MOS管做功放的优缺点

功放

MOS管做功(gong)放(fang)的(de)优(you)缺点(dian)，功(gong)率放(fang)大器(qi)简称功(gong)放(fang)，一般特指音(yin)响(xiang)系统(tong)(tong)中一种(zhong)最基本的(de)设(she)备，俗(su)称“扩音(yin)机(ji)”，它的(de)任务是把来自信(xin)号(hao)源(yuan)（专(zhuan)业音(yin)响(xiang)系统(tong)(tong)中则是来自调(diao)音(yin)台）的(de)微弱电信(xin)号(hao)进行放(fang)大以驱动扬(yang)声(sheng)器(qi)发出(chu)声(sheng)音(yin)。还可以指其他(ta)进行功(gong)率放(fang)大的(de)设(she)备。

MOS管做功放的优缺点-MOS管做功放的作用

功(gong)放的作用就是把来自音(yin)源或前级放大(da)器(qi)的弱信号放大(da)，推动音(yin)箱放声。一套良好的音(yin)响(xiang)系统(tong)功(gong)放的作用功(gong)不可(ke)没。

功(gong)(gong)放，是各类音响(xiang)器材(cai)中最大的(de)一个家(jia)族，其作用主(zhu)要是将音源器材(cai)输入的(de)较微弱信(xin)号(hao)进行放大后，产(chan)生(sheng)足够大的(de)电流去推动(dong)扬声(sheng)器进行声(sheng)音的(de)重放。由于考虑功(gong)(gong)率、阻抗(kang)、失真(zhen)、动(dong)态(tai)以及(ji)不同的(de)使(shi)用范(fan)围(wei)和(he)控制调节功(gong)(gong)能，不同的(de)功(gong)(gong)放在内部(bu)的(de)信(xin)号(hao)处理(li)、线路(lu)设计和(he)生(sheng)产(chan)工艺上也各不相同。

MOS管做功放的优缺点分析
（一）MOS管做功放的优缺点-缺点

1、低频的(de)温(wen)和度(du)(du)比晶体(ti)管(guan)功放差，MOSFET开关(guan)场(chang)(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)容易被输(shu)出(chu)(chu)和输(shu)入过(guo)载损坏,MOSFET场(chang)(chang)效应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)既(ji)具有晶体(ti)管(guan)的(de)根本优点。但运用不久发现这种功放的(de)牢靠(kao)性不高（无法外电路维护），开关(guan)速(su)度(du)(du)进步得不多和最大(da)(da)输(shu)出(chu)(chu)功率仅为150W/8Ω等(deng)。90年代初，MOSFET的(de)制造技术有了很(hen)大(da)(da)打破，呈现了一种高速(su)MOSFET大(da)(da)功率开关(guan)场(chang)(chang)效应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)。

西(xi)班牙艺(yi)格公司（ECLER）经多年研讨，攻克了(le)非毁坏(huai)(huai)性(xing)维护系统(tong)的(de)SPM专(zhuan)利技术(shu)，推出了(le)集(ji)电子管功放(fang)和晶体管功放(fang)两(liang)者优点分离(li)的(de)第(di)(di)3代(dai)功放(fang)产品，在欧洲(zhou)市场上(shang)取(qu)得了(le)认可，并逐渐在世界上(shang)得到了(le)应(ying)用。第(di)(di)3代(dai)MOSFET功放(fang)的(de)中频(pin)和高(gao)频(pin)音(yin)质接近电子管功放(fang)，但低频(pin)的(de)温和度比晶体管功放(fang)差一(yi)些，此外MOSFET开(kai)关场效应(ying)管容易被输出和输入过载损坏(huai)(huai)。

2、开启电压太高。

3、偏流开很大，还是有一定的交越失真,没交越失真，差(cha)不多(duo)能够(gou)赶(gan)上三(san)极(ji)管的甲类输出(chu)功耗(hao)。

4、MOS管(guan)不好配对(dui)在同一批次管(guan)，相(xiang)对(dui)来说要好配对(dui)一点。

5、MOS管(guan)的(de)低(di)频下太(tai)硬,用MOS功(gong)放(fang)(fang)听出所谓电子(zi)管(guan)音色(se)有一个简单方法，把普通三(san)极管(guan)功(gong)放(fang)(fang)里的(de)电压推进(jin)三(san)极管(guan)换成JFET，JFET才真正具有电子(zi)管(guan)音色(se)。

（二）MOS管做功放的优缺点-优点

1、MOS 管功(gong)放具有(you)鼓励功(gong)率小，输(shu)出功(gong)率大，输(shu)出漏(lou)极电流具有(you)负温度(du)系(xi)数(shu)，平(ping)安牢靠，且有(you)工(gong)作频率高，偏置(zhi)简(jian)单等(deng)优(you)点(dian)。以运(yun)放的输(shu)出作为OCL 的输(shu)入，到达(da)抑止零点(dian)漂移(yi)的效果。

2、中音厚，没有三极管那(nei)么大的交越(yue)失真(zhen)。

电流推(tui)进(jin)(jin)级(ji)(ji)通(tong)常由一至二(er)级(ji)(ji)组成，为了降低(di)输出(chu)阻(zu)(zu)抗、增(zeng)加(jia)阻(zu)(zu)尼系数，常采用二(er)级(ji)(ji)电流推(tui)进(jin)(jin)。为了防止电流推(tui)进(jin)(jin)级(ji)(ji)产(chan)生开关失(shi)真，较好的(de)(de)作法是、采用MOS管并增(zeng)大本级(ji)(ji)的(de)(de)静(jing)态电流，这样本级(ji)(ji)不(bu)会(hui)产(chan)生开关失(shi)真，由于(yu)任何状况下电流推(tui)进(jin)(jin)级(ji)(ji)一直处于(yu)放大区，所以电流输出(chu)级(ji)(ji)也一直处于(yu)放大区，因(yin)而输出(chu)级(ji)(ji)同(tong)样不(bu)会(hui)产(chan)生开关失(shi)真和交越失(shi)真。

3、MOS管的线性(xing)比晶体管好(hao)。

功率放大电路的设计

功(gong)率(lv)放大(da)电(dian)路往(wang)往(wang)要求其驱动负载的(de)能(neng)力较(jiao)强，从能(neng)量控制和转换的(de)角度来看，功(gong)率(lv)放大(da)电(dian)路与其它放大(da)电(dian)路在(zai)(zai)本质上(shang)没有(you)根本的(de)区(qu)别，只是(shi)功(gong)放既不是(shi)单纯追求输出(chu)高电(dian)压(ya)，也不是(shi)单纯追求输出(chu)大(da)电(dian)流，而是(shi)追求在(zai)(zai)电(dian)源电(dian)压(ya)确(que)定的(de)情况下，输出(chu)尽可能(neng)大(da)的(de)功(gong)率(lv)。

本(ben)电(dian)路(lu)采用(yong)两个MOS管构成的功(gong)率放大电(dian)路(lu)，其电(dian)路(lu)如下(xia)图(tu)所示。

此电(dian)路(lu)分别采用一个(ge)N沟(gou)道和(he)一个(ge)P沟(gou)道场效应管对接而成，其中RP2和(he)RP3为(wei)(wei)偏置电(dian)阻，用来调节电(dian)路(lu)的(de)静态(tai)工作点。特征频率fT放大(da)电(dian)路(lu)上限(xian)频率fH的(de)关(guan)系为(wei)(wei)：fT≈fhβh，系统阶(jie)跃相应的(de)上升时(shi)间tr与放大(da)电(dian)路(lu)上限(xian)频率的(de)关(guan)系为(wei)(wei)：trfh=0.35。

对于OCL放(fang)(fang)大器来说，一(yi)般有：PTM≈0.2POM，其中PIM为单管的(de)最大管耗(hao)，POM为最大不(bu)失真输出(chu)管耗(hao)。根据计算(suan)，并考虑到项目要求，本(ben)设计选用IRF950和(he)IRF50来实现功率放(fang)(fang)大。

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