电动车控制器场效应管

1、MOS在控制器电路中的工作状态

开通过(guo)程、导(dao)通状态(tai)(tai)、关断过(guo)程、截止状态(tai)(tai)、击穿状态(tai)(tai)。  

MOS主要(yao)损(sun)耗(hao)(hao)包括(kuo)开(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)(hao)（开(kai)通过程(cheng)和关(guan)断过程(cheng)），导通损(sun)耗(hao)(hao)，截止损(sun)耗(hao)(hao)（漏(lou)电(dian)流(liu)引起的(de)，这个忽略不计(ji)），还(hai)有雪崩(beng)能量损(sun)耗(hao)(hao)。电(dian)动车控(kong)制器场效(xiao)应管(guan)只要(yao)把这些损(sun)耗(hao)(hao)控(kong)制在MOS承受规格之内，MOS即会正常(chang)工作(zuo)，超(chao)出承受范围，即发生损(sun)坏。

而(er)开关损耗(hao)往往大(da)于导(dao)通(tong)状(zhuang)(zhuang)态损耗(hao)，尤其是PWM没完(wan)全打开，处于脉(mai)宽调制状(zhuang)(zhuang)态时（对(dui)应电(dian)动车的起步加速(su)状(zhuang)(zhuang)态），而(er)最高急速(su)状(zhuang)(zhuang)态往往是导(dao)通(tong)损耗(hao)为主(zhu)。

2、 MOS管在电动车控制器中的作用

电动车控制器场效应管简(jian)单来说电机是靠MOS的输出电流(liu)来驱动的，输出电流(liu)越大(da)（为了防止过流(liu)烧坏(huai)MOS管，控制器有(you)(you)限流(liu)保护），电机扭矩(ju)就强(qiang)，加速就有(you)(you)力。

3、MOS损坏主要原因

过(guo)流，大电流引起(qi)的高温损(sun)坏（分持续大电(dian)(dian)流和瞬间(jian)超(chao)(chao)大电(dian)(dian)流脉冲(chong)导致结温超(chao)(chao)过承受(shou)值）；过压，源漏级(ji)大于(yu)击(ji)穿(chuan)电(dian)(dian)压而击(ji)穿(chuan)；栅极击(ji)穿(chuan)，一(yi)般由于(yu)栅极电(dian)(dian)压受(shou)外(wai)界或(huo)驱动电(dian)(dian)路损(sun)坏超(chao)(chao)过允(yun)许(xu)最高电(dian)(dian)压（栅极电(dian)(dian)压一(yi)般需低于(yu)20v安(an)全）以及静(jing)电(dian)(dian)损(sun)坏。

4、MOS在电动车控制器中的应用

我们(men)(men)电动车(che)控制器场效应管和(he)(he)平常(chang)(chang)cmos集(ji)成电路中的(de)(de)小(xiao)功率(lv)mos结(jie)构(gou)是(shi)(shi)(shi)不一样的(de)(de)。小(xiao)功率(lv)mos是(shi)(shi)(shi)平面(mian)型(xing)(xing)结(jie)构(gou)。而(er)电动车(che)上上用(yong)的(de)(de)功率(lv)mos是(shi)(shi)(shi)立体(ti)(ti)结(jie)构(gou)。平面(mian)型(xing)(xing)结(jie)构(gou)是(shi)(shi)(shi)指，mos栅极(ji)，源级和(he)(he)漏(lou)(lou)级都在芯(xin)片(pian)表(biao)面(mian)（或者说正面(mian)），而(er)沟(gou)道也在芯(xin)片(pian)表(biao)面(mian)横向排列。（我们(men)(men)常(chang)(chang)见的(de)(de)教科书的(de)(de)介绍mos原理一般都是(shi)(shi)(shi)拿平面(mian)结(jie)构(gou)介绍）。而(er)功率(lv)mos的(de)(de)立体(ti)(ti)结(jie)构(gou)（沟(gou)道是(shi)(shi)(shi)深(shen)槽(cao)立体(ti)(ti)结(jie)构(gou)）是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)和(he)(he)源级引线(xian)从(cong)芯(xin)片(pian)正面(mian)引出（其实栅极(ji)也不在表(biao)面(mian)而(er)是(shi)(shi)(shi)内部(bu)，只是(shi)(shi)(shi)比(bi)较靠(kao)近(jin)表(biao)面(mian)），而(er)漏(lou)(lou)级是(shi)(shi)(shi)从(cong)芯(xin)片(pian)背面(mian)引出（其实整个(ge)(ge)芯(xin)片(pian)背面(mian)都是(shi)(shi)(shi)漏(lou)(lou)级连(lian)接在一起的(de)(de)，整个(ge)(ge)个(ge)(ge)漏(lou)(lou)级用(yong)焊接材料直接焊接在金属(shu)板上，就(jiu)是(shi)(shi)(shi)mos的(de)(de)金属(shu)背板，一般是(shi)(shi)(shi)铜(tong)镀锡的(de)(de)），所以我们(men)(men)见到的(de)(de)mos一般金属(shu)板和(he)(he)中间引脚（就(jiu)是(shi)(shi)(shi)漏(lou)(lou)级）是(shi)(shi)(shi)完(wan)全导通的(de)(de)（有(you)些(xie)特殊的(de)(de)封(feng)装是(shi)(shi)(shi)可以做到金属(shu)板和(he)(he)中间脚绝缘的(de)(de)）。

功(gong)率(lv)mos内(nei)(nei)部从漏级到源级是(shi)有(you)一(yi)个二极(ji)管(guan)的，这个二极(ji)管(guan)基本上(shang)所(suo)有(you)的功(gong)率(lv)mos都具有(you)，和(he)它本身(shen)结构有(you)关(guan)系（不需(xu)要(yao)单独制(zhi)造，设计本身(shen)就(jiu)有(you)）。当然可以通过改变设计制(zhi)造工(gong)艺(yi)，不造出(chu)这个二极(ji)管(guan)。但是(shi)这会影响芯(xin)片功(gong)率(lv)密度(du)，要(yao)做到同(tong)样耐压和(he)内(nei)(nei)阻(zu)，需(xu)要(yao)更(geng)大(da)(da)的芯(xin)片面(mian)积(ji)（因为结构不同(tong)）。大(da)(da)家只是(shi)知道这回事就(jiu)行了。

我们所见的(de)(de)(de)(de)电动车控制器场效应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)，其实(shi)内部由成(cheng)千上万(wan)个(ge)(ge)(ge)小(xiao)(xiao)mos管(guan)(guan)(guan)(guan)并联而成(cheng)（实(shi)际(ji)数量(liang)一(yi)(yi)般是(shi)上千万(wan)个(ge)(ge)(ge)，和(he)芯片面积和(he)工艺有关）。如(ru)(ru)果(guo)在工作中，有一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)或几个(ge)(ge)(ge)小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)(guan)(guan)短路，则整个(ge)(ge)(ge)mos表现为(wei)短路，当(dang)然(ran)大电流短路mos可能(neng)直接烧断(duan)了(le)（有时表现为(wei)金属(shu)板(ban)和(he)黑色(se)塑(su)封间(jian)开裂），又表现为(wei)开路。大家可能(neng)会想(xiang)这上千万(wan)个(ge)(ge)(ge)小(xiao)(xiao)mos应(ying)该很容(rong)易(yi)出现一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)或几个(ge)(ge)(ge)坏(huai)的(de)(de)(de)(de)吧，其实(shi)真(zhen)没那(nei)么容(rong)易(yi)，目(mu)前的(de)(de)(de)(de)制造(zao)工艺基(ji)本(ben)保证了(le)这些小(xiao)(xiao)单位各(ge)种参数高度一(yi)(yi)致(zhi)(zhi)(zhi)性。它(ta)们的(de)(de)(de)(de)各(ge)种开关动作几乎完全一(yi)(yi)致(zhi)(zhi)(zhi)，当(dang)然(ran)最终烧坏(huai)时，肯定有先承受不了(le)的(de)(de)(de)(de)小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)(guan)(guan)先坏(huai)。所以(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)子(zi)的(de)(de)(de)(de)稳定性和(he)制造(zao)工艺密不可分，差的(de)(de)(de)(de)工艺可能(neng)导致(zhi)(zhi)(zhi)这些小(xiao)(xiao)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)参数不那(nei)么一(yi)(yi)致(zhi)(zhi)(zhi)。有时一(yi)(yi)点(dian)小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)工艺缺(que)陷（比(bi)如(ru)(ru)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)1um甚至(zhi)更小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)颗粒如(ru)(ru)果(guo)在关键位置）往往会造(zao)成(cheng)整个(ge)(ge)(ge)芯片（缺(que)陷所在的(de)(de)(de)(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯）报废。

5、MOS管的开关原理

MOS是电(dian)(dian)(dian)压(ya)驱动型器件，只要栅(zha)极(ji)(ji)(ji)G和(he)(he)(he)(he)源(yuan)(yuan)级(ji)(ji)S间(jian)(jian)给一(yi)个适(shi)当电(dian)(dian)(dian)压(ya)，源(yuan)(yuan)级(ji)(ji)S和(he)(he)(he)(he)漏(lou)级(ji)(ji)D间(jian)(jian)导电(dian)(dian)(dian)通路就形成。这个电(dian)(dian)(dian)流通路的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)被成为MOS内(nei)阻(zu)(zu)，也就是导通电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)。这个内(nei)阻(zu)(zu)大(da)小(xiao)(xiao)基本决定了(le)MOS芯片能(neng)承(cheng)受(shou)的(de)最大(da)导通电(dian)(dian)(dian)流（当然(ran)和(he)(he)(he)(he)其它因(yin)素有(you)关(guan)(guan)，最有(you)关(guan)(guan)的(de)是热(re)阻(zu)(zu)）。内(nei)阻(zu)(zu)越小(xiao)(xiao)承(cheng)受(shou)电(dian)(dian)(dian)流越大(da)（因(yin)为发热(re)小(xiao)(xiao)）。MOS问题远没这么简单，麻烦(fan)在它的(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)(he)源(yuan)(yuan)级(ji)(ji)间(jian)(jian)，源(yuan)(yuan)级(ji)(ji)和(he)(he)(he)(he)漏(lou)级(ji)(ji)间(jian)(jian)，栅(zha)极(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)(he)漏(lou)级(ji)(ji)间(jian)(jian)内(nei)部都有(you)等效电(dian)(dian)(dian)容。所(suo)以给栅(zha)极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)过(guo)程(cheng)就是给电(dian)(dian)(dian)容充(chong)电(dian)(dian)(dian)的(de)过(guo)程(cheng)（电(dian)(dian)(dian)容电(dian)(dian)(dian)压(ya)不(bu)能(neng)突变），所(suo)以MOS源(yuan)(yuan)级(ji)(ji)和(he)(he)(he)(he)漏(lou)级(ji)(ji)间(jian)(jian)由(you)截止(zhi)到(dao)导通的(de)开(kai)通过(guo)程(cheng)受(shou)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)容的(de)充(chong)电(dian)(dian)(dian)过(guo)程(cheng)制约(yue)。关(guan)(guan)断(duan)过(guo)程(cheng)和(he)(he)(he)(he)这个相反。

电(dian)(dian)(dian)动车控制器(qi)场效应(ying)管主(zhu)要就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)玩(wan)怎么最(zui)优控制它的(de)(de)栅(zha)极(ji)。但是(shi)(shi)(shi)(shi)MOS内部这三个(ge)(ge)(ge)等(deng)效电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)是(shi)(shi)(shi)(shi)构成串并联组合关系，它们相(xiang)互影响(xiang)，并不是(shi)(shi)(shi)(shi)独(du)立的(de)(de)，如果独(du)立的(de)(de)就(jiu)(jiu)很简单(dan)了。其中一(yi)个(ge)(ge)(ge)关键电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)和(he)(he)漏级间(jian)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)Cgd，这个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)业界(jie)称(cheng)为米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)。这个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)不是(shi)(shi)(shi)(shi)恒定的(de)(de)，随栅(zha)极(ji)和(he)(he)漏级间(jian)电(dian)(dian)(dian)压(ya)变(bian)化而迅速(su)变(bian)化。这个(ge)(ge)(ge)米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)和(he)(he)源(yuan)级电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)绊脚石(shi)，因为达到一(yi)个(ge)(ge)(ge)平(ping)(ping)台(tai)(tai)后，栅(zha)极(ji)的(de)(de)充电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)流(liu)必须给米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)电(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充电(dian)(dian)(dian)，这时栅(zha)极(ji)和(he)(he)源(yuan)级间(jian)电(dian)(dian)(dian)压(ya)不再升高，达到一(yi)个(ge)(ge)(ge)平(ping)(ping)台(tai)(tai)，这个(ge)(ge)(ge)是(shi)(shi)(shi)(shi)米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)平(ping)(ping)台(tai)(tai)（米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)平(ping)(ping)台(tai)(tai)就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)给Cgd充电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)过程），米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)平(ping)(ping)台(tai)(tai)大家(jia)首先想到的(de)(de)麻烦就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)(shi)米(mi)(mi)(mi)勒(le)(le)振荡。

因为这(zhei)个(ge)时(shi)候源(yuan)级(ji)和漏(lou)级(ji)间电(dian)(dian)压迅速变化，内部电(dian)(dian)容相应迅速充放电(dian)(dian)，这(zhei)些(xie)电(dian)(dian)流(liu)脉(mai)冲会导致MOS寄生(sheng)电(dian)(dian)感产生(sheng)很大感抗(kang)，这(zhei)里面就有电(dian)(dian)容，电(dian)(dian)感，电(dian)(dian)阻组成震荡电(dian)(dian)路(lu)(lu)（能形成2个(ge)回路(lu)(lu)），并(bing)且电(dian)(dian)流(liu)脉(mai)冲越(yue)强频率越(yue)高(gao)震荡幅度越(yue)大。所以最头疼的就是这(zhei)个(ge)米(mi)勒(le)平台如何过渡。

如果开(kai)(kai)关(guan)速(su)度很(hen)快，这(zhei)个(ge)电(dian)(dian)(dian)流变(bian)化率(lv)(lv)很(hen)高，振幅加大(da)并震荡(dang)(dang)延时(shi)（栅极电(dian)(dian)(dian)压震荡(dang)(dang)剧烈会(hui)影响栅极电(dian)(dian)(dian)容的充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)速(su)度，内部(bu)表现是(shi)电(dian)(dian)(dian)容一(yi)会(hui)充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)，一(yi)会(hui)放电(dian)(dian)(dian)）。所以干脆开(kai)(kai)关(guan)慢(man)(man)点（就是(shi)栅极电(dian)(dian)(dian)容慢(man)(man)慢(man)(man)充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)，用小电(dian)(dian)(dian)流充(chong)(chong)电(dian)(dian)(dian)），这(zhei)样震荡(dang)(dang)是(shi)明显减(jian)轻了(le)，但(dan)是(shi)开(kai)(kai)关(guan)损耗增大(da)了(le)。MOS开(kai)(kai)通(tong)过(guo)程(cheng)源级和漏级间(jian)等效(xiao)电(dian)(dian)(dian)阻相当于从(cong)无穷大(da)电(dian)(dian)(dian)阻到阻值很(hen)小的导(dao)(dao)通(tong)内阻（导(dao)(dao)通(tong)内阻一(yi)般低压mos只有几毫欧(ou)姆）的一(yi)个(ge)转(zhuan)变(bian)过(guo)程(cheng)。比如一(yi)个(ge)MOS最(zui)大(da)电(dian)(dian)(dian)流100A，电(dian)(dian)(dian)池(chi)电(dian)(dian)(dian)压96V，在开(kai)(kai)通(tong)过(guo)程(cheng)中(zhong)，有那么一(yi)瞬间(jian)（刚进入米(mi)勒平台时(shi)）MOS发热(re)(re)功率(lv)(lv)是(shi)96*100=9600w！这(zhei)时(shi)它(ta)发热(re)(re)功率(lv)(lv)最(zui)大(da)，然后发热(re)(re)功率(lv)(lv)迅速(su)降(jiang)低直到完全导(dao)(dao)通(tong)时(shi)功率(lv)(lv)变(bian)成100*100*0.003=30w（这(zhei)里假设(she)这(zhei)个(ge)mos导(dao)(dao)通(tong)内阻3毫欧(ou)姆）。开(kai)(kai)关(guan)过(guo)程(cheng)中(zhong)这(zhei)个(ge)发热(re)(re)功率(lv)(lv)变(bian)化是(shi)惊人(ren)的。

如果开(kai)通时(shi)间慢(man)，意味着发热从9600w到30w过渡的慢(man)，MOS结温会(hui)升高(gao)(gao)的厉害。所以开(kai)关(guan)越慢(man)，结温越高(gao)(gao)，容易烧MOS。为了不(bu)(bu)烧MOS，只能(neng)降(jiang)低(di)MOS限(xian)流(liu)或者降(jiang)低(di)电(dian)(dian)池(chi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)，比如给它限(xian)制50a或电(dian)(dian)压(ya)(ya)降(jiang)低(di)一半(ban)成48v，这样开(kai)关(guan)发热损(sun)耗(hao)也降(jiang)低(di)了一半(ban)。不(bu)(bu)烧管子了。这也是高(gao)(gao)压(ya)(ya)控(kong)容易烧管子原(yuan)因，高(gao)(gao)压(ya)(ya)控(kong)制器和低(di)压(ya)(ya)的只有开(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)不(bu)(bu)一样（开(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)和电(dian)(dian)池(chi)端电(dian)(dian)压(ya)(ya)基本成正(zheng)比，假设(she)限(xian)流(liu)一样），导通损(sun)耗(hao)完全受mos内阻(zu)决定，和电(dian)(dian)池(chi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)没任何关(guan)系。我这里说的不(bu)(bu)一定每个人都需要(yao)很懂(dong)，大概(gai)能(neng)知道点就好了，做控(kong)制器设(she)计的应该(gai)能(neng)理解。

其(qi)实整(zheng)个(ge)(ge)mos开通(tong)过(guo)程非常复(fu)杂。里面变量(liang)太多。总之就是开关(guan)(guan)慢不容易米(mi)(mi)勒(le)震(zhen)(zhen)(zhen)荡，但开关(guan)(guan)损耗(hao)(hao)大(da)，管子发热大(da)，开关(guan)(guan)速度(du)快理论上开关(guan)(guan)损耗(hao)(hao)低(di)（只要能(neng)有(you)效抑制(zhi)米(mi)(mi)勒(le)震(zhen)(zhen)(zhen)荡），但是往(wang)往(wang)米(mi)(mi)勒(le)震(zhen)(zhen)(zhen)荡很(hen)厉害（如果米(mi)(mi)勒(le)震(zhen)(zhen)(zhen)荡很(hen)严重，可能(neng)在米(mi)(mi)勒(le)平台就烧管子了），反而开关(guan)(guan)损耗(hao)(hao)也大(da)，并(bing)且上臂(bei)mos震(zhen)(zhen)(zhen)荡更有(you)可能(neng)引(yin)起下臂(bei)mos误导(dao)(dao)通(tong)，形成上下臂(bei)短路。所(suo)以(yi)这(zhei)个(ge)(ge)很(hen)考验设计师的驱动电路布线和(he)主回路布线技能(neng)。最终(zhong)就是找个(ge)(ge)平衡点（一般开通(tong)过(guo)程不超过(guo)1us）。开通(tong)损耗(hao)(hao)这(zhei)个(ge)(ge)最简(jian)单，只和(he)导(dao)(dao)通(tong)电阻成正比，想(xiang)大(da)电流低(di)损耗(hao)(hao)找内阻低(di)的。

6、Mos封装

不(bu)同封(feng)(feng)装(zhuang)方式(shi)则(ze)(ze)内部寄生电感(gan)差异很大。电动车上(shang)常(chang)用(yong)的(de)小管（TO-220封(feng)(feng)装(zhuang)）和大管（TO-247封(feng)(feng)装(zhuang)）封(feng)(feng)装(zhuang)电感(gan)都挺大，但是之所以它(ta)们用(yong)量很高，是因为这种(zhong)结构(gou)散热设(she)计比(bi)较(jiao)容易（大功率下(xia)散热是非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)(yao)的(de)）。一般大管封(feng)(feng)装(zhuang)电感(gan)是大于小管的(de)。在控制器(qi)设(she)计时，mos封(feng)(feng)装(zhuang)寄生电感(gan)需要(yao)(yao)考虑，但也许(xu)无法解决，不(bu)过外(wai)部布(bu)线电感(gan)则(ze)(ze)必须设(she)计合理(li)，尤其是多管并联时做到均匀分配。

大(da)(da)管(guan)(guan)和小管(guan)(guan)的(de)优缺点(dian)比较(jiao)（只这(zhei)两种比）。大(da)(da)管(guan)(guan)优点(dian)，金属(shu)背板面(mian)积大(da)(da)所以(yi)散热好做，封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻低(di)（引线粗），所以(yi)封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)可以(yi)做到很(hen)大(da)(da)（可以(yi)200a左右(you)）。大(da)(da)管(guan)(guan)缺点(dian)，占地方大(da)(da)（这(zhei)个(ge)(ge)(ge)很(hen)明显），封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)感稍大(da)(da)。小管(guan)(guan)优点(dian)，占地方小，封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)感稍小。小管(guan)(guan)缺点(dian)，封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻大(da)(da)（引线细(xi)），封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)较(jiao)小（一(yi)般120a以(yi)下），金属(shu)板面(mian)积小散热较(jiao)弱。（封(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)和芯(xin)片过流(liu)能力(li)是(shi)两个(ge)(ge)(ge)完全不(bu)同的(de)概念，有的(de)厂(chang)家(jia)规格书标芯(xin)片过流(liu)能力(li)，而有的(de)厂(chang)家(jia)是(shi)这(zhei)两个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)哪(na)个(ge)(ge)(ge)小标哪(na)个(ge)(ge)(ge)。因为小的(de)决定了整个(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)子的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)能力(li)。

大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)和小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)简单误区及说(shuo)明。千(qian)万(wan)不要认(ren)为大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)的(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积一(yi)定大(da)(da)(da)(da)(da)(da)于小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)的(de)(de)。有(you)些芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)本来(lai)就有(you)不同的(de)(de)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)方式(shi)，比(bi)(bi)如(ru)分别用小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)和大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，其实它(ta)们的(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积一(yi)样(yang)(yang)大(da)(da)(da)(da)(da)(da)，大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)只(zhi)是(shi)为了散热更好(hao)些或封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)电(dian)(dian)流更大(da)(da)(da)(da)(da)(da)些。所(suo)以(yi)大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)里(li)面(mian)(mian)(mian)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积可大(da)(da)(da)(da)(da)(da)可小(xiao)(xiao)(xiao)，同样(yang)(yang)小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)里(li)面(mian)(mian)(mian)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积也可大(da)(da)(da)(da)(da)(da)可小(xiao)(xiao)(xiao)。不过大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)能容(rong)纳的(de)(de)最大(da)(da)(da)(da)(da)(da)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积大(da)(da)(da)(da)(da)(da)概是(shi)小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)(de)2倍(bei)(bei)（甚至多点）。举例说(shuo)明，irfb4110用小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)已经把小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)内(nei)部填满了，面(mian)(mian)(mian)积再大(da)(da)(da)(da)(da)(da)小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)放不进了，而(er)为了得到更低(di)内(nei)阻(zu)管(guan)(guan)子，所(suo)以(yi)有(you)大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)irfp4468，这个芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)面(mian)(mian)(mian)积比(bi)(bi)irfb4110大(da)(da)(da)(da)(da)(da)了一(yi)倍(bei)(bei)，所(suo)以(yi)它(ta)的(de)(de)内(nei)阻(zu)低(di)了一(yi)半(ban)，各种电(dian)(dian)容(rong)大(da)(da)(da)(da)(da)(da)了一(yi)倍(bei)(bei)。所(suo)以(yi)一(yi)个4468的(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)成本是(shi)4110的(de)(de)2倍(bei)(bei)（同样(yang)(yang)大(da)(da)(da)(da)(da)(da)管(guan)(guan)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)成本也比(bi)(bi)小(xiao)(xiao)(xiao)管(guan)(guan)高）。所(suo)以(yi)4468比(bi)(bi)4110贵(gui)了差不多一(yi)倍(bei)(bei)（相当(dang)于把两(liang)个4110封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)在一(yi)起的(de)(de)等效效果(guo)）。

7、电瓶车控制器MOS管测量方法

简(jian)单教大家一测量控(kong)制器(qi)方(fang)(fang)法：控(kong)制器(qi)有6路(lu)MOS管，一般控(kong)制器(qi)坏都是烧MOS管，如何(he)在(zai)不打开(kai)外壳的情况下确定MOS管是否烧坏，方(fang)(fang)法如下：

1。控制器(qi)什么线(xian)也不要接，取下(xia)来。

2 万(wan)用表拔到(dao)二极管档，一(yi)般在通断(duan)档上。

3、任意MOS管(guan)内(nei)部都有一个二极管(guan)，如(ru)果MOS管(guan)烧了(le)(le)，那二极管(guan)肯定烧，所(suo)以，量(liang)MOS管(guan)的(de)二极管(guan)好(hao)坏就确(que)定了(le)(le)MOS管(guan)好(hao)坏。按下(xia)面的(de)步骤测量(liang)二极管(guan)，万用表上稳定显(xian)(xian)示0.37~0.44V左右(you)电压，说(shuo)明这(zhei)路(lu)MOS管(guan)好(hao)的(de)，如(ru)果显(xian)(xian)示0V电压，说(shuo)明这(zhei)路(lu)MOS管(guan)击穿；如(ru)果显(xian)(xian)示0.7V以上电压，说(shuo)明这(zhei)路(lu)MOS管(guan)击断(duan)。

4.控制器(qi)部分的上臂(bei)三相的MOS管，黑表笔接(jie)(jie)副电池正极接(jie)(jie)入线（纯控制器(qi)就接(jie)(jie)正线），红表笔分别量(liang)三条相线

5.控制(zhi)器(qi)部(bu)分(fen)的下臂三(san)相的MOS管，红表笔接主(zhu)电池负(fu)极接入(ru)线（纯控制(zhi)器(qi)就接负(fu)线），黑(hei)表毛(mao)分(fen)别量(liang)三(san)条相线

电动车控制(zhi)器领域的时用到(dao)MOS管(guan)(guan)，跟(gen)大家(jia)介绍(shao)一(yi)下MOS管(guan)(guan)厂家(jia)，深圳市(shi)利盈娱乐半导(dao)体科技有限公司.是一(yi)家(jia)专业从(cong)事中、大、功率场效应管(guan)(guan)(MOSFET)、快速恢复(fu)二极管(guan)(guan)、三端稳(wen)压管(guan)(guan)开发(fa)设计(ji)，集研发(fa)、生产和销售(shou)为一(yi)体的国家(jia)高新技术企业

现(xian)已经拥有了独立的(de)研发(fa)(fa)中(zhong)心(xin)(xin)，研发(fa)(fa)人员(yuan)以来自韩国(guo)(台湾)超(chao)一(yi)流团队，可(ke)以快速根据(ju)客户应用领域的(de)个(ge)性来设计方案，同时引进多(duo)台国(guo)外先进设备，业务含括(kuo)功率器件的(de)直流参(can)数检测(ce)、雪崩能量检测(ce)、可(ke)靠性实验、系统分(fen)(fen)析(xi)、失(shi)效(xiao)分(fen)(fen)析(xi)等领域。强大(da)的(de)研发(fa)(fa)平台，使得KIA在工艺制造(zao)、产(chan)品设计方面(mian)拥有知(zhi)识产(chan)权(quan)35项，并掌握(wo)多(duo)项场效(xiao)应管核心(xin)(xin)制造(zao)技术。

自主研发已经(jing)成为了(le)企业的核心(xin)竞(jing)争力(li)强大的研(yan)发(fa)平台，使得KIA在工艺(yi)制造、产品设(she)计方面拥有知(zhi)识产权35项(xiang)，并(bing)掌(zhang)握多项(xiang)场效(xiao)应(ying)管核心制造技术(shu)。自主研(yan)发(fa)已经成为了企业的核心竞争力。

KIA半导体的产(chan)(chan)品(pin)(pin)涵盖(gai)工业、新(xin)能源、交通运输、绿(lv)色照明(ming)四大(da)领域，不仅(jin)包括光伏(fu)逆变及无(wu)人机、充电桩、这类(lei)新(xin)兴(xing)能源，也涉及汽车配件、LED照明(ming)等家庭(ting)用品(pin)(pin)。KIA专(zhuan)注于产(chan)(chan)品(pin)(pin)的精细化与革新(xin)，力求(qiu)为客户提供最(zui)具行业领先、品(pin)(pin)质上乘的科技(ji)产(chan)(chan)品(pin)(pin)。从设计研发到(dao)(dao)制造再到(dao)(dao)仓储物流，KIA半(ban)导体真正实现了一体化(hua)的(de)服务链，真正做到(dao)(dao)了服务细节全到(dao)(dao)位(wei)的(de)品牌内(nei)涵，我们致力于成为场(chang)效应管（MOSFET）功(gong)率器件领域的(de)领跑(pao)者，为了这个目标，KIA半(ban)导体正在持(chi)续创新，永(yong)不止步(bu)！

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