电路板上mos管好坏判断-MOS管引脚功能好坏判断详解

电(dian)路板上mos管(guan)(guan)(guan)好坏判(pan)(pan)断，主要是(shi)(shi)(shi)用(yong)指针(zhen)式(shi)万(wan)用(yong)表对MOS管(guan)(guan)(guan)进(jin)行判(pan)(pan)别。本(ben)文将会从5点来解(jie)析。MOS管(guan)(guan)(guan)是(shi)(shi)(shi)金属—氧化物(wu)-半(ban)导体(ti)场效应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)，或者称(cheng)是(shi)(shi)(shi)金属—绝缘(yuan)体(ti)—半(ban)导体(ti)。MOS管(guan)(guan)(guan)的source和drain是(shi)(shi)(shi)可以(yi)对调的，他们都(dou)是(shi)(shi)(shi)在P型(xing)backgate中形成的N型(xing)区(qu)。在多数情(qing)况下(xia)，这个(ge)两个(ge)区(qu)是(shi)(shi)(shi)一样的，即使两端对调也不(bu)会影响器(qi)件的性能。这样的器(qi)件被认为是(shi)(shi)(shi)对称(cheng)的。双极型(xing)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)把(ba)输入端电(dian)流的微小变(bian)化放大(da)后，在输出(chu)端输出(chu)一个(ge)大(da)的电(dian)流变(bian)化。

（一）用测电阻法判别结型场效应管的电极

电(dian)路板上mos管好坏判断，根据场效(xiao)应(ying)管的PN结正、反向电(dian)阻值不一样的现象，可以判别(bie)出结型场效(xiao)应(ying)管的三个电(dian)极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，分别(bie)测出(chu)其正、反(fan)向电(dian)(dian)阻值(zhi)。当某两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)的正、反(fan)向电(dian)(dian)阻值(zhi)相(xiang)等，且(qie)为几千欧(ou)姆时，则该两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)分别(bie)是漏极(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)S。因(yin)为对(dui)结型场(chang)效应(ying)管而言，漏极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)可(ke)互换，剩(sheng)下的电(dian)(dian)极(ji)(ji)肯定是栅极(ji)(ji)G。也(ye)(ye)可(ke)以将万用表的黑表笔(红表笔也(ye)(ye)行)任意接触一个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，另一只(zhi)表笔依(yi)次去接触其余的两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)，测其电(dian)(dian)阻值(zhi)。

当出现两(liang)(liang)(liang)次测得的电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)近似相(xiang)等(deng)时，则黑表(biao)(biao)笔所接触的电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)为(wei)栅(zha)极(ji)(ji)，其余两(liang)(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)分别为(wei)漏极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)。若(ruo)两(liang)(liang)(liang)次测出的电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)均(jun)很大，说明是(shi)(shi)(shi)PN结(jie)的反向(xiang)(xiang)，即都是(shi)(shi)(shi)反向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，可以判定是(shi)(shi)(shi)N沟(gou)道场效应管，且黑表(biao)(biao)笔接的是(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)(ji);若(ruo)两(liang)(liang)(liang)次测出的电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)均(jun)很小，说明是(shi)(shi)(shi)正向(xiang)(xiang)PN结(jie)，即是(shi)(shi)(shi)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)，判定为(wei)P沟(gou)道场效应管，黑表(biao)(biao)笔接的也是(shi)(shi)(shi)栅(zha)极(ji)(ji)。

（二）用测电阻法判别场效应管的好坏

测(ce)电阻法检测(ce)MOS管(guan)是用万用表(biao)测(ce)量场效应管(guan)的(de)源(yuan)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)G1与(yu)栅(zha)极(ji)(ji)G2之间的(de)电阻值同(tong)场效应管(guan)手(shou)册标明的(de)电阻值是否相符去判(pan)别管(guan)的(de)好坏。

具体方(fang)法：首(shou)先将(jiang)万用表置(zhi)于(yu)R×10或R×100档(dang)(dang)，测量源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D之间的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)，通常(chang)在几(ji)十欧到几(ji)千欧范(fan)围(在手(shou)册中可知，各种不同型(xing)号的(de)(de)管(guan)(guan)，其电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)各不相同的(de)(de))，如(ru)果测得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)大于(yu)正(zheng)常(chang)值(zhi)(zhi)，可能是(shi)(shi)由于(yu)内(nei)部接触不良;如(ru)果测得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)无穷(qiong)大，可能是(shi)(shi)内(nei)部断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。然后把万用表置(zhi)于(yu)R×10k档(dang)(dang)，再测栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)G2之间、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之间的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)，当测得(de)其各项电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)均为无穷(qiong)大，则说明管(guan)(guan)是(shi)(shi)正(zheng)常(chang)的(de)(de);若测得(de)上述(shu)各阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)太小或为通路，则说明管(guan)(guan)是(shi)(shi)坏(huai)的(de)(de)。要注意，若两个栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)在管(guan)(guan)内(nei)断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，可用元(yuan)件(jian)代换法进行检测。

（三）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具(ju)体(ti)方法：用万用表(biao)(biao)电(dian)(dian)(dian)阻的R×100档，红(hong)表(biao)(biao)笔接源(yuan)极(ji)S，黑表(biao)(biao)笔接漏(lou)极(ji)D，给场效应管(guan)(guan)加(jia)上1.5V的电(dian)(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)(dian)压(ya)，此(ci)时表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)指示出的漏(lou)源(yuan)极(ji)间的电(dian)(dian)(dian)阻值。然(ran)后用手(shou)捏住结(jie)型场效应管(guan)(guan)的栅极(ji)G，将人体(ti)的感应电(dian)(dian)(dian)压(ya)信号加(jia)到栅极(ji)上。这(zhei)样，由(you)于管(guan)(guan)的放大作用，漏(lou)源(yuan)电(dian)(dian)(dian)压(ya)VDS和漏(lou)极(ji)电(dian)(dian)(dian)流Ib都要发(fa)(fa)生(sheng)变化，也就是漏(lou)源(yuan)极(ji)间电(dian)(dian)(dian)阻发(fa)(fa)生(sheng)了(le)变化，由(you)此(ci)可(ke)以观(guan)察到表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)有较大幅度(du)的摆(bai)动(dong)。如果手(shou)捏栅极(ji)表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)较小(xiao)，说明(ming)管(guan)(guan)的放大能(neng)力较差;表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)摆(bai)动(dong)较大，表(biao)(biao)明(ming)管(guan)(guan)的放大能(neng)力大;若表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)不动(dong)，说明(ming)管(guan)(guan)是坏的。

根(gen)据(ju)上述方(fang)法，我们(men)用(yong)万用(yong)表(biao)的(de)(de)R×100档，测(ce)结型场效(xiao)应管(guan)3DJ2F。先(xian)将管(guan)的(de)(de)G极(ji)开路，测(ce)得漏源电阻(zu)RDS为(wei)600Ω，用(yong)手捏住(zhu)G极(ji)后，表(biao)针向左摆动，指示的(de)(de)电阻(zu)RDS为(wei)12kΩ，表(biao)针摆动的(de)(de)幅度较(jiao)大(da)，说明该管(guan)是好的(de)(de)，并有较(jiao)大(da)的(de)(de)放大(da)能力。

（四）用测电阻法判别无标志的场效应管

首先(xian)用测(ce)(ce)量电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)方(fang)法(fa)检测(ce)(ce)MOS管(guan)得找出(chu)两个有(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值的(de)(de)管(guan)脚，也就是(shi)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S和漏极(ji)(ji)(ji)D，余下(xia)(xia)两个脚为第(di)一(yi)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)G1和第(di)二栅(zha)极(ji)(ji)(ji)G2。把(ba)先(xian)用两表(biao)(biao)笔(bi)(bi)测(ce)(ce)的(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S与漏极(ji)(ji)(ji)D之间的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值记下(xia)(xia)来，对调表(biao)(biao)笔(bi)(bi)再测(ce)(ce)量一(yi)次(ci)，把(ba)其测(ce)(ce)得电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值记下(xia)(xia)来，两次(ci)测(ce)(ce)得阻(zu)值较大(da)的(de)(de)一(yi)次(ci)，黑表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)为漏极(ji)(ji)(ji)D;红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接的(de)(de)为源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S。用这种(zhong)方(fang)法(fa)判别(bie)出(chu)来的(de)(de)S、D极(ji)(ji)(ji)，还可以用估测(ce)(ce)其管(guan)的(de)(de)放大(da)能力的(de)(de)方(fang)法(fa)进行验(yan)证(zheng)，即放大(da)能力大(da)的(de)(de)黑表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接的(de)(de)是(shi)D极(ji)(ji)(ji);红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所接地是(shi)8极(ji)(ji)(ji)，两种(zhong)方(fang)法(fa)检测(ce)(ce)结果均应(ying)一(yi)样(yang)。当(dang)确(que)定了(le)(le)漏极(ji)(ji)(ji)D、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S的(de)(de)位(wei)置(zhi)后，按(an)D、S的(de)(de)对应(ying)位(wei)置(zhi)装人电(dian)(dian)(dian)(dian)路，一(yi)般(ban)G1、G2也会依(yi)次(ci)对准位(wei)置(zhi)，这就确(que)定了(le)(le)两个栅(zha)极(ji)(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)位(wei)置(zhi)，从而(er)就确(que)定了(le)(le)D、S、G1、G2管(guan)脚的(de)(de)顺序。

（五）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOS管(guan)N沟道增强型场效应(ying)管(guan)测量(liang)跨导性能时，可(ke)用(yong)红表笔(bi)接源极(ji)S、黑表笔(bi)接漏(lou)(lou)极(ji)D，这(zhei)就相当于在源、漏(lou)(lou)极(ji)之(zhi)间(jian)加了(le)一(yi)个反(fan)(fan)向电(dian)压(ya)。此时栅极(ji)是开路的(de)，管(guan)的(de)反(fan)(fan)向电(dian)阻值(zhi)是很(hen)(hen)不(bu)稳定的(de)。将万用(yong)表的(de)欧姆档选在R×10kΩ的(de)高(gao)阻档，此时表内电(dian)压(ya)较高(gao)。当用(yong)手接触栅极(ji)G时，会发(fa)现管(guan)的(de)反(fan)(fan)向电(dian)阻值(zhi)有明(ming)显地变化，其变化越(yue)大，说明(ming)管(guan)的(de)跨导值(zhi)越(yue)高(gao);如果被测管(guan)的(de)跨导很(hen)(hen)小，用(yong)此法测时，反(fan)(fan)向阻值(zhi)变化不(bu)大。

MOS管引脚如何快速判断与好坏及引脚性能

1、用10K档，内有15伏(fu)电(dian)(dian)池(chi)。可提供(gong)导通电(dian)(dian)压(ya)。

2、因为栅(zha)极等效于电容(rong)，与任(ren)何脚不通，不论(lun)N管或P管都(dou)很容(rong)易(yi)找(zhao)出栅(zha)极来，否则(ze)是坏管。

3、利(li)用表笔对栅(zha)源间正向或反(fan)向充电，可(ke)使(shi)漏源通或断，且由于栅(zha)极上电荷能保持，上述两步可(ke)分先后，不必同(tong)步，方(fang)便。但要放(fang)电时(shi)需短路管脚或反(fan)充。

4、大都源漏间(jian)有反并二极(ji)管，应(ying)注意，及(ji)帮助判断。

5、大都封庄为字面对(dui)自已(yi)时，左栅中(zhong)漏右源。以上前三点必需掌握，后两点灵(ling)活(huo)运用(yong)，很快就能判管(guan)脚，分好坏。

如果对新(xin)拿(na)到(dao)的不明(ming)MOS管(guan)，可以(yi)通过测定(ding)来判断脚极(ji)，只有准(zhun)确判定(ding)脚的排列，才能正确使(shi)用。

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