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原厂供应KNX3306B替代HY1607 80A/60V MOS管(guan) 价格合(he)理-KIA MOS管(guan)

信息来源(yuan):本(ben)站 日期:2018-12-27 

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KNX3306B替代HY1607

KNX3306B可替代后羿的HY1607,KIA半导(dao)体(ti)场效应管有着(zhe)雪崩冲击低、低内阻(zu)等技术优势。

KIA半导体(ti)也一(yi)(yi)直执行全(quan)面质量(liang)管理(li)体(ti)系(xi)(xi),是(shi)将所有产(chan)品(pin)质量(liang)从芯片(pian)设计开始,一(yi)(yi)直贯彻到客户(hu)使用(yong)的全(quan)过程质量(liang)跟(gen)踪和监控。我们确定在这一(yi)(yi)质量(liang)控制体(ti)系(xi)(xi)下生产(chan)的产(chan)品(pin),在相(xiang)关(guan)环节的质量(liang)状(zhuang)态和信息(xi)都是(shi)有效控制,确保提供(gong)给客户(hu)的产(chan)品(pin)是(shi)安全(quan)可靠的。下文将描(miao)述KNX3306B产(chan)品(pin)附(fu)件及(ji)主(zhu)要(yao)参数详情。

MOS管KNX3306B产品特征

1、RDS(on)=7毫欧(typ)@VGS=10V

2、无铅绿色(se)设备

3、低(di)电(dian)阻开关,减少导电(dian)损耗

4、高雪崩电流

MOS管KNX3306B产品主要参数

产品型号:KNX3306A

工作(zuo)方式:80A/60V

漏(lou)源(yuan)极电压(ya):60V

栅源电压(ya);±25V

雪崩(beng)能量:462.25MJ

接(jie)头和储存温度(du)范围 :-55℃至(zhi)+175℃

MOS管KNX3306B封装

KNX3306B替代HY1607,80A/60V

KNX3306B附件

查(cha)看(kan)详(xiang)情,请点击(ji)下图。

KNX3306B替代HY1607,80A/60V



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