场效应管驱动电路的改进
信息来源：本(ben)站 日期：2017-04-15
场效应管驱动电路(lu)的(de)改进
如图二所示，典型应用电路是由驱动2个N沟道MOSFET管或IGBT组成的半桥驱动电路。固定的栅极参考输出通道(L0)用于下端连接的功率场效应管T2，浮动的栅极输出通道(HO)用于上端连接的功率场效应管T1。以驱动N沟道MOSFET管为例来介绍。功率MOS—FET是电(dian)压型驱(qu)动器件，没有少数载流子的存(cun)储(chu)效(xiao)应，输入阻抗高(gao)，因而开关速度可(ke)以(yi)很高(gao)，驱(qu)动功率小，电(dian)路(lu)简单(dan)。但功率MOSFET的极(ji)间(jian)电(dian)容较(jiao)大(da)，其等效(xiao)电(dian)路(lu)图一所(suo)示。
图二
输入电容Ciss、输出电容Coss和反馈电容Crss与极间(jian)电容的关系可表示为：
IR21844不(bu)能产生(sheng)负(fu)偏压，如(ru)果用于驱动(dong)桥式电(dian)(dian)(dian)路，由于极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)容的存在(zai)(zai)，在(zai)(zai)开(kai)通和关断(duan)时刻，栅漏极(ji)间(jian)的电(dian)(dian)(dian)容CGD有充放(fang)电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)流，容易在(zai)(zai)栅极(ji)上(shang)产生(sheng)干(gan)扰。针对这一不(bu)足，可以在(zai)(zai)栅极(ji)限流电(dian)(dian)(dian)阻(R1和R2)上(shang)分别反(fan)并联一个二极(ji)管(guan)(D3和D4)来解决，该二极(ji)管(guan)可以加快极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)容上(shang)的电(dian)(dian)(dian)荷的放(fang)电(dian)(dian)(dian)速度。
功率器(qi)件(jian)(jian)的栅(zha)(zha)源极的驱(qu)动(dong)电(dian)压一(yi)般为CM()S电(dian)平(5～20 V)，因此要在(zai)栅(zha)(zha)极增(zeng)加(jia)保护电(dian)路。电(dian)路中(zhong)稳压二(er)极管(guan)D5、D6限制了(le)所加(jia)栅(zha)(zha)极电(dian)压，电(dian)阻(zu)R1、R2进行分压，同时(shi)也降(jiang)低了(le)栅(zha)(zha)极电(dian)压。功率器(qi)件(jian)(jian)T1、T2在(zai)开关(guan)过程中(zhong)会产生(sheng)浪(lang)涌电(dian)压，这(zhei)些浪(lang)涌电(dian)压会损坏元(yuan)件(jian)(jian)，所以电(dian)路中(zhong)采用(yong)稳压二(er)极管(guan)D5、D6钳位浪(lang)涌电(dian)压。
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