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功率(lv)(lv)场效(xiao)应(ying)晶(jing)体管(guan)（P-MOSFET）简称功率(lv)(lv)MOSFET，是(shi)使用大都载流子(zi)(zi)导(dao)电的半导(dao)体器材，且导(dao)通时(shi)只(zhi)要一种极(ji)(ji)性的载流子(zi)(zi)参加(jia)导(dao)电，是(shi)单极(ji)(ji)型晶(jing)体管(guan)。与使用少数载流子(zi)(zi)导(dao)电的双极(ji)(ji)型功率(lv)(lv)晶(jing)体管(guan)比较，功率(lv)(lv) MOSFET 只(zhi)靠单一载流子(zi)(zi)导(dao)电 ，不存(cun)在存(cun)储(chu)效(xiao)应(ying) ，因而其关断进程十分敏捷 ，其开(kai)(kai)关时(shi)间在 10 - 100ns 之(zhi)间 ，作业(ye)频(pin)率(lv)(lv)可达 100kHz以(yi)上，最高(gao)能(neng)够到达500kHz。功卒MOSFET、开(kai)(kai)关速度快，作业(ye)频(pin)率(lv)(lv)高(gao)，能(neng)够使高(gao)频(pin)率(lv)(lv)开(kai)(kai)关电源(yuan)(yuan)在设计(ji)时(shi)体积(ji)更小、质(zhi)量更轻，习惯(guan)开(kai)(kai)关电源(yuan)(yuan)小型化、高(gao)效(xiao)率(lv)(lv)化和高(gao)可靠性的开(kai)(kai)展请求 。

功率 MOSFET 按导电沟道分为N 沟道和IP 沟道两种 ，N沟迫的载梳子为空穴 ，P 沟道的载流子为电子 。其电气符号如图 5-16 所示 ，图中的MOS管三个极分别(bie)为 栅极(ji) G、漏(lou)极(ji) D、源极(ji) S。

常(chang)用的(de)(de)功(gong)率(lv)(lv) MOSFET  主要是 N 沟道增(zeng)强(qiang)型 。与通常(chang)小功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de)横向导电(dian)(dian)构(gou)造不(bu)间(jian) ，功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 大(da)多选用笔直(zhi)导电(dian)(dian)构(gou)造 ，然后提高了耐压(ya)和(he)耐电(dian)(dian)流(liu)(liu)才能 ，因(yin)(yin)而它(ta)又名VMOSFET。功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 是电(dian)(dian)压(ya)控制(zhi)型器材 ，在(zai)它(ta)的(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)间(jian)加(jia)一个 图5-16 功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de) 受控的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya) ，在(zai)漏极(ji)(ji)可获得(de)较(jiao)大(da)的(de)(de)电(dian)(dian)流(liu)(liu) 。功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)与源(yuan) 极(ji)(ji)在(zai)电(dian)(dian)气(qi)上是靠硅氧化层彼此(ci)阻隔的(de)(de) ，具有很高的(de)(de)输入(ru)阻抗 ，因(yin)(yin)而其驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)流(liu)(liu)很小 ，为 100nA 数量级 ，而输山电(dian)(dian)流(liu)(liu)可达数安(an)培至十几安(an)培 。功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 所需(xu)的(de)(de)驱动(dong)(dong)功(gong)率(lv)(lv)很小，因(yin)(yin) 此(ci)其对驱动(dong)(dong)电(dian)(dian)路的(de)(de)请求较(jiao)低。功(gong)率(lv)(lv) MOSFET 静态时(shi)简直(zhi)不(bu)需(xu)输入(ru)电(dian)(dian)流(liu)(liu) ，但(dan)在(zai)开关过科中帘对输 入(ru)电(dian)(dian)容充(chong) 、放电(dian)(dian)，因(yin)(yin)而它(ta)仍需(xu)定的(de)(de)驱动(dong)(dong)功(gong)率(lv)(lv)，且开关频率(lv)(lv)越(yue)高 ，所需(xu)求的(de)(de)驱动(dong)(dong)功(gong)率(lv)(lv)越(yue)大(da) 。

由于功率 MOSFET 具有(you)正(zheng)的温(wen)度系数，所以当有(you)限个管子直接并联时 ，能(neng)够(gou)自动均衡 电流，不(bu)会发(fa)生过热点 ，热稳定性好。

功率 MOSF'ET 具有驱动功率小 、作业频率高 、安全作业以宽 、元二次击穿等特点 。功 率 MOSFET 的导通压阵稍大 ，电流容量小，耐压低 （ 小于 1仪>OV ） ，通常只适用于中小功率开关管电源(yuan)，在中低斥、小电流(liu)、高频率范畴占用(yong)优势。现在，功率 MOSFET 的容量水平(ping)为(wei) 50A/500 V ，作业频率为(wei) 100kHz。

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