充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管
信(xin)息(xi)来源：本站 日(ri)期：2025-05-29
KNF45100A场效应(ying)管漏源击穿电压(ya)1000V，漏极电(dian)流6A，极低导通电(dian)阻(zu)RDS(开启(qi)) 2.0mΩ，最大限(xian)度地减少导电损耗；低电荷最(zui)小化开关损耗(hao)，低反(fan)向传输电容，开关速(su)度快，高效低耗(hao)；快速(su)恢(hui)复体(ti)二极管、符合(he)RoHS、高坚固性，稳定可靠(kao)；适用于备用电源(yuan)，充电桩、适配器(qi)等多种应用；封装(zhuang)形式：TO-220F，散热(re)良(liang)好，结构(gou)坚固。
漏源电压：1000V
漏极(ji)电(dian)流：6A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流(liu)：24A
单脉冲雪崩能(neng)量：500MJ
总功耗：65W
阈值电(dian)压：3-5V
总栅(zha)极电荷：35nC
输入电容：1600PF
输出电容：130PF
反(fan)向(xiang)传输(shu)电容：20PF
开通延(yan)迟时(shi)间：22nS
关断延(yan)迟时间：45nS
上升时间：45ns
下降时间：50ns
联系方(fang)式：邹先生
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