MOS开关管，MOS管

MOS管概述

本(ben)文(wen)主要讲述MOS开关管(guan)的(de)选择及原理(li)应用，mos管(guan)是(shi)金属(metal)、氧(yang)化物(wu)(oxide)、半导体(semiconductor)场(chang)效应晶体管(guan)，或者称是(shi)金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管(guan)的(de)source和drain是(shi)可以对调的(de)，他(ta)们都是(shi)在P型backgate中形成的(de)N型区。在多数(shu)情况(kuang)下，这个两(liang)个区是(shi)一样(yang)的(de)，即(ji)使两(liang)端对调也不(bu)会影响(xiang)器件的(de)性能(neng)。这样(yang)的(de)器件被认为(wei)是(shi)对称的(de)。

一(yi)般(ban)情况下普遍用(yong)于高端驱动的MOS，导(dao)通时(shi)需要(yao)是栅极(ji)电(dian)压(ya)(ya)大(da)于源(yuan)(yuan)极(ji)电(dian)压(ya)(ya)，而(er)高端驱动的MOS管(guan)导(dao)通时(shi)源(yuan)(yuan)极(ji)电(dian)压(ya)(ya)与漏(lou)极(ji)电(dian)压(ya)(ya)(VCC)相(xiang)同，所以这时(shi)栅极(ji)电(dian)压(ya)(ya)要(yao)比VCC大(da)4V或10V。如果在(zai)同一(yi)个系统里(li)，要(yao)得(de)到比VCC大(da)的电(dian)压(ya)(ya)，就要(yao)专门的升压(ya)(ya)电(dian)路了。很多(duo)马达驱动器都集成了电(dian)荷泵，要(yao)注意(yi)的是应(ying)该选择合(he)适的外接电(dian)容(rong)，以得(de)到足(zu)够的短路电(dian)流去(qu)驱动MOS管(guan)。

MOS管(guan)是电(dian)(dian)压驱(qu)动(dong)，按(an)理说(shuo)只要(yao)栅极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)压到到开启(qi)电(dian)(dian)压就能导(dao)通(tong)(tong)DS，栅极(ji)(ji)(ji)串多大(da)电(dian)(dian)阻(zu)均能导(dao)通(tong)(tong)。但如果要(yao)求开关频率较(jiao)高时，栅对地或VCC可(ke)以(yi)看做是一(yi)个(ge)电(dian)(dian)容，对于一(yi)个(ge)电(dian)(dian)容来说(shuo)，串的电(dian)(dian)阻(zu)越大(da)，栅极(ji)(ji)(ji)达到导(dao)通(tong)(tong)电(dian)(dian)压时间越长，MOS处(chu)于半导(dao)通(tong)(tong)状态时间也越长，在(zai)半导(dao)通(tong)(tong)状态内阻(zu)较(jiao)大(da)，发热也会增大(da)，极(ji)(ji)(ji)易(yi)损(sun)坏(huai)MOS，所以(yi)高频时栅极(ji)(ji)(ji)栅极(ji)(ji)(ji)串的电(dian)(dian)阻(zu)不但要(yao)小，一(yi)般要(yao)加前置驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)路的。

MOS管种类和结构

MOSFET管(guan)(guan)是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造(zao)成增(zeng)强(qiang)型或耗尽型，P沟道(dao)或N沟道(dao)共4种类型，但(dan)实际应用(yong)的只有增(zeng)强(qiang)型的N沟道(dao)MOS管(guan)(guan)和增(zeng)强(qiang)型的P沟道(dao)MOS管(guan)(guan)，所以通常提到NMOS，或者(zhe)PMOS指的就是这两种。

对于(yu)这两(liang)种(zhong)增强(qiang)型MOS管，比较常(chang)用(yong)的是NMOS —— 原(yuan)因是导通(tong)电(dian)阻小，且容易制造，所以开关电(dian)源和(he)马达驱(qu)动的应用(yong)中，一般都用(yong)NMOS。

MOS管(guan)的(de)(de)三个管(guan)脚之间有寄生(sheng)电(dian)容(rong)存在(zai)(zai)，这(zhei)不是我们需要(yao)的(de)(de)，而是由于制造(zao)工艺限制产生(sheng)的(de)(de)。寄生(sheng)电(dian)容(rong)的(de)(de)存在(zai)(zai)使得在(zai)(zai)设(she)计或选择驱(qu)动电(dian)路的(de)(de)时候(hou)要(yao)麻烦一些，但没有办法避(bi)免，后(hou)边再(zai)详(xiang)细介(jie)绍。

在(zai)MOS管的漏(lou)极(ji)(ji)和源(yuan)极(ji)(ji)之间有一个(ge)寄生二(er)极(ji)(ji)管，这个(ge)叫体二(er)极(ji)(ji)管，在(zai)驱(qu)动感性(xing)负载(如马达)，这个(ge)二(er)极(ji)(ji)管很重要。顺便(bian)说一句，体二(er)极(ji)(ji)管只(zhi)在(zai)单个(ge)的MOS管中存在(zai)，在(zai)集(ji)成电路芯(xin)片内(nei)部(bu)通常是没有的。

MOS管导通特性

导通的(de)意思是作为开(kai)关，相当于开(kai)关闭合。

NMOS的(de)(de)特性，Vgs大(da)于(yu)一定的(de)(de)值(zhi)就会(hui)导(dao)通，适合用于(yu)源极(ji)(ji)接(jie)地时的(de)(de)情(qing)况(低端驱(qu)动)，只(zhi)要栅极(ji)(ji)电压达到4V或10V就可(ke)以了。PMOS的(de)(de)特性，Vgs小(xiao)于(yu)一定的(de)(de)值(zhi)就会(hui)导(dao)通，适合用于(yu)源极(ji)(ji)接(jie)VCC时的(de)(de)情(qing)况(高(gao)端驱(qu)动)。

但是，虽(sui)然PMOS可以很(hen)方便地用作(zuo)高端驱动，但由于导通(tong)电阻(zu)大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通(tong)常(chang)还是使用NMOS。

MOS管驱动

跟双极(ji)性晶体管相比，一(yi)般认为使(shi)MOS管导通不需要电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，只要GS电(dian)(dian)(dian)(dian)压高(gao)于一(yi)定的(de)值，就(jiu)可以(yi)了。这个(ge)很容(rong)易做到(dao)，但(dan)是，我们还需要速(su)度。在(zai)MOS管的(de)结构中可以(yi)看到(dao)，在(zai)GS和GD之间(jian)存(cun)在(zai)寄生电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)，而MOS管的(de)驱(qu)动，实际上就(jiu)是对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)的(de)充放电(dian)(dian)(dian)(dian)。对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)的(de)充电(dian)(dian)(dian)(dian)需要一(yi)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，因(yin)为对电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)充电(dian)(dian)(dian)(dian)瞬(shun)间(jian)可以(yi)把电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)看成(cheng)短路(lu)，所(suo)以(yi)瞬(shun)间(jian)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)会比较大。选择/设计MOS管驱(qu)动时第(di)一(yi)要注意的(de)是可提(ti)供瞬(shun)间(jian)短路(lu)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)大小。

而在(zai)进行MOSFET的选择时(shi)，因为(wei)MOSFET有两大(da)类型：N沟道和P沟道。在(zai)功率系统中，MOSFET可(ke)被(bei)看成电气开(kai)关(guan)。当(dang)在(zai)N沟道MOSFET的栅极(ji)和源(yuan)极(ji)间加上正电压时(shi)，其开(kai)关(guan)导通。导通时(shi)，电流可(ke)经开(kai)关(guan)从漏极(ji)流向源(yuan)极(ji)。漏极(ji)和源(yuan)极(ji)之间存(cun)在(zai)一(yi)个内阻(zu)，称为(wei)导通电阻(zu)RDS(ON)。

必须(xu)清(qing)楚MOSFET的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)是个(ge)高阻(zu)抗端，因此(ci)，总是要在栅(zha)(zha)极(ji)(ji)加上一个(ge)电压，这就是后面(mian)介绍电路图(tu)中栅(zha)(zha)极(ji)(ji)所(suo)接电阻(zu)至地。如果栅(zha)(zha)极(ji)(ji)为(wei)悬空，器件将不能按设(she)计(ji)意图(tu)工(gong)作，并可能在不恰(qia)当的(de)(de)(de)时刻(ke)导(dao)通(tong)或关闭，导(dao)致(zhi)系统产生潜在的(de)(de)(de)功率损耗。当源极(ji)(ji)和栅(zha)(zha)极(ji)(ji)间的(de)(de)(de)电压为(wei)零时，开(kai)关关闭，而电流(liu)停止(zhi)通(tong)过(guo)器件。虽然这时器件已经(jing)关闭，但仍然有微小电流(liu)存在，这称(cheng)之为(wei)漏电流(liu)，即IDSS。

MOS开关管损失

不(bu)管(guan)(guan)是(shi)NMOS还是(shi)PMOS，导(dao)通后都有(you)(you)导(dao)通电(dian)阻(zu)(zu)存(cun)在，这(zhei)(zhei)样电(dian)流就会在这(zhei)(zhei)个电(dian)阻(zu)(zu)上(shang)消耗能(neng)量(liang)，这(zhei)(zhei)部分消耗的能(neng)量(liang)叫做导(dao)通损耗。选择导(dao)通电(dian)阻(zu)(zu)小(xiao)(xiao)的MOS管(guan)(guan)会减(jian)小(xiao)(xiao)导(dao)通损耗。现在的小(xiao)(xiao)功率(lv)MOS管(guan)(guan)导(dao)通电(dian)阻(zu)(zu)一般在几十(shi)毫(hao)欧左右，几毫(hao)欧的也有(you)(you)。

MOS在导通和截止(zhi)的(de)时候，一(yi)定不是在瞬(shun)间(jian)完成的(de)。MOS两(liang)端的(de)电压(ya)(ya)有一(yi)个下(xia)降的(de)过程(cheng)，流过的(de)电流有一(yi)个上(shang)升的(de)过程(cheng)，在这段(duan)时间(jian)内，MOS管的(de)损失(shi)(shi)是电压(ya)(ya)和电流的(de)乘积(ji)，叫(jiao)做(zuo)开(kai)(kai)关(guan)损失(shi)(shi)。通常开(kai)(kai)关(guan)损失(shi)(shi)比导通损失(shi)(shi)大得多，而且开(kai)(kai)关(guan)频(pin)率越快，损失(shi)(shi)也(ye)越大。

导(dao)通瞬间(jian)电压和电流(liu)的乘积很大，造(zao)成的损失(shi)也就(jiu)很大。缩(suo)短开(kai)关(guan)时间(jian)，可以(yi)减(jian)小(xiao)每(mei)次导(dao)通时的损失(shi)；降低开(kai)关(guan)频率，可以(yi)减(jian)小(xiao)单位时间(jian)内的开(kai)关(guan)次数。这(zhei)两种办法(fa)都可以(yi)减(jian)小(xiao)开(kai)关(guan)损失(shi)。

MOS开关管的选择方法与步骤

第一步：选用N沟道还是P沟道

为设计(ji)选择正确器件的(de)第一步是(shi)决(jue)定(ding)采(cai)用N沟道还(hai)是(shi)P沟道MOSFET。在典型的(de)功率应用中，当一个MOSFET接地，而(er)负载连接到干线电(dian)压(ya)上(shang)时，该(gai)MOSFET就构成了低压(ya)侧开关(guan)。在低压(ya)侧开关(guan)中，应采(cai)用N沟道MOSFET，这是(shi)出于对关(guan)闭或(huo)导通器件所需电(dian)压(ya)的(de)考虑。

当MOSFET连接(jie)到总线及负载接(jie)地(di)时(shi)，就要用高(gao)压(ya)侧开关。通常会在这个拓(tuo)扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压(ya)驱动的考虑。

第二步：确定额定电流

第二(er)步是(shi)选择MOSFET的(de)(de)(de)额(e)定(ding)(ding)电(dian)(dian)流(liu)(liu)，视电(dian)(dian)路结构而定(ding)(ding)，该(gai)额(e)定(ding)(ding)电(dian)(dian)流(liu)(liu)应是(shi)负载在(zai)所有情况(kuang)下能够承受(shou)的(de)(de)(de)最大电(dian)(dian)流(liu)(liu)。与电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)情况(kuang)相似(si)，设(she)计(ji)人员必须确保所选的(de)(de)(de)MOSFET能承受(shou)这个(ge)额(e)定(ding)(ding)电(dian)(dian)流(liu)(liu)，即(ji)使在(zai)系统产(chan)生尖峰电(dian)(dian)流(liu)(liu)时。两个(ge)考虑的(de)(de)(de)电(dian)(dian)流(liu)(liu)情况(kuang)是(shi)连续(xu)模式和脉冲尖峰。

在连(lian)续导通模式(shi)下(xia)，MOSFET处于稳态，此(ci)时电流连(lian)续通过(guo)器(qi)件(jian)。脉冲尖(jian)峰是指有大(da)量电涌(或尖(jian)峰电流)流过(guo)器(qi)件(jian)，一旦确定了这些(xie)条件(jian)下(xia)的(de)最大(da)电流，只需直接(jie)选择能承受这个最大(da)电流的(de)器(qi)件(jian)便可(ke)。

选好额定电流后，还必须计算导通损(sun)耗。在实际情况(kuang)下，MOSFET并不是理想的器(qi)件(jian)，因为在导电过程(cheng)中会有电能损(sun)耗，这称之(zhi)为导通损(sun)耗。MOSFET在“导通”时就像一个(ge)可变电阻，由器(qi)件(jian)的RDS(ON)所确定，并随温(wen)度(du)而显着变化(hua)。

器件(jian)的(de)功率(lv)耗损(sun)可(ke)由(you)Iload2×RDS(ON)计算，由(you)于导(dao)通电阻随温度变化，因此功率(lv)耗损(sun)也会随之按比例变化。对MOSFET施加的(de)电压VGS越(yue)高(gao)(gao)，RDS(ON)就(jiu)会越(yue)小，反(fan)之RDS(ON)就(jiu)会越(yue)高(gao)(gao)。

对(dui)系(xi)统设计人员来说(shuo)，这就是取决于系(xi)统电压(ya)而(er)需要折(zhe)中(zhong)权(quan)衡(heng)的地(di)方。对(dui)便携式设计来说(shuo)，采用较(jiao)低(di)的电压(ya)比较(jiao)容易(较(jiao)为普遍)，而(er)对(dui)于工业设计，可采用较(jiao)高的电压(ya)。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻(qing)微上升，关于RDS(ON)电阻的各种电气(qi)参数变化可在制造商提供的技术(shu)资料(liao)表中(zhong)查到。

第三步：确定热要求

选择MOSFET的(de)(de)(de)下(xia)一(yi)步是计(ji)算系(xi)统的(de)(de)(de)散热要(yao)求(qiu)。设计(ji)人员(yuan)必须(xu)考虑两种不(bu)同的(de)(de)(de)情(qing)况(kuang)，即最坏情(qing)况(kuang)和真实情(qing)况(kuang)。建议采用(yong)针对最坏情(qing)况(kuang)的(de)(de)(de)计(ji)算结(jie)果(guo)，因(yin)为这个结(jie)果(guo)提供更大的(de)(de)(de)安(an)全余量，能确保系(xi)统不(bu)会失效。在(zai)MOSFET的(de)(de)(de)资(zi)料表上(shang)还有一(yi)些(xie)需要(yao)注意的(de)(de)(de)测量数据(ju)，比(bi)如(ru)封装(zhuang)器件的(de)(de)(de)半导体(ti)结(jie)与环境之间的(de)(de)(de)热阻，以(yi)及最大的(de)(de)(de)结(jie)温。

器(qi)件(jian)的(de)结(jie)温(wen)等(deng)(deng)于最大环境温(wen)度(du)(du)加上热(re)(re)阻与功率(lv)(lv)耗(hao)散的(de)乘积(结(jie)温(wen)=最大环境温(wen)度(du)(du)+[热(re)(re)阻×功率(lv)(lv)耗(hao)散])，根据这个方程(cheng)可(ke)解出系统的(de)最大功率(lv)(lv)耗(hao)散，即(ji)按定(ding)义(yi)相等(deng)(deng)于I2×RDS(ON)。由于设(she)计人员已(yi)确定(ding)将要通过(guo)器(qi)件(jian)的(de)最大电流，因此可(ke)以(yi)计算出不(bu)同温(wen)度(du)(du)下的(de)RDS(ON)。值得(de)注意(yi)的(de)是，在处理简单热(re)(re)模型(xing)时，设(she)计人员还(hai)必须考(kao)虑(lv)半导体结(jie)/器(qi)件(jian)外壳及外壳/环境的(de)热(re)(re)容量，即(ji)要求印刷电路板(ban)和封装不(bu)会(hui)立即(ji)升(sheng)温(wen)。

通(tong)(tong)常，一(yi)个PMOS管(guan)(guan)，会有寄生的(de)二极(ji)管(guan)(guan)存在，该(gai)二极(ji)管(guan)(guan)的(de)作(zuo)用(yong)是防止(zhi)源漏端反接，对于(yu)PMOS而言，比起(qi)NMOS的(de)优势在于(yu)它的(de)开启(qi)电压可以为0,而DS电压之间(jian)电压相差不大，而NMOS的(de)导(dao)通(tong)(tong)条件要(yao)求VGS要(yao)大于(yu)阈值，这将导(dao)致控(kong)制电压必然大于(yu)所(suo)需(xu)的(de)电压，会出现不必要(yao)的(de)麻烦。

选用PMOS作为控制开关的两种应用

（一）

由(you)PMOS来(lai)进(jin)行(xing)电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)选(xuan)择，当V8V存在时，此时电(dian)(dian)压(ya)(ya)全部由(you)V8V提供(gong)，将PMOS关(guan)(guan)闭，VBAT不(bu)提供(gong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)给VSIN，而(er)当V8V为低(di)(di)时，VSIN由(you)8V供(gong)电(dian)(dian)。注(zhu)意(yi)R120的(de)(de)接地(di)，该电(dian)(dian)阻能(neng)将栅(zha)极电(dian)(dian)压(ya)(ya)稳定(ding)地(di)拉低(di)(di)，确(que)保PMOS的(de)(de)正常开启，这也是(shi)前文所描述的(de)(de)栅(zha)极高阻抗所带来(lai)的(de)(de)状(zhuang)态隐患(huan)。D9和(he)D10的(de)(de)作用在于(yu)防止电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)倒灌。D9可(ke)以省略。这里要注(zhu)意(yi)到实际(ji)上该电(dian)(dian)路的(de)(de)DS接反，这样由(you)附生二(er)极管导通导致了开关(guan)(guan)管的(de)(de)功能(neng)不(bu)能(neng)达到，实际(ji)应用要注(zhu)意(yi)。

（二）

来看这(zhei)个电(dian)(dian)路，控(kong)(kong)(kong)制(zhi)信(xin)号(hao)PGC控(kong)(kong)(kong)制(zhi)V4.2是否给(ji)P_GPRS供(gong)电(dian)(dian)。此电(dian)(dian)路中，源(yuan)漏两端没有接(jie)反，R110与R113存在的意义在于R110控(kong)(kong)(kong)制(zhi)栅极电(dian)(dian)流不至(zhi)(zhi)于过大，R113控(kong)(kong)(kong)制(zhi)栅极的常态，将R113上拉为(wei)高，截(jie)至(zhi)(zhi)PMOS，同时(shi)也(ye)可(ke)以(yi)看作是对控(kong)(kong)(kong)制(zhi)信(xin)号(hao)的上拉。当MCU内部管脚并没有上拉时(shi)，即(ji)输出为(wei)开漏时(shi)，并不能驱动PMOS关闭，此时(shi)，就需要外部电(dian)(dian)压给(ji)予的上拉，所以(yi)电(dian)(dian)阻R113起到了两个作用(yong)。R110可(ke)以(yi)更小，到100欧姆也(ye)可(ke)。

MOS管的开关特性

静态特性(xing)

MOS管(guan)(guan)作(zuo)为开关元件，同(tong)样是工(gong)作(zuo)在截止或导通两(liang)种状态(tai)。由于(yu)MOS管(guan)(guan)是电压(ya)(ya)控制(zhi)元件，所以(yi)主要由栅源(yuan)电压(ya)(ya)uGS决(jue)定(ding)其工(gong)作(zuo)状态(tai)。

工作特性(xing)如下：

uGS开启电(dian)压UT：MOS管工作在(zai)截(jie)止区，漏源电(dian)流iDS基本为0，输出电(dian)压uDS≈UDD，MOS管处(chu)于(yu)“断开”状态，其(qi)等(deng)效电(dian)路如下图(tu)所示(shi)。

uGS>开启电压UT：MOS管(guan)工(gong)作(zuo)在导通区，漏(lou)源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管(guan)导通时的漏(lou)源电阻(zu)。输出(chu)电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS《RD，则uDS≈0V，MOS管(guan)处于“接通”状态，其等效电路(lu)如上(shang)图(c)所示(shi)。

动态特性

MOS管(guan)在(zai)导(dao)通与截(jie)止两种状(zhuang)态发生转换时(shi)(shi)(shi)同样存在(zai)过(guo)渡过(guo)程，但其动(dong)态特性主要取决(jue)于(yu)与电路有关的杂散电容充、放电所需的时(shi)(shi)(shi)间(jian)，而(er)管(guan)子本身导(dao)通和(he)(he)截(jie)止时(shi)(shi)(shi)电荷积(ji)累和(he)(he)消散的时(shi)(shi)(shi)间(jian)是(shi)很(hen)小的。下图分别给出了(le)一个NMOS管(guan)组成的电路及其动(dong)态特性示意(yi)图。

当输入电(dian)压ui由高变(bian)低，MOS管由导通(tong)状态(tai)转换(huan)为截(jie)止状态(tai)时(shi)，电(dian)源UDD通(tong)过RD向(xiang)杂散电(dian)容CL充电(dian)，充电(dian)时(shi)间常数τ1=RDCL，所以，输出电(dian)压uo要通(tong)过一定(ding)延时(shi)才由低电(dian)平变(bian)为高电(dian)平。

当输入电(dian)(dian)压(ya)ui由(you)低(di)变高，MOS管(guan)由(you)截止状(zhuang)态转(zhuan)换为(wei)导通状(zhuang)态时，杂散电(dian)(dian)容CL上的(de)(de)电(dian)(dian)荷通过(guo)rDS进行放电(dian)(dian)，其放电(dian)(dian)时间(jian)常数τ2≈rDSCL。可见，输出电(dian)(dian)压(ya)Uo也要(yao)经过(guo)一定延时才能(neng)转(zhuan)变成低(di)电(dian)(dian)平。但因为(wei)rDS比(bi)RD小得多，所以，由(you)截止到导通的(de)(de)转(zhuan)换时间(jian)比(bi)由(you)导通到截止的(de)(de)转(zhuan)换时间(jian)要(yao)短。

由(you)(you)于MOS管(guan)(guan)导通(tong)时的(de)漏源电(dian)阻(zu)rDS比晶(jing)体(ti)三极(ji)管(guan)(guan)的(de)饱和电(dian)阻(zu)rCES要大得多(duo)，漏极(ji)外接电(dian)阻(zu)RD也比晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)集电(dian)极(ji)电(dian)阻(zu)RC大，所以，MOS管(guan)(guan)的(de)充、放电(dian)时间较长，使(shi)MOS管(guan)(guan)的(de)开(kai)关(guan)速(su)度比晶(jing)体(ti)三极(ji)管(guan)(guan)的(de)开(kai)关(guan)速(su)度低。不过(guo)，在CMOS电(dian)路中，由(you)(you)于充电(dian)电(dian)路和放电(dian)电(dian)路都(dou)是(shi)低阻(zu)电(dian)路，因此，其(qi)充、放电(dian)过(guo)程(cheng)都(dou)比较快，从而使(shi)CMOS电(dian)路有较高的(de)开(kai)关(guan)速(su)度。

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