MOS管 KIA18N50H中文资料(liao) 18A/500V-MOS管封(feng)装 价格(ge) 厂家-KIA MOS管
信息来源：本站(zhan) 日期：2019-04-15
KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率(lv)(lv)MOSFET是为高(gao)(gao)功率(lv)(lv)器件设计的。电压(ya)、高(gao)(gao)速功率(lv)(lv)开(kai)关应用，如高(gao)(gao)效开(kai)关电源，功率(lv)(lv)因数(shu)校正。
RDS(on)=0.25?@VGS=10V
低栅电荷
快速切换(huan)能力
提高了dv/dt能力(li)
工作方式：18A/500V
漏源电(dian)压：500V
栅源(yuan)电压(ya):±30V
脉冲漏电(dian)流:72A
峰(feng)值(zhi)二极管(guan)恢复(fu)dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输出(chu)电(dian)容(rong)：400pF
连(lian)续漏源电流：18A
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