MOS管集成电路使用操作准则大全-MOS管集成电路分类与优点等知识详解

MOS管集成电路知识详解
（一）MOS管集成电路简介

MOS集(ji)(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路是以(yi)金属-氧化(hua)物-半(ban)(ban)导体(ti)(ti)（MOS）场(chang)(chang)效应晶体(ti)(ti)管为主(zhu)要元件构成(cheng)的集(ji)(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路 。简(jian)称MOSIC 。1964年(nian)研究出(chu)绝缘(yuan)栅场(chang)(chang)效应晶体(ti)(ti)管。直到1968年(nian)解决了MOS器件的稳定(ding)。MOS集(ji)(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路是一种常用(yong)的集(ji)(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路。最小单元是反相器，由(you)两只金属一氧化(hua)物-半(ban)(ban)导体(ti)(ti)场(chang)(chang)效应晶体(ti)(ti)管组成(cheng)。这种集(ji)(ji)(ji)成(cheng)工艺(yi)主(zhu)要用(yong)于数字(zi)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路的制造，电(dian)路集(ji)(ji)(ji)成(cheng)度可以(yi)很高(gao)。

（二）MOS管集成电路类型

1、按晶体(ti)管(guan)的沟(gou)道导电类(lei)型(xing)，可分为P沟(gou)MOSIC、N沟(gou)MOSIC以(yi)及(ji)将P沟(gou)和(he)N沟(gou)MOS晶体(ti)管(guan)结合成(cheng)一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和(he)CMOS集(ji)成(cheng)电路。

2、按栅极材料可分(fen)为铅栅、硅(gui)栅、硅(gui)化物(wu)栅和难熔金属(shu)（如(ru)钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以(yi)下(xia)）量(liang)级 。

（三）MOS管集成电路的优点

①制造结(jie)构简(jian)单，隔离方便。

②电路尺寸(cun)小、功耗低适于高密度集(ji)成。

③MOS管为双(shuang)向器件，设计灵(ling)活性(xing)高。

④具(ju)有动态工作独特(te)的能力。

⑤温度(du)特性好。其缺点是速(su)度(du)较(jiao)低(di)、驱动能力较(jiao)弱。一般认为MOS集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)功(gong)耗低(di)、集(ji)成度(du)高，宜用作数字(zi)(zi)集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)；双极型集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)则适用作高速(su)数字(zi)(zi)和模拟电(dian)(dian)路(lu)。

MOS管集成电路使用操作准则

由于不可避免的(de)(de)短(duan)时间操(cao)作(zuo)弓起(qi)的(de)(de)高静(jing)电(dian)电(dian)压(ya)(ya)放电(dian)现像，例如人(ren)在(zai)打腊地板(ban)上走动时会弓起(qi)高达(da)4KV-15KV的(de)(de)静(jing)电(dian)高压(ya)(ya)，此(ci)高压(ya)(ya)与环(huan)境湿度和(he)表面的(de)(de)条件有(you)关，因而(er)在(zai)使(shi)用CMOS管、NMOS管器件时必(bi)须(xu)遵(zun)守下(xia)列预(yu)防(fang)准(zhun)则:

1、不(bu)要超过手册上所列出(chu)的(de)(de)极限(xian)工作条件的(de)(de)限(xian)制(zhi)。

2、器件上所有(you)空闲的输入端(duan)必须(xu)接 VDD 或 VSS，并且要接触良好。

3、所有低阻抗设备（例如(ru)脉冲信(xin)号发生(sheng)器(qi)(qi)等(deng)）在接(jie)到 CMOS 或 NMOS 集成(cheng)电路输入端以前必然让器(qi)(qi)件(jian)先接(jie)通电源，同样设备与器(qi)(qi)件(jian)断开(kai)后(hou)器(qi)(qi)件(jian)才能(neng)断开(kai)电源。

4、包含(han)有 CMOS 和 NMOS 集成电(dian)路(lu)的(de)(de)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)电(dian)路(lu)板(ban)仅(jin)仅(jin)是一(yi)(yi)个器件(jian)的(de)(de)延(yan)(yan)伸，同样需要(yao)遵守操作(zuo)准(zhun)则。从印(yin)(yin)刷(shua)(shua)电(dian)路(lu)板(ban)边缘的(de)(de)接(jie)插(cha)件(jian)直接(jie)联线到器件(jian)也能引(yin)起器件(jian)损伤(shang)，必须避免一(yi)(yi)般的(de)(de)塑料包装，印(yin)(yin)刷(shua)(shua)电(dian)路(lu)板(ban)接(jie)插(cha)件(jian)上的(de)(de) CMOS 或 NMOS 集成电(dian)路(lu)的(de)(de)地(di)址输入端或输出端应当串(chuan)(chuan)联一(yi)(yi)个电(dian)阻(zu)，由(you)于这些(xie)串(chuan)(chuan)联电(dian)阻(zu)和输入电(dian)容的(de)(de)时(shi)间(jian)常数增加了(le)延(yan)(yan)迟时(shi)间(jian)。这个电(dian)阻(zu)将会限制由(you)于印(yin)(yin)刷(shua)(shua)电(dian)路(lu)板(ban)移动或与易产生(sheng)静(jing)电(dian)的(de)(de)材料接(jie)触所产生(sheng)的(de)(de)静(jing)电(dian)高压损伤(shang)。

5、所有(you)CMOS和NMOS集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)路的(de)储存和运(yun)输过程必须采用抗(kang)静(jing)电(dian)(dian)材料做成(cheng)的(de)容(rong)(rong)器，而不能(neng)按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的(de)托盘(pan)内，直到准备使(shi)用时才(cai)能(neng)从抗(kang)静(jing)电(dian)(dian)材料容(rong)(rong)器中取(qu)出(chu)来。

6、所有(you) CMOS 和 NMOS 集成(cheng)电(dian)路应当放置(zhi)在接(jie)地(di)良好的工(gong)作(zuo)台上，鉴于工(gong)作(zuo)人员(yuan)也能对工(gong)作(zuo)台产出静电(dian)放电(dian)，所以工(gong)作(zuo)人员(yuan)在操作(zuo)器件之前(qian)自身必须先接(jie)地(di)，为此建(jian)议(yi)工(gong)作(zuo)人员(yuan)要用牢(lao)固的导电(dian)带将手腕或(huo)肘部(bu)与工(gong)作(zuo)台表面连接(jie)良好。

7、尼龙(long)或其它易产生静(jing)电的材料不允许与CMOS和(he)NMOS 集成电路接(jie)触。

8、在(zai)(zai)自(zi)动(dong)化操作过程中，由(you)于器件(jian)的(de)(de)(de)运动(dong)，传送带(dai)的(de)(de)(de)运动(dong)和印刷电路(lu)板的(de)(de)(de)运动(dong)可能会产生很高的(de)(de)(de)静电压，因此要在(zai)(zai)车(che)间(jian)内(nei)使用(yong)电离空气鼓(gu)风机(ji)和增湿机(ji)使室内(nei)相对湿度(du)在(zai)(zai) 35% 以上，凡(fan)是能和集成(cheng)电路(lu)接触的(de)(de)(de)设备(bei)的(de)(de)(de)顶盖(gai)、底部、侧面(mian)部分(fen)均要采用(yong)接地的(de)(de)(de)金属或其它导电材料。

9、冷(leng)冻室要用二(er)氧化碳制(zhi)冷(leng)，并且要放置隔(ge)板(ban)，而器件(jian)必须放在导电材料的容器内。

10、需要扳直外(wai)引(yin)线(xian)和用手工(gong)焊接时，要采(cai)用手腕接地的措(cuo)施，焊料罐也要接地。

11、操作(zuo)人员使用棉织品手套(tao)而(er)不要用尼龙手套(tao)或橡胶手套(tao)。

12、在(zai)工作(zuo)区，禁止使用(yong)地毯。

联系方式：邹(zou)先生

联系电(dian)话：0755-83888366-8022

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