MOS管现状与挑战

MOS管概述

mos管是(shi)(shi)(shi)金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场(chang)效(xiao)应晶体管，或(huo)者(zhe)称是(shi)(shi)(shi)金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的(de)(de)source和drain是(shi)(shi)(shi)可以对调(diao)的(de)(de)，他们都是(shi)(shi)(shi)在P型backgate中形成的(de)(de)N型区。在多数情(qing)况下，这个两个区是(shi)(shi)(shi)一样(yang)的(de)(de)，即使(shi)两端(duan)对调(diao)也不会影响器件的(de)(de)性能(neng)。这样(yang)的(de)(de)器件被(bei)认(ren)为是(shi)(shi)(shi)对称的(de)(de)。

MOS管(guan)把输入电压的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)转化(hua)为(wei)输出电流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)。FET的(de)(de)(de)增益等于它的(de)(de)(de)跨(kua)导(dao)， 定义为(wei)输出电流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)和(he)输入电压变(bian)化(hua)之比。市面上常有的(de)(de)(de)一般为(wei)N沟道和(he)P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管(guan)）。而P沟道常见的(de)(de)(de)为(wei)低压mos管(guan)。

MOS管器件的现状及面临挑战发展趋势

根据(ju)IHS及Gartner的相关(guan)统计，功(gong)率(lv)MOSFET占据(ju)约40%的全球(qiu)功(gong)率(lv)器件市场规模(mo)。

MOSFET全称(cheng)Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，中文名为(wei)金属(shu)-氧(yang)化物半导体场(chang)效(xiao)应晶(jing)体管(guan)，简称(cheng)金氧(yang)半场(chang)效(xiao)晶(jing)体管(guan)或MOS管(guan)，是一种(zhong)可(ke)以广泛使用在(zai)模拟电路(lu)与数字电路(lu)的场(chang)效(xiao)晶(jing)体管(guan)。而功率MOSFET则指处于功率输(shu)出级(ji)的MOSFET器件，通常工作电流(liu)大于1A。

由于功率(lv)器件的分(fen)类方式(shi)(shi)非常多样，且(qie)各分(fen)类方式(shi)(shi)的分(fen)类逻辑(ji)并(bing)不(bu)存在(zai)(zai)上下(xia)包(bao)含的关系，因此在(zai)(zai)这里我们从驱(qu)动方式(shi)(shi)、可控(kong)性(xing)、载流子类型这三个分(fen)类维度将功率(lv)MOSFET定义为电压驱(qu)动的全控(kong)式(shi)(shi)单(dan)极(ji)型功率(lv)器件。

可以发现(xian)，功(gong)率(lv)(lv)(lv)MOSFET的电压驱动、全控式和单极(ji)型特(te)性决定了其在功(gong)率(lv)(lv)(lv)器件中的独特(te)定位(wei)：工作频率(lv)(lv)(lv)相(xiang)对(dui)(dui)(dui)最快、开关损耗相(xiang)对(dui)(dui)(dui)最小，但导(dao)通与关断功(gong)耗相(xiang)对(dui)(dui)(dui)较高(gao)、电压与功(gong)率(lv)(lv)(lv)承载能(neng)力相(xiang)对(dui)(dui)(dui)较弱。

因此(ci)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET会在(zai)两个(ge)领域(yu)中作(zuo)(zuo)为(wei)主流的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)器件：1.要(yao)求的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)(zuo)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)高于其他功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)器件所能实(shi)现的(de)(de)(de)(de)最高频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)的(de)(de)(de)(de)领域(yu)，目(mu)前这(zhei)个(ge)最高频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)大概是70kHz，在(zai)这(zhei)个(ge)领域(yu)中功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET成(cheng)为(wei)了唯(wei)一的(de)(de)(de)(de)选择(ze)，代表性下(xia)游(you)应(ying)用(yong)包括变频(pin)(pin)(pin)器、音频(pin)(pin)(pin)设备等(deng)。2.要(yao)求工作(zuo)(zuo)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)在(zai)10kHz到70kHz之间(jian)，同时(shi)要(yao)求输(shu)出功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)小(xiao)于5kW的(de)(de)(de)(de)领域(yu)，在(zai)这(zhei)个(ge)领域(yu)的(de)(de)(de)(de)绝大多数情况下(xia)，尽管(guan)IGBT与功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET都能实(shi)现相应(ying)的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)(gong)(gong)能，但功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET往(wang)往(wang)凭借更(geng)(geng)低的(de)(de)(de)(de)开(kai)关损 耗(hao)(hao)（高频(pin)(pin)(pin)条件下(xia)开(kai)关损耗(hao)(hao)的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)(gong)(gong)耗(hao)(hao)占(zhan)比更(geng)(geng)大）、更(geng)(geng)小(xiao)的(de)(de)(de)(de)体积以及(ji)相对较低的(de)(de)(de)(de)成(cheng)本成(cheng)为(wei)优(you)先选择(ze)，代表性的(de)(de)(de)(de)下(xia)游(you)应(ying)用(yong)包括液晶(jing)电视板卡、电磁炉等(deng)。

宽禁带半导体材(cai)料迭代引领功率(lv)MOSFET性能演进

根据载流子(zi)种类与掺杂方式，MOSFET可以被分为4种类型(xing)：N沟道(dao)增(zeng)强型(xing)、N沟道(dao)耗尽型(xing)、P沟道(dao)增(zeng)强型(xing)、P沟道(dao)耗尽型(xing)。

由于功(gong)率MOSFET往往追(zhui)求(qiu)高频率与(yu)低功(gong)耗(hao)，且多用作开关器件，因此N沟(gou)道(dao)增强型(xing)是绝(jue)大(da)多数功(gong)率MOSFET的选择。

功(gong)率(lv)MOSFET自1976年诞生(sheng)以(yi)来(lai)，不断面(mian)(mian)对(dui)着(zhe)社(she)会电气(qi)化程度的(de)(de)提高所带来(lai)的(de)(de)对(dui)于(yu)功(gong)率(lv)半导体的(de)(de)更高性能(neng)需(xu)求。对(dui)于(yu)功(gong)率(lv)MOSFET而言(yan)，主要的(de)(de)性能(neng)提升(sheng)方(fang)向包(bao)括三个(ge)方(fang)面(mian)(mian)：更高的(de)(de)频率(lv)、更高的(de)(de)输出(chu)功(gong)率(lv)以(yi)及更低(di)的(de)(de)功(gong)耗。

为(wei)了(le)实现更高的性(xing)能指标，功(gong)率(lv)(lv)MOSFET主(zhu)要经历了(le)制(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)缩小(xiao)、技术变化、工艺进(jin)(jin)步与(yu)材料(liao)迭代这(zhei)4个层次(ci)的演(yan)进(jin)(jin)过程(cheng)(cheng)(cheng)，其中由于功(gong)率(lv)(lv)MOSFET更需(xu)要功(gong)率(lv)(lv)处(chu)理(li)能力而非运算速度，因此制(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)缩小(xiao)这(zhei)一层次(ci)的演(yan)进(jin)(jin)已在(zai)2000年左右基本上终结(jie)了(le)，但其他的3个层次(ci)的演(yan)进(jin)(jin)仍(reng)在(zai)帮助(zhu)功(gong)率(lv)(lv)MOSFET不断追求着更高的功(gong)率(lv)(lv)密度与(yu)更低的功(gong)耗。

目前，市(shi)面上的(de)主流功率MOSFET类型主要(yao)包括(kuo)：由于(yu)技术变(bian)化形成的(de)内(nei)部结(jie)构不同的(de)Planar、Trench、Lateral、SuperJunction、Advanced Trench以及由于(yu)材(cai)(cai)料(liao)(liao)迭代(dai)形成的(de)半(ban)导(dao)体(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)改(gai)变(bian)的(de)SiC、GaN。其中尽(jin)管材(cai)(cai)料(liao)(liao)迭代(dai)与技术变(bian)化属于(yu)并行关系，比(bi)如存在GaN Lateral MOSFET，但就目前而言，由于(yu)宽(kuan)禁带半(ban)导(dao)体(ti)仍(reng)处于(yu)初步发(fa)展阶段(duan)，所(suo)有面世的(de)宽(kuan)禁带MOSFET的(de)性(xing)能(neng)主要(yao)由材(cai)(cai)料(liao)(liao)性(xing)能(neng)决定，因此(ci)将所(suo)有不同结(jie)构的(de)GaN MOSFET和SiC MOSFET 分别(bie)归为(wei)一个整体(ti)。

受益于(yu)世界的电动化、信息化以及对用电终端性能(neng)的更高追求，预计2022年功率MOSFET全(quan)球市场规模(mo)可达(da)亿(yi)85美元

在《总览(lan)》中我们提到，功率(lv)(lv)半导体行业(ye)是一个需求驱(qu)动(dong)型(xing)的(de)(de)行业(ye)，因(yin)此功率(lv)(lv)MOSFET行业(ye)的(de)(de)市场空(kong)间(jian)主要(yao)源于对功率(lv)(lv)器件的(de)(de)需求为10kHz以上的(de)(de)工(gong)作频(pin)率(lv)(lv)以及5kW以下的(de)(de)输出功率(lv)(lv)的(de)(de)行业(ye)的(de)(de)市场空(kong)间(jian)。

而这8个(ge)行(xing)业的主要增长(zhang)动(dong)力，又(you)主要源(yuan)于三(san)个(ge)趋(qu)(qu)势(shi)：电(dian)动(dong)化(hua)趋(qu)(qu)势(shi)、信息化(hua)趋(qu)(qu)势(shi)以及对用电(dian)终端性能(neng)的更(geng)高追求趋(qu)(qu)势(shi)。

电(dian)(dian)动(dong)化趋(qu)势主要(yao)影响汽车(che)电(dian)(dian)子(zi)以及工(gong)业(ye)这两个(ge)行业(ye)，汽车(che)行业(ye)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)动(dong)化无疑是当(dang)今(jin)世界电(dian)(dian)动(dong)化最显著的(de)(de)(de)一个(ge)特征，这既(ji)源于汽车(che)行业(ye)每年全球近1亿量的(de)(de)(de)产销量规模，也(ye)源自于汽车(che)电(dian)(dian)动(dong)化后3-4倍的(de)(de)(de)功率半导(dao)体用量规模增长；而工(gong)业(ye)则(ze)主要(yao)因为电(dian)(dian)动(dong)化带来整体用电(dian)(dian)量的(de)(de)(de)提升，从而带动(dong)包括电(dian)(dian)源、太阳能逆变器等(deng)电(dian)(dian)力传输领(ling)域行业(ye)的(de)(de)(de)增长。

信息化趋势主(zhu)要(yao)(yao)影响无线设(she)备(bei)、计(ji)算存储以(yi)及网络通(tong)讯(xun)这三个(ge)行业，就未来(lai)世界的(de)(de)(de)趋势而(er)言(yan)，无论是(shi)(shi)物联网或是(shi)(shi)AI，本质(zhi)上都离不(bu)开更大(da)程度(du)上数(shu)据的(de)(de)(de)收集、计(ji)算与(yu)传输，而(er)数(shu)据量(liang)的(de)(de)(de)增(zeng)加(jia)，必将带来(lai)用(yong)电量(liang)与(yu)用(yong)电设(she)备(bei)的(de)(de)(de)增(zeng)加(jia)，从而(er)提高在这些设(she)备(bei)中会被主(zhu)要(yao)(yao)使(shi)用(yong)的(de)(de)(de)功率MOSFET的(de)(de)(de)市场空间。

对用(yong)电终端(duan)性能的(de)(de)(de)(de)(de)更高追(zhui)求(qiu)(qiu)趋势则(ze)主要(yao)影响音(yin)画(hua)设备、家(jia)用(yong)电器(qi)以(yi)(yi)及医疗设备这三个行业。所谓对用(yong)电终端(duan)性能的(de)(de)(de)(de)(de)更高追(zhui)求(qiu)(qiu)，包括更高的(de)(de)(de)(de)(de)音(yin)画(hua)质(zhi)、变频(pin)降噪等舒适(shi)感(gan)需求(qiu)(qiu)以(yi)(yi)及更精准多(duo)样(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)医疗设备检测(ce)等。以(yi)(yi)对电脑(nao)画(hua)质(zhi)更高的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)为例，更高的(de)(de)(de)(de)(de)电脑(nao)画(hua)质(zhi)需求(qiu)(qiu)更高运算速度的(de)(de)(de)(de)(de)GPU和更多(duo)的(de)(de)(de)(de)(de)显存(cun)，更高运算速度的(de)(de)(de)(de)(de)GPU和更多(duo)的(de)(de)(de)(de)(de)显存(cun)又(you)自然需求(qiu)(qiu)更多(duo)相的(de)(de)(de)(de)(de)供电来驱动其稳定工作，而每一(yi)相供电都需要(yao)2-4个功率MOSFET。

益于电(dian)动化(hua)、信息化(hua)以及对用(yong)电(dian)终端(duan)性能的(de)(de)(de)更高追求带来(lai)的(de)(de)(de)新增(zeng)市场以及供(gong)需格(ge)局带来(lai)的(de)(de)(de)价格(ge)变(bian)化(hua)，结合IHS、Yole Développement的(de)(de)(de)相关测算，我们(men)预计(ji)功率(lv)MOSFET市场在2018年(nian)将略高于2017年(nian)12%左(zuo)右的(de)(de)(de)增(zeng)长(zhang)(zhang)速度达到13%，在2019年(nian)由于挖矿(kuang)机(ji)、智能手机(ji)等下游(you)行(xing)业的(de)(de)(de)需求不振维持市场规模不变(bian)，在2020年(nian)以后(hou)由于物联网、AI、5G等信息产业的(de)(de)(de)兴起回升至4%的(de)(de)(de)年(nian)化(hua)增(zeng)长(zhang)(zhang)速度，至2022年(nian)实现(xian)约85亿美(mei)元(yuan)的(de)(de)(de)市场规模，对应的(de)(de)(de)复合年(nian)增(zeng)长(zhang)(zhang)率(lv)为4.87%。

长期来看，恒逐峰(feng)者可(ke)览(lan)众山

低端(duan)控本高端(duan)重质，生产工(gong)艺演(yan)进(jin)进(jin)程(cheng)决定功率MOSFET不同层次

尽(jin)管功(gong)(gong)(gong)率(lv)半导体长(zhang)远(yuan)追求(qiu)更高(gao)的功(gong)(gong)(gong)率(lv)密(mi)度以及更低的功(gong)(gong)(gong)耗(hao)，不(bu)同种类的功(gong)(gong)(gong)率(lv)MOSFET的市场地(di)位与利润空间却并不(bu)完全由功(gong)(gong)(gong)率(lv)密(mi)度的高(gao)低与功(gong)(gong)(gong)耗(hao)的多少决定。比如Lateral型的功(gong)(gong)(gong)率(lv)MOSFET尽(jin)管属于比较(jiao)早期被研发成功(gong)(gong)(gong)的功(gong)(gong)(gong)率(lv)MOSFET，且(qie)存(cun)在(zai)耐压(ya)低功(gong)(gong)(gong)率(lv)密(mi)度难(nan)以提(ti)升的缺陷(xian)，但利润率(lv)一(yi)直较(jiao)高(gao)。

有两个原(yuan)因(yin)(yin)造(zao)成(cheng)(cheng)了(le)(le)目前的这种局面(mian)：1.功率(lv)半(ban)导体行业(ye)的整体发展方向是提高(gao)功率(lv)密度(du)、降(jiang)低功耗，但如(ru)果细化到某一(yi)个指标，比(bi)(bi)如(ru)工作(zuo)频率(lv)时，后研发的Super Junction等(deng)(deng)类型的功率(lv)MOSFET并不比(bi)(bi)Lateral型更有优势(shi)；2.只(zhi)有满足了(le)(le)下游行业(ye)特定性能(neng)需求(qiu)的两种MOSFET才能(neng)形成(cheng)(cheng)替(ti)代(dai)，因(yin)(yin)此无法替(ti)代(dai)的Lateral型在市(shi)场地位中与技术(shu)更为先进的Super Junction等(deng)(deng)类型比(bi)(bi)肩，获得更高(gao)的超额利润。

由于功率半(ban)导体(ti)是一(yi)个需求驱(qu)动型的(de)行业(ye)，因此，在将各类型的(de)功率MOSFET分层来(lai)讨论未来(lai)的(de)结(jie)构趋势时，我(wo)们更(geng)倾向(xiang)于通过(guo)生(sheng)产(chan)商与下游的(de)关系将不同的(de)功率MOSFET比较抽象地分为低端、中端和高端，而(er)不依据功率密度的(de)大小或(huo)功耗的(de)多少来(lai)划分。

一般来(lai)说，低端层次的(de)功率MOSFET所(suo)满足的(de)性能要求相(xiang)对较低、容易(yi)达到，且(qie)这种MOSFET面临着无(wu)从继续进行生产工(gong)艺演(yan)进，或者对这种MOSFET进行生产工(gong)艺演(yan)进带来(lai)的(de)成(cheng)本(ben)超过(guo)了其相(xiang)对于更(geng)先进MOSFET的(de)使(shi)用成(cheng)本(ben)优势。

对应到生(sheng)产商(shang)的(de)(de)层面，我们(men)认为该(gai)层次的(de)(de)功率MOSFET领先生(sheng)产厂商(shang)生(sheng)产工艺演进已(yi)经停止，绝大(da)多(duo)数市(shi)场参与者(zhe)的(de)(de)产品(pin)性能差异性小(xiao)，此时(shi)价格成为下游厂商(shang)选(xuan)择(ze)产品(pin)的(de)(de)主(zhu)要原因。

中端层次的(de)(de)功(gong)率MOSFET所满(man)足的(de)(de)性能要求适中，想要生产出相应性能的(de)(de)功(gong)率MOSFET具有一定的(de)(de)难度，对这种MOSFET进行生产工艺(yi)演进带来的(de)(de)成本(ben)低于(yu)其(qi)相对于(yu)更(geng)先进MOSFET的(de)(de)使用成本(ben)优势(shi)或并不存在更(geng)先进的(de)(de)MOSFET可选方(fang)案。

对应(ying)到生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)商的(de)层(ceng)面，我们认为该层(ceng)次的(de)MOSFET领先(xian)生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)厂商生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)工艺演进仍在继续(xu)但已处(chu)于(yu)中后阶段，演进速(su)度(du)显著放(fang)缓，生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)工艺演进积(ji)累各不(bu)相同的(de)生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)商产(chan)(chan)品(pin)(pin)性(xing)能存(cun)在一定的(de)差异，此时下游厂商首先(xian)根据自(zi)己(ji)所需求的(de)产(chan)(chan)品(pin)(pin)性(xing)能来选择(ze)生(sheng)(sheng)(sheng)产(chan)(chan)商名录，其次再综合考虑价格、供货量等(deng)因素。

高(gao)端层(ceng)次(ci)的功率MOSFET所满足的性能(neng)要求(qiu)高(gao)，想要生产出相(xiang)应性能(neng)的功率MOSFET存在(zai)较高(gao)的技术(shu)壁(bi)垒，并不存在(zai)更(geng)先进的MOSFET可选方(fang)案(an)。

对应(ying)到生(sheng)产(chan)商(shang)的(de)(de)层(ceng)面，我(wo)们(men)认为该层(ceng)次的(de)(de)MOSFET领先生(sheng)产(chan)厂(chang)(chang)商(shang)刚刚开启生(sheng)产(chan)工艺演(yan)进，演(yan)进速(su)度较(jiao)快，仅有(you)领先厂(chang)(chang)商(shang)能(neng)(neng)够生(sheng)产(chan)该层(ceng)次的(de)(de)MOSFET，此时下游厂(chang)(chang)商(shang)更(geng)为关注(zhu)自己(ji)所需(xu)求的(de)(de)产(chan)品性能(neng)(neng)，对价格的(de)(de)敏(min)感度较(jiao)低(di)。

因此(ci)我们认为(wei)，上(shang)下游与不(bu)(bu)同功率MOSFET的(de)不(bu)(bu)同关系(xi)，本质上(shang)是由于(yu)生产(chan)工(gong)艺演(yan)进进程(cheng)（等价于(yu)该MOSFET领先厂商的(de)生产(chan)工(gong)艺演(yan)进进程(cheng)）的(de)不(bu)(bu)同而导致(zhi)的(de)。

其(qi)中(zhong)由(you)(you)于(yu)下(xia)游厂商不同的选择(ze)标准，各类(lei)MOSFET部(bu)门(men)(men)的核心竞(jing)争力(li)(li)也各不相同。对(dui)于(yu)低端功率MOSFET部(bu)门(men)(men)而(er)言(yan)，由(you)(you)于(yu)下(xia)游厂商仅关(guan)注价格，成本控制能(neng)(neng)力(li)(li)成为(wei)(wei)核心竞(jing)争力(li)(li)；对(dui)于(yu)高(gao)端功率MOSFET生(sheng)产部(bu)门(men)(men)而(er)言(yan)，自然(ran)高(gao)品质产品的生(sheng)产能(neng)(neng)力(li)(li)成为(wei)(wei)核心竞(jing)争力(li)(li)；而(er)对(dui)于(yu)中(zhong)端功率MOSFET部(bu)门(men)(men)而(er)言(yan)则比较复杂(za)，由(you)(you)于(yu)价格和性(xing)能(neng)(neng)对(dui)于(yu)不同下(xia)游厂商的重要性(xing)动(dong)态变化(hua)，在(zai)产品性(xing)能(neng)(neng)与(yu)价格均具备一定(ding)市场竞(jing)争力(li)(li)的前提下(xia)，渠道能(neng)(neng)力(li)(li)决定(ding)了企业能(neng)(neng)找到多少与(yu)自身产品匹配的下(xia)游客户，从而(er)决定(ding)了营(ying)收规模，成为(wei)(wei)核心竞(jing)争力(li)(li)。

长远来看单类MOSFET产品层次会(hui)由(you)高端向低端逐年(nian)下移，研发实(shi)力为功率(lv)MOSFET企业核心竞争力

在前(qian)面，我们(men)根(gen)据(ju)不同功(gong)率(lv)MOSFET的(de)行(xing)业(ye)特性与(yu)上下游关系将功(gong)率(lv)MOSFET分为了(le)低端(duan)、中端(duan)和(he)高端(duan)三(san)(san)个层次，并总结了(le)三(san)(san)个层次分类(lei)的(de)本质原因是由于生产(chan)工艺演进进程的(de)不同，以及(ji)三(san)(san)个档次产(chan)品分别的(de)核(he)心竞争(zheng)力。

但是功(gong)(gong)率MOSFET产(chan)(chan)(chan)品的(de)核心竞(jing)争(zheng)力与功(gong)(gong)率MOSFET企(qi)业的(de)核心竞(jing)争(zheng)力存(cun)在着(zhe)较大的(de)差别(bie)。同样有两点原(yuan)因：1.对(dui)于一(yi)家(jia)功(gong)(gong)率MOSFET企(qi)业，很(hen)少(shao)有只生产(chan)(chan)(chan)一(yi)种(zhong)层次的(de)功(gong)(gong)率MOSFET产(chan)(chan)(chan)品。2.单类(lei)功(gong)(gong)率MOSFET的(de)层次会由高(gao)端向低端逐(zhu)年下(xia)移。

单(dan)类(lei)功率MOSFET的(de)(de)层(ceng)次(ci)(ci)会逐年下移(yi)本质(zhi)上(shang)是由于(yu)该类(lei)功率MOSFET的(de)(de)生(sheng)产(chan)(chan)工艺(yi)(yi)演(yan)(yan)进(jin)进(jin)程会逐年成熟，当(dang)生(sheng)产(chan)(chan)工艺(yi)(yi)演(yan)(yan)进(jin)进(jin)程达到(dao)中后期，演(yan)(yan)进(jin)速度(du)放(fang)缓时，高端(duan)层(ceng)次(ci)(ci)的(de)(de)功率MOSFET自然(ran)下移(yi)至中端(duan)层(ceng)次(ci)(ci)，而当(dang)生(sheng)产(chan)(chan)工艺(yi)(yi)演(yan)(yan)进(jin)进(jin)程结束时，中端(duan)层(ceng)次(ci)(ci)的(de)(de)功率MOSFET自然(ran)下移(yi)至低端(duan)层(ceng)次(ci)(ci)。

这(zhei)两年(nian)的(de)(de)汽(qi)(qi)车(che)行业(ye)正好是一(yi)个非常(chang)好的(de)(de)观察者，由于(yu)汽(qi)(qi)车(che)行业(ye)非常(chang)关(guan)注安全性，因此对零(ling)部件的(de)(de)一(yi)致(zhi)性与合(he)格率(lv)有着非常(chang)高(gao)的(de)(de)要求(qiu)(qiu)，通常(chang)一(yi)个合(he)格的(de)(de)产(chan)(chan)品(pin)仍然(ran)需要经历1-2年(nian)的(de)(de)验证周期。这(zhei)就是为什(shen)么汽(qi)(qi)车(che)行业(ye)对性能要求(qiu)(qiu)高(gao)，且需求(qiu)(qiu)的(de)(de)产(chan)(chan)品(pin)仅能由领先(xian)厂商生产(chan)(chan)，但(dan)有一(yi)部分却使(shi)用的(de)(de)是中端(duan)的(de)(de)功率(lv)MOSFET的(de)(de)原因——汽(qi)(qi)车(che)行业(ye)使(shi)用的(de)(de)是从(cong)高(gao)端(duan)层(ceng)次自然(ran)下移至中端(duan)层(ceng)次的(de)(de)功率(lv)MOSFET。

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