结(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应管（JFET）知识概述(shu)、工作特(te)性(xing)、结(jie)构与(yu)图(tu)形符号(hao)等(deng)解析(xi)-KIA MOS管

信息来源(yuan)：本站(zhan)　日期(qi)：2019-12-30　

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结型场效应管（JFET）知识概述、工作特性、结构与图形符号等解析

什么是结型场效应管（JFET）

结(jie)(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同(tong)一(yi)块N形半导(dao)体(ti)上制作两(liang)(liang)个高掺杂(za)的(de)P区，并将它们连接在一(yi)起，所引(yin)出的(de)电(dian)极称为(wei)栅极g，N型(xing)半导(dao)体(ti)两(liang)(liang)端分别引(yin)出两(liang)(liang)个电(dian)极，分别称为(wei)漏(lou)极d，源极s。结(jie)(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)是一(yi)种(zhong)具有放大功能的(de)三端有源器件(jian),是单极场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)中(zhong)最简单的(de)一(yi)种(zhong),它可以分N沟道(dao)或(huo)者P沟道(dao)两(liang)(liang)种(zhong)。

结型场效应管（JFET）的工作特性

对于耗尽型的(de)(de)JFET，在平衡时(不加电(dian)压(ya))时，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)电(dian)阻(zu)最(zui)小；电(dian)压(ya)Vds和(he)Vgs都可改变(bian)栅p-n结势垒的(de)(de)宽度，并因此(ci)改变(bian)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)长度和(he)厚度（栅极(ji)电(dian)压(ya)使(shi)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)厚度均匀变(bian)化(hua)，源漏电(dian)压(ya)使(shi)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)厚度不均匀变(bian)化(hua)），使(shi)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)电(dian)阻(zu)变(bian)化(hua)，从而导致Ids变(bian)化(hua)，以实现对输(shu)入(ru)信号的(de)(de)放大(da)。

当(dang)Vds较低时，JFET的(de)沟(gou)道呈现为电(dian)(dian)阻特性，是所谓(wei)电(dian)(dian)阻工(gong)作(zuo)区，这时漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)基本上随着电(dian)(dian)压Vds的(de)增大(da)而(er)线性上升，但漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)随着栅极(ji)电(dian)(dian)压Vgs的(de)增大(da)而(er)平方式增大(da)；进一(yi)步(bu)增大(da)Vds时，沟(gou)道即首(shou)先在漏极(ji)一(yi)端被夹(jia)(jia)断(duan)，则漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)达到最(zui)大(da)而(er)饱和(he)（饱和(he)电(dian)(dian)流(liu)(liu)搜大(da)小决定于没有(you)被夹(jia)(jia)断(duan)的(de)沟(gou)道的(de)电(dian)(dian)阻），这就是JFET的(de)饱和(he)放大(da)区，这时JFET呈现为一(yi)个恒流(liu)(liu)源。

JFET的(de)放大作用(yong)可用(yong)所(suo)谓跨导gm=δIds/δVgsS](Vds=常数(shu)) 来表示，要求跨导越大越好。