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导通瞬间基极驱动

信息来源:本站 日期:2017-05-18 

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导(dao)通(tong)(tong)瞬间(jian)基极(ji)过驱动峰(feng)值(zhi)输入(ru)电流(liu)/bl为(wei)了保(bao)证迅速导(dao)通(tong)(tong)集电极(ji)电流(liu),需要(yao)有一个持续时(shi)间(jian)很(hen)短且峰(feng)值(zhi)约为(wei)导(dao)通(tong)(tong)期间(jian)平(ping)均值(zhi)2~3倍的基极(ji)尖峰(feng)电流(liu)供给基极(ji)。该尖峰(feng)的持续时(shi)间(jian)仅为(wei)最小导(dao)通(tong)(tong)时(shi)间(jian)的2%-3%,如图(tu)8.2  (a )所(suo)示。


图 8.2  (b)给出了这种 “ 导通过MOS管驱动” 效应的图示。如果对导速度没有要求,则为了 获得要求的集电极电流 ( Ic1) 所需要的基极输入电流 ( /bl ) 只要满足将电压 Vee降低到集电极负载线和lc/Vce曲线的交点处的饱和电压Vce(at)的水平上就可以了。在满足上面要求的/bl的作用下,集电极电流将以某个时间常数ta呈指数上升,并且在3ta的时间内进入 lci5%的范围内。


然而(er)(er),若基极(ji)(ji)电流(liu)为2Ib1(过驱动(dong)系(xi)数(shu)为2),集电极(ji)(ji)电流(liu)将(jiang)迅(xun)速上(shang)(shang)升,直(zhi)至(zhi)2/cl.如果没有电源电压和(he)(he)负载阻抗(kang)的(de)(de)限(xian)制,它(ta)将(jiang)在相同的(de)(de)时间3ta后达(da)到(dao)2Ic1。但由于(yu)集电极(ji)(ji)电流(liu)受电源电压和(he)(he)负载阻抗(kang)的(de)(de)限(xian)制,它(ta)只能达(da)到(dao)lci.因(yin)此集电极(ji)(ji)电流(liu)仅需要0.69儿ta的(de)(de)时间内达(da)到(dao)期望值(zhi)lci,而(er)(er)非3ta.类似地,如果过驱动(dong)系(xi)数(shu)为3(/b=3/b1),则集电极(ji)(ji)电流(liu)会(hui)迅(xun)速上(shang)(shang)升,直(zhi)到(dao)接近于(yu) 3lc1 。

如果没有(you)负(fu)载阻抗和电(dian)源电(dian)压(ya)的限制,将在(zai)相(xiang)同的时间(jian)3ta 后达(da)到(dao) 3Ic1。但事实上集电(dian)极电(dian) 流受(shou)到(dao)限制,它(ta)只能达(da)到(dao) lcl。因此(ci)集电(dian)极电(dian)流是(shi)在(zai) 0.4ta 时间(jian)内达(da)到(dao)期望(wang)值(zhi) lc1的,而非3ta为(wei)加速晶(jing)体(ti)管(guan)的导通,过驱动系数(shu)(shu)通常选(xuan)为(wei)2-3。这个过驱动系数(shu)(shu)用(yong)于具有(you)典型B值(zhi)的晶(jing)体(ti)管(guan)。B值(zhi)低的晶(jing)体(ti)管(guan)速度很快(kuai),不需(xu)要高的过驱动系数(shu)(shu)。而B值(zhi)高的晶(jing)体(ti)管(guan)速度慢,其相(xiang) 应(ying)的过驱动系数(shu)(shu)大(da)约为(wei)典型B值(zhi)晶(jing)体(ti)管(guan)的两倍。



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