车载功放,mos管

车载功放

车载(zai)(zai)功(gong)放(fang)，就是车载(zai)(zai)影音系统(tong)中的音频(pin)功(gong)率(lv)放(fang)大器。功(gong)率(lv)放(fang)大器简称(cheng)功(gong)放(fang)。

车载功放的分类

功率放大器可以按不(bu)同的用途分类(lei)：

1、有的汽车功率(lv)(lv)放大器是专门为推(tui)动低音扬声(sheng)器设计的，如(ru)：健伍KAC—PS401M(14.4V，4欧(ou)姆(mu))，最大功率(lv)(lv)1200W x1。内置次(ci)声(sheng)滤波器，省去了外接滤波器。

2、带均(jun)衡(heng)器(qi)(qi)的功率放大(da)器(qi)(qi)，如：索尼XM一(yi)604EQX。EQX备有的扬(yang)声器(qi)(qi)有5段(duan)均(jun)衡(heng)器(qi)(qi)，可因个人(ren)喜好(hao)或(huo)不(bu)同(tong)的车厢(xiang)空间(jian)调校音色(se)。每一(yi)个EQX系(xi)列均(jun)有5种频率供选择。

3、5声(sheng)道功(gong)率(lv)放(fang)(fang)大(da)器(qi)，如：索尼XM一405EQX、健伍KAC一859等，通(tong)常使(shi)用2声(sheng)道或4声(sheng)道功(gong)率(lv)放(fang)(fang)大(da)器(qi)来推动前后扬声(sheng)器(qi)。低音扬声(sheng)器(qi)是用另一只功(gong)率(lv)放(fang)(fang)大(da)器(qi)推动，这样(yang)占(zhan)用面(mian)积太大(da)，而(er)使(shi)用5声(sheng)道功(gong)率(lv)放(fang)(fang)大(da)器(qi)，一块(kuai)功(gong)放(fang)(fang)就可以解决(jue)问题。

4、多(duo)片X卡(ka)功率放(fang)(fang)大(da)器，如：来福(fu)punch 400.4。独特的(de)X卡(ka)为功率放(fang)(fang)大(da)器提(ti)供了几乎是无(wu)限(xian)多(duo)样的(de)分音(yin)选(xuan)择：高(gao)通、带通、低(di)通，甚至(zhi)是超音(yin)频的(de)滤(lv)波器。它(ta)可以(yi)起到以(yi)一抵十的(de)作用。

5、电子分(fen)音器模块(kuai)式(shi)功率(lv)(lv)(lv)放大(da)(da)(da)器，如：KICKER ZR360。这些控(kong)制模块(kuai)是让你选(xuan)定(ding)哪(na)一种讯号会到功率(lv)(lv)(lv)放大(da)(da)(da)器及(ji)到功率(lv)(lv)(lv)放大(da)(da)(da)器的RCA输出，选(xuan)定(ding)所需要(yao)的频率(lv)(lv)(lv)及(ji)分(fen)音点。通过更换模块(kuai)，可(ke)以(yi)使(shi)一个功率(lv)(lv)(lv)放大(da)(da)(da)器变(bian)成多样化(hua)的功率(lv)(lv)(lv)放大(da)(da)(da)器使(shi)用。

车载功放mos管选型

以下(xia)是车载功放mos管选(xuan)型（需了解更多型号，请联系(xi)我们）

Part Number	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
					pF
KIA50N06B	50	60	0.0105	0.012	2060
KIA2906A	130	60	0.0055	0.007	3100
KIA75NF75	80	80	0.007	0.009	3110
KNX3306A	80	60	0.007	0.0085	3390
KNX3306B	80	60	0.007	0.008	3080
KNX3206A	110	60	0.0065	0.008	3400

车载功放mos管厂家

深(shen)圳市(shi)利盈娱乐半(ban)导体科技(ji)有限公司（简(jian)称(cheng)KIA）.是(shi)一家(jia)(jia)专业从事中(zhong)、大、功率(lv)场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生(sheng)产(chan)和(he)销(xiao)售为一体的国家(jia)(jia)高(gao)新(xin)技(ji)术(shu)企业。

KIA现已经拥有了独立(li)的(de)(de)研(yan)发中心，研(yan)发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根(gen)据客户应用领域的(de)(de)个性来设(she)计方案，同时引进多台国外先进设(she)备，业务(wu)含(han)括功(gong)率器件的(de)(de)直流参(can)数(shu)检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统(tong)分(fen)析、失效分(fen)析等(deng)领域。强(qiang)大的(de)(de)研(yan)发平台，使(shi)得KIA在工(gong)艺(yi)制(zhi)造、产品设(she)计方面拥有知识(shi)产权35项，并掌握多项场效应管核心制(zhi)造技术。自主研(yan)发已经成为了企业的(de)(de)核心竞争力。

强大的研发平台，使得KIA在(zai)工艺制造、产品设计(ji)方面拥有知(zhi)识产权35项，并(bing)掌握多项场效应(ying)管核(he)心制造技(ji)术。自主研发已经(jing)成为了企(qi)业的核(he)心竞争力。

KIA半导(dao)体(ti)的产(chan)品涵盖工业(ye)、新能源、交通运输(shu)、绿色照明四大领(ling)域，不仅(jin)包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产(chan)品的精细化与(yu)革新，力求为客户(hu)提供最具行业(ye)领(ling)先(xian)、品质上(shang)乘的科技产(chan)品。

从设计研发(fa)到(dao)制造再到(dao)仓储物(wu)流，KIA半导体真正实(shi)现(xian)了(le)(le)一(yi)体化(hua)的(de)服务链，真正做到(dao)了(le)(le)服务细节全到(dao)位的(de)品牌内涵，我们致力(li)于(yu)成为场效应管（MOSFET）功率器件领(ling)域的(de)领(ling)跑者(zhe)，为了(le)(le)这个目(mu)标，KIA半导体正在(zai)持续创新，永不止(zhi)步！

MOS管功放优缺点解析

（一）优点

1、MOS 管功放具有鼓(gu)励功率(lv)小，输出(chu)功率(lv)大，输出(chu)漏极电流具有负(fu)温度系数(shu)，平(ping)安牢靠，且有工作频率(lv)高，偏置(zhi)简单等优点。以运放的(de)输出(chu)作为(wei)OCL 的(de)输入，到达抑(yi)止零点漂移的(de)效果。

2、中(zhong)音厚，没(mei)有(you)三极管那么(me)大的交越失真。

电(dian)流推进级(ji)通常由(you)一(yi)(yi)至二级(ji)组(zu)成(cheng)，为了(le)降低输出阻抗、增加阻尼(ni)系(xi)数，常采(cai)用二级(ji)电(dian)流推进。为了(le)防止电(dian)流推进级(ji)产(chan)(chan)生开关失(shi)真，较好的作法是、采(cai)用MOS管并增大本(ben)级(ji)的静态电(dian)流，这样本(ben)级(ji)不(bu)会产(chan)(chan)生开关失(shi)真，由(you)于任何状况(kuang)下电(dian)流推进级(ji)一(yi)(yi)直处(chu)于放大区(qu)，所(suo)以电(dian)流输出级(ji)也一(yi)(yi)直处(chu)于放大区(qu)，因而输出级(ji)同样不(bu)会产(chan)(chan)生开关失(shi)真和交越(yue)失(shi)真。

3、MOS管的线性比(bi)晶体管好。

（二）缺点

1、低频(pin)的温和(he)度比晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)功放差，MOSFET开关(guan)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)容易被输(shu)(shu)出和(he)输(shu)(shu)入(ru)过(guo)载(zai)损(sun)坏(huai),MOSFET场(chang)效(xiao)应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)既具有晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)的根本优点(dian)。但(dan)运用不久发现这种功放的牢靠性不高（无法外(wai)电路维(wei)护），开关(guan)速度进(jin)步得不多(duo)和(he)最大输(shu)(shu)出功率仅为150W/8Ω等。

90年代(dai)初，MOSFET的制造技术有(you)了(le)(le)很大打(da)破，呈现了(le)(le)一种高速MOSFET大功(gong)率开关场效应晶(jing)体管。西班牙艺格公司（ECLER）经(jing)多年研讨，攻克了(le)(le)非毁坏性维护系统的SPM专(zhuan)利技术，推(tui)出(chu)了(le)(le)集电子(zi)管功(gong)放(fang)和晶(jing)体管功(gong)放(fang)两者(zhe)优(you)点分(fen)离的第3代(dai)功(gong)放(fang)产品，在(zai)欧洲市场上(shang)取得(de)了(le)(le)认可，并逐(zhu)渐在(zai)世界上(shang)得(de)到了(le)(le)应用。

第(di)3代MOSFET功放(fang)的中频(pin)和(he)高频(pin)音质接近电子管功放(fang)，但低频(pin)的温(wen)和(he)度比晶体(ti)管功放(fang)差一(yi)些，此外MOSFET开(kai)关场效应管容(rong)易被输出和(he)输入过(guo)载损坏。

2、开启电压太高。

3、偏流开很大(da)，还是有一定的(de)交越(yue)失真,没交越(yue)失真，差不多能够赶上三极管(guan)的(de)甲类(lei)输出功(gong)耗。

4、MOS管(guan)不好配对在同一批次管(guan)，相对来(lai)说(shuo)要好配对一点。

5、MOS管(guan)的低频下太硬,用MOS功(gong)放听出所谓电子(zi)管(guan)音色(se)有一(yi)个简单方法，把(ba)普通三(san)极(ji)管(guan)功(gong)放里的电压(ya)推(tui)进三(san)极(ji)管(guan)换成(cheng)JFET，JFET才(cai)真正具有电子(zi)管(guan)音色(se)。

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