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导(dao)通(tong)瞬间(jian)基(ji)(ji)极(ji)过驱动(dong)峰(feng)值(zhi)输入电(dian)(dian)流／bl为(wei)了保证迅速导(dao)通(tong)集电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)流，需(xu)要(yao)有一个持续(xu)时(shi)(shi)间(jian)很短且峰(feng)值(zhi)约为(wei)导(dao)通(tong)期间(jian)平均(jun)值(zhi)2～3倍的基(ji)(ji)极(ji)尖峰(feng)电(dian)(dian)流供给(ji)基(ji)(ji)极(ji)。该(gai)尖峰(feng)的持续(xu)时(shi)(shi)间(jian)仅为(wei)最小导(dao)通(tong)时(shi)(shi)间(jian)的2%-3%，如图8.2  (a )所(suo)示(shi)。

图 8.2  (b)给出了这种 “ 导通过MOS管驱动” 效应的图示。如果对导速度没有要求，则为了 获得要求的集电极电流 （ Ic1） 所需要的基极输入电流 （ ／bl ） 只要满足将电压 Vee降低到集电极负载线和lc/Vce曲线的交点处的饱和电压Vce(at)的水平上就可以了。在满足上面要求的／bl的作用下，集电极电流将以某个时间常数ta呈指数上升，并且在3ta的时间内进入 lci5%的范围内。

然而，若基极电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)为2Ib1（过(guo)驱(qu)动系(xi)数为2），集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)将(jiang)迅速上(shang)升，直至2/cl.如果没有电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)和(he)负(fu)载阻(zu)抗的(de)(de)限制，它将(jiang)在相同的(de)(de)时间3ta后(hou)达到2Ic1。但由于集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)受电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)和(he)负(fu)载阻(zu)抗的(de)(de)限制，它只能达到lci.因(yin)此集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)仅需要0.69儿ta的(de)(de)时间内达到期望值lci，而非3ta.类似地，如果过(guo)驱(qu)动系(xi)数为3(/b=3/b1），则集(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)会迅速上(shang)升，直到接近于 3lc1 。

如果没有负载阻抗和电源(yuan)电压(ya)的(de)(de)(de)限制(zhi)，将(jiang)在相同的(de)(de)(de)时(shi)间3ta 后(hou)达到 3Ic1。但事实上集电极(ji)电 流受(shou)到限制(zhi)，它只能达到 lcl。因(yin)此(ci)集电极(ji)电流是在 0.4ta 时(shi)间内达到期望(wang)值(zhi) lc1的(de)(de)(de)，而非3ta为(wei)加速晶体管(guan)(guan)的(de)(de)(de)导通(tong)，过驱动(dong)(dong)系(xi)数(shu)通(tong)常选为(wei)2-3。这个(ge)过驱动(dong)(dong)系(xi)数(shu)用于具有典型B值(zhi)的(de)(de)(de)晶体管(guan)(guan)。B值(zhi)低(di)的(de)(de)(de)晶体管(guan)(guan)速度很快，不(bu)需要高(gao)的(de)(de)(de)过驱动(dong)(dong)系(xi)数(shu)。而B值(zhi)高(gao)的(de)(de)(de)晶体管(guan)(guan)速度慢，其相 应的(de)(de)(de)过驱动(dong)(dong)系(xi)数(shu)大约(yue)为(wei)典型B值(zhi)晶体管(guan)(guan)的(de)(de)(de)两倍。

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