开关电源半导体芯片
信息来源:本站(zhan) 日期:2017-05-18
三端单片性能特(te)点
三端单片开关电源芯片是目前国际上正在流行的新型开关电源芯片。专业从事电源半导体芯片设计和生产的在世界率先研制成功的一端隔离式脉宽调制单片MOS开关电路集成电路,被誉为“顶级开关电源”。其第一代产品以1994年推出的TOP100/200系列为代表,第二代产品则是1997年问世TOPSwitch-Ⅱ。TOPSwitch-Ⅱ与第一代产品相比,不仅在性能上有进一步的改进,而且其输出功率得到了显著提高,现已成为国际上开发中、小功率开关电源及电源模块的优选MOS集成电路。
TOPSwitch-Ⅱ芯(xin)片(pian)(pian)有(you)显(xian)著的(de)优(you)点:①由于高压(ya)(ya)MOSFETPWM及驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)等(deng)集(ji)成在一个(ge)芯(xin)片(pian)(pian)里,大大提(ti)高了(le)(le)电(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)集(ji)成度,所以用(yong)该芯(xin)片(pian)(pian)设计的(de)开关电(dian)(dian)(dian)源(yuan),外接元器件少,可(ke)降低(di)成本,缩小体(ti)积,提(ti)高可(ke)靠(kao)性;②内(nei)置(zhi)高压(ya)(ya)MOSFET,寄生电(dian)(dian)(dian)容小,可(ke)减少交(jiao)流(liu)损耗(hao);内(nei)置(zhi)的(de)启动(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)和(he)电(dian)(dian)(dian)流(liu)限制(zhi)(zhi)减少了(le)(le)直流(liu)损耗(hao),加上CMOS的(de)PWM控制(zhi)(zhi)器及驱(qu)动(dong)器功耗(hao)也只有(you)6mW,因此(ci)有(you)效地降低(di)了(le)(le)总(zong)功耗(hao),提(ti)高了(le)(le)效率;③电(dian)(dian)(dian)路(lu)设计简单,只有(you)三个(ge)功能引脚,分别是(shi)源(yuan)极(ji)、漏极(ji)和(he)控制(zhi)(zhi)极(ji);MOSFET的(de)耐压(ya)(ya)高达700V,因此(ci)220V交(jiao)流(liu)电(dian)(dian)(dian)经整流(liu)滤波后,可(ke)直接供给该电(dian)(dian)(dian)路(lu)使(shi)用(yong);④芯(xin)片(pian)(pian)内(nei)部具有(you)完善的(de)自(zi)动(dong)保(bao)护(hu)电(dian)(dian)(dian)路(lu),包括(kuo)输(shu)入欠压(ya)(ya)保(bao)护(hu)、输(shu)出过(guo)流(liu)、过(guo)热保(bao)护(hu)及自(zi)动(dong)再启动(dong)功能。
TOPSwitch - II系列(lie)芯片(pian)的管脚排列(lie)和(he)封(feng)装(zhuang)
TOPSwitch -Ⅱ系列芯片有三种封装形式:TO - 220型、DIP -8型和SMD -8型。其中最常见的为三引脚的TO - 220封装,如图(tu)1-12所示。
(2)源(yuan)极S:在TO - 220封装中,它既是MOSFET的(de)源(yuan)极接点(dian)(dian),也是开(kai)关电源(yuan)初级回路的(de)公共点(dian)(dian)和参考(kao)点(dian)(dian)。
(3)漏(lou)极D:MOSFET的漏(lou)极接入点。在启(qi)动时,它提供内(nei)部偏置电流。
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