)体方(fang)法：将万(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)拨在R×1k档上，任(ren)选两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，分别(bie)测(ce)出(chu)其(qi)正(zheng)(zheng)、反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)。当某两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)的(de)正(zheng)(zheng)、反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)相(xiang)等，且(qie)(qie)为几千欧(ou)姆(mu)时，则该(gai)两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)分别(bie)是(shi)(shi)漏(lou)极(ji)(ji)D和(he)源(yuan)极(ji)(ji)S。因为对结(jie)型场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)而(er)言，漏(lou)极(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)可互换，剩下的(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)肯定是(shi)(shi)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ。也(ye)可以将万(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)的(de)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)（红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)也(ye)行）任(ren)意接(jie)(jie)触(chu)一(yi)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，另一(yi)只表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)依次去(qu)接(jie)(jie)触(chu)其(qi)余的(de)两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，测(ce)其(qi)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)。当出(chu)现两(liang)次测(ce)得(de)的(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)近似相(xiang)等时，则黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接(jie)(jie)触(chu)的(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)为栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)，其(qi)余两(liang)电(dian)(dian)极(ji)(ji)分别(bie)为漏(lou)极(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)。若两(liang)次测(ce)出(chu)的(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)均很大，说明是(shi)(shi)ＰＮ结(jie)的(de)反(fan)向，即都是(shi)(shi)反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)，可以判(pan)定是(shi)(shi)Ｎ沟道场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)，且(qie)(qie)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的(de)是(shi)(shi)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)；若两(liang)次测(ce)出(chu)的(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)(zhi)均很小，说明是(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向ＰＮ结(jie)，即是(shi)(shi)正(zheng)(zheng)向电(dian)(dian)阻(zu)，判(pan)定为Ｐ沟道场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)，黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的(de)也(ye)是(shi)(shi)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)。若不出(chu)现上述(shu)情况，可以调换黑(hei)、红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)按上述(shu)方(fang)法进行测(ce)试，直到判(pan)别(bie)出(chu)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)为止。

用测(ce)(ce)(ce)电阻(zu)(zu)(zu)法(fa)判别(bie)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的(de)好坏。测(ce)(ce)(ce)电阻(zu)(zu)(zu)法(fa)是(shi)用万用表测(ce)(ce)(ce)量(liang)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ2之(zhi)间的(de)电阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)同场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)手册标(biao)明的(de)电阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是(shi)否相(xiang)符去(qu)判别(bie)管(guan)(guan)(guan)的(de)好坏。具体方法(fa)：首先将万用表置(zhi)于(yu)Ｒ×１０或Ｒ×100档，测(ce)(ce)(ce)量(liang)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ与(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ之(zhi)间的(de)电阻(zu)(zu)(zu)，通常在(zai)(zai)几十欧到几千欧范围（在(zai)(zai)手册中可知(zhi)，各(ge)种不(bu)同型(xing)号(hao)的(de)管(guan)(guan)(guan)，其电阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是(shi)各(ge)不(bu)相(xiang)同的(de)），如果(guo)测(ce)(ce)(ce)得阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)大于(yu)正(zheng)常值(zhi)，可能是(shi)由于(yu)内部(bu)接(jie)触不(bu)良(liang)；如果(guo)测(ce)(ce)(ce)得阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是(shi)无穷大，可能是(shi)内部(bu)断极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。然后把万用表置(zhi)于(yu)Ｒ×１０ｋ档，再测(ce)(ce)(ce)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ1与(yu)Ｇ2之(zhi)间、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)间的(de)电阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)，当(dang)测(ce)(ce)(ce)得其各(ge)项电阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)均为无穷大，则说明管(guan)(guan)(guan)是(shi)正(zheng)常的(de)；若(ruo)测(ce)(ce)(ce)得上述(shu)各(ge)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)太小或为通路，则说明管(guan)(guan)(guan)是(shi)坏的(de)。要注(zhu)意(yi)，若(ruo)两个(ge)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)在(zai)(zai)管(guan)(guan)(guan)内断极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，可用元件代换(huan)法(fa)进行检测(ce)(ce)(ce)。

用(yong)感应(ying)(ying)信号输人法(fa)估(gu)测场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)放大能力具(ju)体方法(fa)：用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)电阻的(de)(de)R×100档，红表(biao)(biao)笔接(jie)源极(ji)Ｓ，黑表(biao)(biao)笔接(jie)漏(lou)(lou)极(ji)Ｄ，给场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)加(jia)上1.5Ｖ的(de)(de)电源电压(ya)，此时表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)指示(shi)出的(de)(de)漏(lou)(lou)源极(ji)间的(de)(de)电阻值(zhi)。然后用(yong)手(shou)捏住结型场效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)栅(zha)极(ji)Ｇ，将人体的(de)(de)感应(ying)(ying)电压(ya)信号加(jia)到(dao)栅(zha)极(ji)上。这样(yang)，由于管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)放大作(zuo)用(yong)，漏(lou)(lou)源电压(ya)VDS和漏(lou)(lou)极(ji)电流Iｂ都要发生(sheng)变(bian)(bian)化，也(ye)就是漏(lou)(lou)源极(ji)间电阻发生(sheng)了变(bian)(bian)化，由此可以观察(cha)到(dao)表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)有较(jiao)大幅度的(de)(de)摆(bai)动(dong)。如果手(shou)捏栅(zha)极(ji)表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)较(jiao)小，说(shuo)明管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)放大能力较(jiao)差；表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)较(jiao)大，表(biao)(biao)明管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)放大能力大；若表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)不动(dong)，说(shuo)明管(guan)(guan)(guan)是坏的(de)(de)。

根据上述方法(fa)，我(wo)们用(yong)(yong)(yong)万用(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)R×100档(dang)，测(ce)(ce)(ce)(ce)结型场效应管(guan)3DJ2F。先(xian)将管(guan)的(de)(de)(de)(de)Ｇ极(ji)开路(lu)，测(ce)(ce)(ce)(ce)得漏源电(dian)(dian)(dian)阻(zu)RDS为600Ω，用(yong)(yong)(yong)手捏住Ｇ极(ji)后，表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)(xiang)左(zuo)摆(bai)动(dong)，指示的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)RDS为12kΩ，表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)的(de)(de)(de)(de)幅度较(jiao)(jiao)大(da)，说(shuo)明(ming)(ming)该管(guan)是好的(de)(de)(de)(de)，并有较(jiao)(jiao)大(da)的(de)(de)(de)(de)放大(da)能(neng)力。运(yun)用(yong)(yong)(yong)这(zhei)种方法(fa)时(shi)(shi)要(yao)说(shuo)明(ming)(ming)几点(dian)：首先(xian)，在(zai)测(ce)(ce)(ce)(ce)试场效应管(guan)用(yong)(yong)(yong)手捏住栅(zha)极(ji)时(shi)(shi)，万用(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)可能(neng)向(xiang)(xiang)(xiang)右摆(bai)动(dong)（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)减小），也可能(neng)向(xiang)(xiang)(xiang)左(zuo)摆(bai)动(dong)（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)增(zeng)加(jia)）。这(zhei)是由于人(ren)体感应的(de)(de)(de)(de)交流电(dian)(dian)(dian)压较(jiao)(jiao)高(gao)(gao)，而不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)(de)场效应管(guan)用(yong)(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档(dang)测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)时(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)工(gong)作点(dian)可能(neng)不(bu)(bu)同（或(huo)者工(gong)作在(zai)饱和区或(huo)者在(zai)不(bu)(bu)饱和区）所致，试验(yan)表(biao)(biao)(biao)明(ming)(ming)，多数管(guan)的(de)(de)(de)(de)RDS增(zeng)大(da)，即表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)(xiang)左(zuo)摆(bai)动(dong)；少数管(guan)的(de)(de)(de)(de)RDS减小，使表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)(xiang)右摆(bai)动(dong)。但无论表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)方向(xiang)(xiang)(xiang)如何，只要(yao)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)幅度较(jiao)(jiao)大(da)，就(jiu)说(shuo)明(ming)(ming)管(guan)有较(jiao)(jiao)大(da)的(de)(de)(de)(de)放大(da)能(neng)力。第二，此方法(fa)对(dui)MOS场效应管(guan)也适用(yong)(yong)(yong)。但要(yao)注意(yi)，MOS场效应管(guan)的(de)(de)(de)(de)输人(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高(gao)(gao)，栅(zha)极(ji)Ｇ允(yun)许(xu)的(de)(de)(de)(de)感应电(dian)(dian)(dian)压不(bu)(bu)应过高(gao)(gao)，所以不(bu)(bu)要(yao)直接(jie)用(yong)(yong)(yong)手去捏栅(zha)极(ji)，必须(xu)用(yong)(yong)(yong)于握螺丝刀的(de)(de)(de)(de)绝缘柄，用(yong)(yong)(yong)金属杆去碰触栅(zha)极(ji)，以防止人(ren)体感应电(dian)(dian)(dian)荷(he)直接(jie)加(jia)到栅(zha)极(ji)，引起栅(zha)极(ji)击穿。第三，每次(ci)测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)完毕，应当G-S极(ji)间短路(lu)一下(xia)。这(zhei)是因为G-S结电(dian)(dian)(dian)容上会(hui)充有少量(liang)电(dian)(dian)(dian)荷(he)，建立起ＶGＳ电(dian)(dian)(dian)压，造成(cheng)再(zai)进行(xing)测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)时(shi)(shi)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)(zhen)可能(neng)不(bu)(bu)动(dong)，只有将G-S极(ji)间电(dian)(dian)(dian)荷(he)短路(lu)放掉才行(xing)。怎(zen)样判断(duan)场效应管(guan)好坏

用测(ce)(ce)(ce)电阻(zu)法(fa)判别无标志的(de)(de)场效应管(guan)首(shou)先用测(ce)(ce)(ce)量(liang)电阻(zu)的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)找出两(liang)个(ge)有电阻(zu)值的(de)(de)管(guan)脚，也(ye)就(jiu)是(shi)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ和漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ，余(yu)下两(liang)个(ge)脚为(wei)第一(yi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1和第二栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G2。把(ba)先用两(liang)表(biao)(biao)笔(bi)测(ce)(ce)(ce)的(de)(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ与漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ之间的(de)(de)电阻(zu)值记(ji)下来，对调(diao)表(biao)(biao)笔(bi)再测(ce)(ce)(ce)量(liang)一(yi)次(ci)，把(ba)其测(ce)(ce)(ce)得电阻(zu)值记(ji)下来，两(liang)次(ci)测(ce)(ce)(ce)得阻(zu)值较大的(de)(de)一(yi)次(ci)，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)的(de)(de)电极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ；红表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)的(de)(de)为(wei)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ。用这(zhei)(zhei)种(zhong)方(fang)(fang)法(fa)判别出来的(de)(de)Ｓ、Ｄ极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，还可以用估测(ce)(ce)(ce)其管(guan)的(de)(de)放大能(neng)力的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)进行(xing)验证，即(ji)放大能(neng)力大的(de)(de)黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)的(de)(de)是(shi)Ｄ极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)；红表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)地是(shi)８极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，两(liang)种(zhong)方(fang)(fang)法(fa)检测(ce)(ce)(ce)结果均应一(yi)样。当确(que)定了漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ、源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ的(de)(de)位置(zhi)后，按Ｄ、Ｓ的(de)(de)对应位置(zhi)装人电路，一(yi)般G1、G2也(ye)会依次(ci)对准位置(zhi)，这(zhei)(zhei)就(jiu)确(que)定了两(liang)个(ge)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)位置(zhi)，从(cong)而就(jiu)确(que)定了Ｄ、S、G1、G2管(guan)脚的(de)(de)顺序。

用(yong)(yong)(yong)测(ce)(ce)反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)(hua)(hua)判(pan)断(duan)跨导(dao)(dao)(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)大(da)(da)小(xiao)对(dui)ＶＭＯＳ Ｎ沟(gou)道增强型场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)测(ce)(ce)量跨导(dao)(dao)(dao)性(xing)(xing)能时，可用(yong)(yong)(yong)红表(biao)笔接源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｓ、黑(hei)表(biao)笔接漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｄ，这就相当于(yu)(yu)在(zai)源(yuan)、漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之间加了(le)一个反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)。此(ci)时栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)是(shi)开(kai)路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)是(shi)很不(bu)稳(wen)定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。将(jiang)万(wan)用(yong)(yong)(yong)表(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)欧姆档选(xuan)在(zai)R×10kΩ的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)(gao)阻档，此(ci)时表(biao)内电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)较(jiao)高(gao)(gao)(gao)(gao)。当用(yong)(yong)(yong)手(shou)接触栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ时，会发现(xian)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)有(you)(you)明显地(di)变(bian)化(hua)(hua)(hua)(hua)，其(qi)(qi)变(bian)化(hua)(hua)(hua)(hua)越大(da)(da)，说明管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)跨导(dao)(dao)(dao)值(zhi)越高(gao)(gao)(gao)(gao)；如(ru)果被(bei)测(ce)(ce)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)跨导(dao)(dao)(dao)很小(xiao)，用(yong)(yong)(yong)此(ci)法(fa)测(ce)(ce)时，反(fan)向(xiang)阻值(zhi)变(bian)化(hua)(hua)(hua)(hua)不(bu)大(da)(da)。二、VMOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan) VMOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)（VMOSFET）简(jian)称VMOS管(guan)(guan)或功(gong)率(lv)(lv)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)，其(qi)(qi)全(quan)称为V型槽MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。它是(shi)继(ji)MOSFET之后新发展起(qi)来(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)(gao)效(xiao)(xiao)、功(gong)率(lv)(lv)开(kai)关(guan)器(qi)件。它不(bu)仅继(ji)承了(le)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)输入阻抗高(gao)(gao)(gao)(gao)（≥108W）、驱动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)小(xiao)（0.1μA左右），还具(ju)(ju)有(you)(you)耐压(ya)(ya)高(gao)(gao)(gao)(gao)（最高(gao)(gao)(gao)(gao)1200V）、工作电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)大(da)(da)（1.5A～100A）、输出功(gong)率(lv)(lv)高(gao)(gao)(gao)(gao)（1～250W）、跨导(dao)(dao)(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)线性(xing)(xing)好、开(kai)关(guan)速度快等(deng)优良(liang)特性(xing)(xing)。正是(shi)由(you)于(yu)(yu)它将(jiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子管(guan)(guan)与(yu)功(gong)率(lv)(lv)晶(jing)体管(guan)(guan)之优点(dian)集于(yu)(yu)一身，因(yin)此(ci)在(zai)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)放大(da)(da)器(qi)（电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)放大(da)(da)倍(bei)(bei)数(shu)可达数(shu)千倍(bei)(bei)）、功(gong)率(lv)(lv)放大(da)(da)器(qi)、开(kai)关(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)和逆变(bian)器(qi)中正获得(de)(de)广(guang)泛应(ying)用(yong)(yong)(yong)。 VMOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)具(ju)(ju)有(you)(you)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)高(gao)(gao)(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)输入阻抗及(ji)较(jiao)大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)线性(xing)(xing)放大(da)(da)区等(deng)优点(dian)，尤其(qi)(qi)是(shi)其(qi)(qi)具(ju)(ju)有(you)(you)负的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)温(wen)度系数(shu)，即在(zai)栅(zha)(zha)(zha)-源(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)不(bu)变(bian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情况下(xia)，导(dao)(dao)(dao)通(tong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)会随管(guan)(guan)温(wen)升高(gao)(gao)(gao)(gao)而减小(xiao)，故不(bu)存在(zai)由(you)于(yu)(yu)“二次击穿”现(xian)象所引(yin)起(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)管(guan)(guan)子损坏现(xian)象。因(yin)此(ci)，VMOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)并联得(de)(de)到广(guang)泛应(ying)用(yong)(yong)(yong)。众(zhong)所周知，传(chuan)统的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)大(da)(da)大(da)(da)致(zhi)处于(yu)(yu)同一水平(ping)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)上(shang)，其(qi)(qi)工作电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)基本上(shang)是(shi)沿(yan)水平(ping)方(fang)向(xiang)流(liu)动。VMOS管(guan)(guan)则不(bu)同，从图1上(shang)可以看出其(qi)(qi)两大(da)(da)结构特点(dian):第一，金属栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)采用(yong)(yong)(yong)V型槽结构；第二，具(ju)(ju)有(you)(you)垂(chui)直导(dao)(dao)(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)性(xing)(xing)。由(you)于(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)是(shi)从芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)背面引(yin)出，所以ID不(bu)是(shi)沿(yan)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)水平(ping)流(liu)动，而是(shi)自重掺(chan)杂N+区（源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S）出发，经过(guo)P沟(gou)道流(liu)入轻掺(chan)杂N-漂移区，最后垂(chui)直向(xiang)下(xia)到达漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D。电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)方(fang)向(xiang)如(ru)图中箭头(tou)所示，因(yin)为流(liu)通(tong)截面积增大(da)(da)，所以能通(tong)过(guo)大(da)(da)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。由(you)于(yu)(yu)在(zai)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)之间有(you)(you)二氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅绝(jue)缘层，因(yin)此(ci)它仍属于(yu)(yu)绝(jue)缘栅(zha)(zha)(zha)型MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)。国内生产(chan)VMOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)典型产(chan)品(pin)有(you)(you)VN401、VN672、VMPT2等(deng)。怎(zen)样判(pan)断(duan)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)(guan)好坏

下面介绍检测VMOS管的方法

1．判(pan)定栅极G 将万(wan)用表(biao)拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的(de)电(dian)阻(zu)(zu)。若(ruo)发现某脚与其(qi)字(zi)两(liang)脚的(de)电(dian)阻(zu)(zu)均呈无穷大，并且交换表(biao)笔(bi)后仍为无穷大，则证明(ming)此脚为G极，因为它和另外两(liang)个管脚是(shi)绝缘的(de)。

2．判定源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S、漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D 由图1可见，在源(yuan)-漏之(zhi)间有一个PN结(jie)，因(yin)此根据PN结(jie)正、反向(xiang)电(dian)阻存在差异，可识别S极(ji)(ji)(ji)(ji)与D极(ji)(ji)(ji)(ji)。用交换表笔(bi)(bi)法测两次电(dian)阻，其中电(dian)阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向(xiang)电(dian)阻，此时(shi)黑表笔(bi)(bi)的是S极(ji)(ji)(ji)(ji)，红表笔(bi)(bi)接D极(ji)(ji)(ji)(ji)。

3．测量漏-源通(tong)态电(dian)阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表(biao)(biao)的R×1档(dang)(dang)，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接S极，红表(biao)(biao)笔(bi)接D极，阻值(zhi)应为(wei)几(ji)欧至十(shi)几(ji)欧。由(you)于测试条件不同(tong)，测出(chu)的RDS（on）值(zhi)比手(shou)册中给出(chu)的典(dian)型(xing)(xing)值(zhi)要(yao)高一些。例如用500型(xing)(xing)万用表(biao)(biao)R×1档(dang)(dang)实(shi)测一只(zhi)IRFPC50型(xing)(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典(dian)型(xing)(xing)值(zhi)）。怎样判断场效应管好坏

4．检查(cha)跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接(jie)S极，黑表笔接(jie)D极，手持螺丝刀去碰触(chu)栅(zha)极，表针应(ying)有明显偏转(zhuan)(zhuan)，偏转(zhuan)(zhuan)愈大，管子(zi)的(de)跨导愈高。注意(yi)事(shi)项：

（1）VMOS管(guan)亦分N沟(gou)道(dao)管(guan)与P沟(gou)道(dao)管(guan)，但绝大(da)多数产品(pin)属(shu)于N沟(gou)道(dao)管(guan)。对于P沟(gou)道(dao)管(guan)，测(ce)量时应交换表笔的(de)位置。

（2）有(you)(you)少数VMOS管在(zai)G-S之间并有(you)(you)保护(hu)二极(ji)管，本检(jian)测(ce)方(fang)法中的1、2项不(bu)再适用。

（3）目前市(shi)场上还有一种(zhong)VMOS管功率模块，专供交流电机(ji)调速器、逆(ni)变器使(shi)用。例如美国(guo)IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只(zhi)，构(gou)成三相(xiang)桥式(shi)结构(gou)。

（4）现在市售VNF系列（N沟道(dao)）产(chan)品，是美国(guo)Supertex公(gong)司生产(chan)的超高(gao)(gao)频(pin)(pin)功率场效应管(guan)，其最高(gao)(gao)工作频(pin)(pin)率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低(di)频(pin)(pin)跨(kua)导gm=2000μS。适用于高(gao)(gao)速开关(guan)电路和广播(bo)、通(tong)信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加(jia)合适的散(san)热器后(hou)。以VNF306为例(li)，该(gai)管子加(jia)装140×140×4（mm）的散(san)热器后(hou)，最大功率才能(neng)达到30W。怎(zen)样判断场效应管好坏

（6）多管并联后，由于极(ji)间(jian)电(dian)容(rong)和分布电(dian)容(rong)相应(ying)增加，使放大器的高频特性变坏，通过(guo)反馈(kui)容(rong)易引起(qi)放大器的高频寄生振(zhen)荡。为此(ci)，并联复(fu)合管管子(zi)一般不超(chao)过(guo)4个，而且在(zai)每管基极(ji)或(huo)栅极(ji)上串接防寄生振(zhen)荡电(dian)阻。

场效应(ying)管(guan)的使(shi)用注意事项：

（1）为了安全使(shi)用场效应(ying)管，在(zai)线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大(da)漏源电(dian)压、最大(da)栅(zha)源电(dian)压和最大(da)电(dian)流等参数(shu)的极限值。

（2）各类型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)在(zai)使(shi)用时，都要(yao)(yao)严格按要(yao)(yao)求的偏(pian)置接(jie)人(ren)电路中，要(yao)(yao)遵守场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)偏(pian)置的极性。如结型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管(guan)栅极不(bu)能加正偏(pian)压；Ｐ沟道管(guan)栅极不(bu)能加负偏(pian)压，等等。

（3）MOS场(chang)效应管(guan)由于输人阻抗极高(gao)，所以在运输、贮藏(zang)中必须将引出(chu)脚短路，要用金属屏蔽包(bao)装，以防止外(wai)来(lai)感(gan)应电势将栅极击穿。尤(you)其要注意，不能(neng)将MOS场(chang)效应管(guan)放人塑料(liao)盒(he)子(zi)内，保(bao)存时(shi)(shi)最好放在金属盒(he)内，同时(shi)(shi)也要注意管(guan)的防潮(chao)。

（4）为了防止场效应管(guan)(guan)栅(zha)极(ji)感应击穿，要求(qiu)一切测试仪器、工(gong)作(zuo)台、电(dian)(dian)烙铁、线路本身都必须有良好的(de)接(jie)(jie)地；管(guan)(guan)脚(jiao)在(zai)焊(han)接(jie)(jie)时(shi)(shi)(shi)，先(xian)焊(han)源极(ji)；在(zai)连(lian)入电(dian)(dian)路之前(qian)，管(guan)(guan)的(de)全(quan)(quan)部引线端(duan)保持互相短(duan)接(jie)(jie)状态，焊(han)接(jie)(jie)完后才(cai)把短(duan)接(jie)(jie)材料去掉；从元(yuan)器件(jian)架上取下管(guan)(guan)时(shi)(shi)(shi)，应以适当的(de)方式(shi)确(que)保人体接(jie)(jie)地如(ru)采(cai)用接(jie)(jie)地环等(deng)；当然，如(ru)果(guo)能采(cai)用先(xian)进的(de)气热型电(dian)(dian)烙铁，焊(han)接(jie)(jie)场效应管(guan)(guan)是(shi)比较方便的(de)，并且确(que)保安(an)全(quan)(quan)；在(zai)未关断电(dian)(dian)源时(shi)(shi)(shi)，绝对(dui)不可以把管(guan)(guan)插人电(dian)(dian)路或从电(dian)(dian)路中拔出。以上安(an)全(quan)(quan)措施在(zai)使用场效应管(guan)(guan)时(shi)(shi)(shi)必须注意。

（5）在(zai)安装(zhuang)场(chang)效(xiao)应管(guan)时(shi)，注意安装(zhuang)的位置要尽量避(bi)免靠(kao)近发(fa)热(re)元(yuan)件(jian)(jian)；为了防(fang)管(guan)件(jian)(jian)振动，有(you)必(bi)要将(jiang)管(guan)壳体紧(jin)固起来；管(guan)脚引线在(zai)弯(wan)曲时(shi)，应当大于根部尺寸５毫米处(chu)进行(xing)，以防(fang)止弯(wan)断管(guan)脚和引起漏气(qi)等。对于功率型场(chang)效(xiao)应管(guan)，要有(you)良好的散热(re)条(tiao)件(jian)(jian)。因为功率型场(chang)效(xiao)应管(guan)在(zai)高(gao)负(fu)荷条(tiao)件(jian)(jian)下运用(yong)，必(bi)须设计(ji)足够的散热(re)器(qi)(qi)，确保壳体温度不(bu)超过额定(ding)值，使器(qi)(qi)件(jian)(jian)长期稳(wen)定(ding)可靠(kao)地工作。

怎样判断场效应(ying)(ying)管(guan)好坏，发一个场效应(ying)(ying)管(guan)的测量方(fang)法(fa)，（谨(jin)供菜(cai)鸟参考）

以一(yi)个(ge)(ge)N沟道(dao)的(de)场效应(ying)管(guan)为例(li)，如下图(tu)，把管(guan)子面(mian)向自己，分别为G,D,S极(ji)，原理就一(yi)个(ge)(ge)，场效应(ying)管(guan)的(de)G极(ji)加触发电压(ya)后，D-S极(ji)是(shi)导(dao)通的(de)。

先用镊子短接三个(ge)极放电，如下图怎(zen)样判断场(chang)效应管好坏

万用表(biao)打到蜂鸣档(dang)（二极管档(dang)）再(zai)进行6次，测量，也(ye)就是G-D,G-S,D-S，万用表(biao)表(biao)笔正反各(ge)一次，好(hao)的管子就只(zhi)有(you)一次有(you)阻值，就是黑(hei)笔点D极,红(hong)笔点S极的那次，有(you)300-800之(zhi)间的数值，其他5次都为无穷大，如下图(tu)

然后，再放电一次(ci)，先(xian)黑(hei)笔点D极(ji)(ji)，红笔点S极(ji)(ji)，就(jiu)是(shi)上(shang)面(mian)说的(de)(de)有586的(de)(de)数值，然后，黑(hei)笔不(bu)动，红笔点一下G极(ji)(ji)，就(jiu)是(shi)给(ji)G极(ji)(ji)一个电压(ya)，看(kan)(kan)看(kan)(kan)D-S极(ji)(ji)的(de)(de)导(dao)通(tong)状态如何，应该是(shi)导(dao)通(tong)，如下图怎样判断(duan)场(chang)效应管(guan)好坏

给G一个电压之后，再(zai)测D-S，无论怎(zen)样调换表笔(bi)，场效应(ying)管的D-S极之间(jian)都(dou)是导通，如下(xia)图怎(zen)样判断场效应(ying)管好坏

联系方式(shi)：邹先生

联系电话(hua)：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地(di)址：深圳市福田区车(che)公庙天安数(shu)码(ma)城天吉大厦CD座5C1

请(qing)搜微信公(gong)众号(hao):“KIA半(ban)导体”或(huo)扫一扫下图(tu)“关(guan)注”官方微信公(gong)众号(hao)

请(qing)“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助