如何区分场(chang)(chang)效应管(guan)的三(san)个极(ji)-场(chang)(chang)效应管(guan)极(ji)性判断(duan)方法(fa)详解(jie)-KIA MOS管(guan)

信息来源(yuan)：本站　日期：2019-06-06　

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场效应管,场效应管极

场效应管极是如何区分的

1.判断栅极(ji)G

MOS驱(qu)动器主要(yao)起波形整形和加(jia)强驱(qu)动的(de)作(zuo)用:假如(ru)MOS管的(de)G信号波形不够陡峭(qiao)，在点(dian)评切换阶段会造(zao)成大量电(dian)能损耗(hao)其副作(zuo)用是降低电(dian)路转换效率，MOS管发烧严峻，易(yi)热损坏(huai)MOS管GS间(jian)存在一定电(dian)容(rong)，假如(ru)G信号驱(qu)动能力不够，将严峻影响波形跳变的(de)时(shi)间(jian).

将G-S极短路，选(xuan)择(ze)万用表(biao)的R×1档，黑(hei)表(biao)笔接S极，红(hong)表(biao)笔接D极，阻值应为(wei)(wei)几欧(ou)至十几欧(ou)。若发(fa)现某脚(jiao)(jiao)与其字两脚(jiao)(jiao)的电阻均呈无限大，并且交换表(biao)笔后仍为(wei)(wei)无限大，则证实此脚(jiao)(jiao)为(wei)(wei)G极，由于它和另外两个管(guan)脚(jiao)(jiao)是绝缘的。

2.判断源极S、漏极D

将万用表(biao)(biao)拨至R×1k档(dang)分别(bie)丈量三个管(guan)脚(jiao)之间的(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)。用交换表(biao)(biao)笔(bi)(bi)法(fa)测两(liang)次(ci)电(dian)阻(zu)(zu)，其(qi)中电(dian)阻(zu)(zu)值较低（一般为(wei)几千欧(ou)至十(shi)几千欧(ou)）的(de)(de)一次(ci)为(wei)正(zheng)向电(dian)阻(zu)(zu)，此时黑表(biao)(biao)笔(bi)(bi)的(de)(de)是S极(ji)，红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接D极(ji)。因为(wei)测试前提不(bu)同(tong)，测出(chu)的(de)(de)RDS（on）值比手册中给出(chu)的(de)(de)典型值要高一些(xie)。

3.丈(zhang)量漏-源通态电阻RDS（on）

在源-漏之(zhi)间有一(yi)个PN结，因此根据(ju)PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型(xing)万用表R×1档实测一(yi)只IRFPC50型(xing)VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型(xing)值）。

场效应管,场效应管极

场效应结构及原理

1、场效应(ying)(ying)管（FET）以(yi)其高输入电(dian)阻、低噪、热稳定(ding)、便于集(ji)成的优点(dian)在(zai)电(dian)子电(dian)路(lu)以(yi)及(ji)大(da)电(dian)流、大(da)电(dian)压电(dian)路(lu)中应(ying)(ying)用十分普遍；正确使用、判别场效应(ying)(ying)管的管脚(jiao)、极性十分必要；

2、同三极(ji)(ji)管(guan)一(yi)样，要熟练判别(bie)场效应管(guan)的管(guan)脚、极(ji)(ji)性必须先了(le)解一(yi)下其结构、原理(li)；

3、场效(xiao)应管的管脚有(you)栅(zha)极(ji)G、漏极(ji)D、源(yuan)极(ji)S三(san)个电极(ji)（双栅(zha)极(ji)管具有(you)四个电极(ji)）；

4、场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)按结构分(fen)(fen)结型(xing)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)（JFET）、绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)（MOS），绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)又分(fen)(fen)增强型(xing)和耗尽型(xing)；结型(xing)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)“结”指的(de)(de)是pn结，绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅场(chang)(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅指的(de)(de)是栅极与源极、漏极之(zhi)间(jian)有一层sio2绝(jue)缘(yuan)(yuan)层，它们之(zhi)间(jian)没有导通连接关系。

5、按导电沟道(dao)性质，结型(xing)(xing)场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)和绝缘栅场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)又分电子型(xing)(xing)（n）沟道(dao)、空穴型(xing)(xing)（p）沟道(dao)，这是场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)导电的通道(dao)；

6、场效应管属(shu)于单极性(xing)晶(jing)体(ti)管，三极管属(shu)于双(shuang)极性(xing)晶(jing)体(ti)管，也即(ji)前者仅仅由(you)一种(zhong)载流子导电，后(hou)者是(shi)由(you)两种(zhong)载流子导电；

7、场效应管(guan)(guan)属于压控(kong)(kong)型晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)，通(tong)过栅极(ji)与源(yuan)极(ji)之间的(de)电(dian)压的(de)变化(hua)，来改(gai)变沟道的(de)导电(dian)能力；三极(ji)管(guan)(guan)属于电(dian)流控(kong)(kong)制型晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)，通(tong)过电(dian)流的(de)变化(hua)改(gai)变集(ji)电(dian)极(ji)电(dian)流大小。

结型场效应管结构

场效应管,场效应管极

1.漏极D和源极S之(zhi)间的(de)(de)半(ban)(ban)导(dao)体类型(xing)是相(xiang)同(tong)的(de)(de)，也即同(tong)是p型(xing)或n型(xing)半(ban)(ban)导(dao)体，它们之(zhi)间的(de)(de)正反向电阻是相(xiang)等(deng)的(de)(de)，并且阻值比较小；

2.栅极(ji)G连接(jie)半(ban)导体(ti)类(lei)(lei)型(xing)与漏极(ji)D、源(yuan)极(ji)S连接(jie)的(de)半(ban)导体(ti)类(lei)(lei)型(xing)总是不同的(de)；

3.栅极G与漏极、源极之间有(you)pn结(jie)，pn结(jie)的正向电阻小，反(fan)向电阻大；结(jie)型场效应管工(gong)作(zuo)原理：在栅极(ji)与源(yuan)极(ji)上加上反向电(dian)压后，pn结(jie)厚度会发生变化，从而改变了导电(dian)沟道的(de)导电(dian)能(neng)力(li)；

绝缘栅场效应管结构

场效应管,场效应管极

（一）增(zeng)强型MOS管从(cong)结构(gou)上(shang)看

1.栅极G与漏(lou)极D、源极S之间相绝缘，它们之间的(de)电阻(zu)无(wu)限大；

2.没有(you)外加电压时漏极(ji)与源极(ji)之(zhi)间不(bu)导通；增(zeng)强型(xing)NMOS管是(shi)以P型(xing)硅片作为(wei)基片（又称衬底(di)），漏极(ji)(ji)连接的(de)为(wei)N半导体，衬底(di)与源极(ji)(ji)连在一起(qi)，故P型(xing)衬底(di)与漏极(ji)(ji)N型(xing)半导体会形成二(er)极(ji)(ji)管，称为(wei)寄生(sheng)二(er)极(ji)(ji)管；因此(ci)漏极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)之间的(de)反向电阻很小。

增强型MOS管工(gong)作原理(li)：在栅(zha)极(ji)与(yu)源极(ji)之(zhi)间加上正向电(dian)(dian)压后，达到一定(ding)值后就会形(xing)成导电(dian)(dian)沟(gou)道，改(gai)变(bian)电(dian)(dian)压就改(gai)变(bian)了导电(dian)(dian)沟(gou)道的宽度和导电(dian)(dian)能力；

（二）耗尽(jin)型MOS管从(cong)结构(gou)上看

1.栅极与漏极、源(yuan)极绝(jue)缘，它们之间的(de)电阻无限(xian)大(da)；

2.漏极与源极之间能(neng)够导通，沟(gou)道在制(zhi)造时就已形成；在栅极(ji)与源(yuan)极(ji)之间(jian)加上反向(xiang)向(xiang)电压(ya)后，改变(bian)电压(ya)就(jiu)改变(bian)了导电沟道的(de)宽度和导电能力；

场效应管极的检测方法

一、结型场效应管

结型(xing)场(chang)效应管的(de)(de)漏极(ji)和源极(ji)在制(zhi)造(zao)工艺上(shang)是对称(cheng)的(de)(de)，故两极(ji)可以(yi)互(hu)换，不(bu)影响正常工作；只需要判(pan)别栅极(ji)和沟道类型(xing)将万用表拨至R×100Ω档，测量场效(xiao)应管任意两个(ge)极之间的电阻，正反各一次，有以下几(ji)种情况：

1.若(ruo)两次测(ce)的(de)的(de)阻值相(xiang)同或相(xiang)近，则这两极是(shi)漏极D、源极S，剩下的(de)就是(shi)栅(zha)极；然(ran)后红(hong)笔(bi)(bi)不(bu)动，黑(hei)(hei)笔(bi)(bi)接(jie)触栅(zha)极，若(ruo)阻值较大则测(ce)得的(de)为pn节反向电(dian)阻，黑(hei)(hei)笔(bi)(bi)接(jie)的(de)是(shi)n，红(hong)笔(bi)(bi)接(jie)的(de)是(shi)p，所(suo)以该管子为p沟(gou)道,反之(zhi)就是(shi)n沟(gou)道；

2.若两次测得的(de)(de)是(shi)一(yi)大一(yi)小，表明其中一(yi)个(ge)就(jiu)是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)，另(ling)一(yi)个(ge)就(jiu)是(shi)漏极(ji)(ji)或(huo)源(yuan)极(ji)(ji)。以阻值(zhi)小的(de)(de)那一(yi)次为(wei)(wei)准，红(hong)笔(bi)不动，黑(hei)笔(bi)接(jie)(jie)另(ling)一(yi)个(ge)极(ji)(ji)，如(ru)果阻值(zhi)小，并且与(yu)(yu)黑(hei)笔(bi)换极(ji)(ji)前(qian)测得的(de)(de)阻值(zhi)相等或(huo)相近，则(ze)红(hong)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)(de)是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)，且该(gai)管(guan)子为(wei)(wei)p沟道；如(ru)果测得的(de)(de)阻值(zhi)与(yu)(yu)黑(hei)笔(bi)换极(ji)(ji)前(qian)测得的(de)(de)阻值(zhi)有较大差距，则(ze)黑(hei)笔(bi)换极(ji)(ji)前(qian)接(jie)(jie)的(de)(de)是(shi)栅(zha)极(ji)(ji)，该(gai)管(guan)子为(wei)(wei)n沟道场效应管(guan)；或者直接任(ren)意测量两极之间的正反向电(dian)阻，遇到第(di)一种情(qing)况，即可(ke)判别栅极，这(zhei)种比较(jiao)简单。有(you)兴趣的朋(peng)友可以试(shi)测(ce)一下3DJ6结(jie)型场效应管，该(gai)管子(zi)为电(dian)子(zi)型导电(dian)沟道。

场效应管,场效应管极

二、绝缘栅场效应管

NMOS增强型管‘

1.电极检测

正常(chang)的增强型NMOS管的栅极(ji)(ji)与漏极(ji)(ji)、源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)间(jian)均(jun)(jun)无(wu)法导(dao)通，它们的正反向电阻均(jun)(jun)无(wu)穷大，在(zai)G极(ji)(ji)无(wu)电压时，DS之(zhi)(zhi)(zhi)间(jian)无(wu)沟道形成，但(dan)由于漏极(ji)(ji)源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)间(jian)存在(zai)一(yi)个反向寄生二极(ji)(ji)管，故漏极(ji)(ji)源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)间(jian)的反向电阻较小；选择R×1kΩ，测量各脚(jiao)之间的正反(fan)向电(dian)阻；当(dang)出现(xian)一次(ci)阻值(zhi)较小时，红笔接(jie)(jie)的是漏(lou)极(ji)，黑笔接(jie)(jie)的是源极(ji)，余下(xia)的引脚(jiao)就是栅极(ji)。

NMOS耗尽型管

基本过程同(tong)上(shang)，源极、漏极能够导通，但由于(yu)反(fan)向(xiang)寄生二极管的(de)存在，两次(ci)的(de)电阻(zu)是有差异的(de)。

场效应管,场效应管极