场效应晶体管的几点使用知识及四大注意事项分析

我(wo)们常接触到晶(jing)体(ti)三级管(guan)，对它的使用也(ye)比较熟悉(xi)，相(xiang)对来(lai)说(shuo)对晶(jing)体(ti)场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)就陌生一点，但是，由(you)于场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)有其独(du)特的优(you)点，例(li)输入阻抗(kang)高，噪声低(di)，热稳定性好等，在我(wo)们的使用中也(ye)是屡见不(bu)鲜。我(wo)们知道场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(guan)的种(zhong)类很多，根据(ju)结构不(bu)同分为(wei)结型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)和绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)；绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)型场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)又称为(wei)金(jin)属氧化物导体(ti)场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)，或简称MOS场(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)。

（一）如何防止绝缘栅型场效应管击穿

由于(yu)绝缘(yuan)(yuan)栅场效应(ying)管(guan)的(de)输(shu)入(ru)阻(zu)抗非常高，这本来是它的(de)优(you)点，但在使用上却带来新的(de)问题．由于(yu)输(shu)入(ru)阻(zu)抗高，当带电(dian)(dian)(dian)荷物体一旦靠(kao)近栅极(ji)(ji)时，在栅极(ji)(ji)感应(ying)出来的(de)电(dian)(dian)(dian)荷就(jiu)很(hen)(hen)难(nan)通(tong)过这个电(dian)(dian)(dian)阻(zu)泄放(fang)掉(diao)，电(dian)(dian)(dian)荷的(de)累积造成了电(dian)(dian)(dian)压的(de)升(sheng)高，尤其是在极(ji)(ji)间电(dian)(dian)(dian)容比较(jiao)小(xiao)的(de)情况本下，少量的(de)电(dian)(dian)(dian)荷就(jiu)会(hui)产生较(jiao)高的(de)电(dian)(dian)(dian)压，以(yi)至管(guan)子还(hai)没使用或者在焊接时就(jiu)已经击穿或者出现(xian)(xian)指标(biao)下降的(de)现(xian)(xian)象，特别是MOS管(guan)，其绝缘(yuan)(yuan)层很(hen)(hen)薄，更易击穿损坏(huai)。为了避(bi)免出现(xian)(xian)这样(yang)的(de)事故，关键在于(yu)避(bi)免栅极(ji)(ji)悬空，也就(jiu)是在栅源两极(ji)(ji)之(zhi)间必(bi)须保(bao)持直流(liu)通(tong)路(lu)。

通(tong)常是在栅源两极之间接一(yi)个电(dian)阻（100K以(yi)内），使累(lei)积电(dian)荷不致过(guo)多，或者接一(yi)个稳(wen)压(ya)管，使电(dian)压(ya)不致超过(guo)某一(yi)数值(zhi)。在保存时应(ying)使3个电(dian)极短路，并放在屏蔽(bi)的(de)(de)金属盒内；把(ba)管子焊(han)(han)到(dao)电(dian)路上或取下来(lai)时，也(ye)应(ying)该先将(jiang)各个电(dian)极短路；安装测试时所用的(de)(de)烙铁仪(yi)器等要有良好的(de)(de)接地，最好拔掉电(dian)烙铁的(de)(de)电(dian)源再进(jin)行焊(han)(han)接。

（二）怎样判断结型场效应管的电极

将万用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于(yu)RX1K挡，用(yong)(yong)黑表(biao)笔(bi)(bi)接触(chu)假定(ding)(ding)为(wei)的(de)(de)(de)栅极(ji)G管脚(jiao)，然后(hou)用(yong)(yong)红表(biao)笔(bi)(bi)分别接触(chu)另外两(liang)个管脚(jiao)，若阻值均比较小（约5~10欧)，再将红黑表(biao)笔(bi)(bi)交换(huan)测(ce)量一(yi)次，如(ru)阻值大（无穷），说明(ming)(ming)都(dou)是反(fan)向(xiang)电(dian)阻（PN结反(fan)向(xiang)），属(shu)N沟道(dao)管，且黑表(biao)笔(bi)(bi)接触(chu)的(de)(de)(de)管为(wei)栅极(ji)G，并(bing)说明(ming)(ming)原(yuan)先假定(ding)(ding)是正(zheng)(zheng)确的(de)(de)(de)。再次测(ce)量的(de)(de)(de)阻值均很小，说明(ming)(ming)是正(zheng)(zheng)向(xiang)电(dian)阻，属(shu)于(yu)P沟道(dao)场效(xiao)应管，黑表(biao)笔(bi)(bi)所接触(chu)的(de)(de)(de)也是栅极(ji)G。若不出现上述情况(kuang)，可以(yi)(yi)调(diao)换(huan)红黑表(biao)笔(bi)(bi)，按上述方法进测(ce)试(shi)，直至判(pan)断栅极(ji)为(wei)止。一(yi)般结型效(xiao)应管的(de)(de)(de)源极(ji)与漏极(ji)在?制造时(shi)是对(dui)称的(de)(de)(de)，所以(yi)(yi)，当栅极(ji)G确定(ding)(ding)以(yi)(yi)后(hou)，对(dui)于(yu)源极(ji)S漏极(ji)D不一(yi)定(ding)(ding)要(yao)判(pan)断，因为(wei)这两(liang)个极(ji)可以(yi)(yi)互换(huan)使用(yong)(yong)，因此没有必要(yao)去判(pan)别．源极(ji)与漏极(ji)之(zhi)间的(de)(de)(de)电(dian)阻约为(wei)几千欧。

（三）场效应管放大能力的估测

用万用表(biao)的(de)RX100挡可(ke)以估算(suan)场效应(ying)(ying)管的(de)放(fang)大能(neng)力(li)(li)．具体测试如下：红表(biao)笔接(jie)源(yuan)极(ji)S，?黑(hei)表(biao)笔接(jie)漏极(ji)D，这样(yang)相当(dang)(dang)于(yu)给场效应(ying)(ying)管加上1.5伏的(de)电源(yuan)电压，这时表(biao)针指示出的(de)是D-S极(ji)间的(de)电阻值(zhi)．然后用手指捏(nie)住栅(zha)极(ji)G，将人体的(de)感应(ying)(ying)电压作(zuo)为输入信号加到栅(zha)极(ji)上．由于(yu)场效应(ying)(ying)管的(de)放(fang)大作(zuo)用，Uds和Id都将发生变化，也相当(dang)(dang)于(yu)D-S极(ji)间电阻发生变化，可(ke)以观测到表(biao)针有较大幅度的(de)摆动(dong)(dong)．如果手捏(nie)栅(zha)极(ji)表(biao)针摆动(dong)(dong)很小，说明(ming)场效应(ying)(ying)管的(de)放(fang)大能(neng)力(li)(li)较弱，若表(biao)针不动(dong)(dong)，说明(ming)场效应(ying)(ying)管已损坏。

注意的是多数场(chang)效应(ying)管(guan)的Rds增大，表针向(xiang)(xiang)左摆(bai)(bai)动(dong)，少数场(chang)效应(ying)管(guan)的Rds减小，表针向(xiang)(xiang)右摆(bai)(bai)动(dong)．但(dan)(dan)无论表针摆(bai)(bai)动(dong)方向(xiang)(xiang)如何，只要能(neng)明显地摆(bai)(bai)动(dong)，就(jiu)说明管(guan)子具(ju)有放大能(neng)力。但(dan)(dan)由于MOS管(guan)的输(shu)入(ru)电(dian)阻(zu)更高，栅极允许的感应(ying)电(dian)压不应(ying)过高，故不能(neng)直接(jie)用手去(qu)捏栅极，必(bi)须用手握螺丝(si)刀(dao)的绝缘柄(bing)，用金属杆去(qu)碰触栅极，以(yi)防止感应(ying)电(dian)荷直接(jie)加到栅极上(shang)，引起MOS管(guan)的栅极击穿。

（四）实例（总结模拟电路中MOS栅极电阻作用）

场效应管,场效应晶体管

1、是(shi)分(fen)压(ya)作(zuo)用

2、下拉电阻是尽快(kuai)泄(xie)放栅(zha)极电荷将(jiang)MOS管尽快(kuai)截止

3、防止(zhi)栅(zha)极出(chu)现浪涌过压(ya)（栅(zha)极上并联的(de)稳压(ya)管也是防止(zhi)过压(ya)产(chan)生）

4、全(quan)桥(qiao)(qiao)栅(zha)极电阻也是同样机理，尽(jin)快泄放栅(zha)极电荷，将(jiang)MOS管(guan)尽(jin)快截止(zhi)。避免栅(zha)极悬空(kong)，悬空(kong)的(de)栅(zha)极MOS管(guan)将(jiang)会导(dao)通，导(dao)致全(quan)桥(qiao)(qiao)短路

5、驱(qu)动管和栅极之间(jian)的电阻起到隔离、防止寄生(sheng)振荡的作用

场效应晶体管的四大注意事项

场效应(ying)晶(jing)体管在运(yun)用时应(ying)留意以下(xia)几点：

1、场效应(ying)晶体管在(zai)运用时要留意不(bu)同类型的(de)栅源漏各级电(dian)(dian)压(ya)的(de)极性。保证电(dian)(dian)压(ya)和(he)电(dian)(dian)流不(bu)超越(yue)最大允许值。

2、爲了避免栅(zha)极击穿，要求一切(qie)测(ce)试仪器、电(dian)烙铁(tie)都必需有(you)(you)外接(jie)地线(xian)。焊接(jie)时，用带有(you)(you)接(jie)地线(xian)的小(xiao)功率烙铁(tie)焊接(jie)，或(huo)切(qie)断(duan)电(dian)源(yuan)后(hou)应用余热焊接(jie)。焊接(jie)时还该当先焊源(yuan)极后(hou)焊栅(zha)极。

场效应管,场效应晶体管

3、绝缘栅场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶(jing)体管(guan)由于(yu)输出(chu)电(dian)阻(zu)极高，故不(bu)能在开路形(xing)态下保管(guan)。即无论管(guan)子运用(yong)与否，都(dou)应(ying)(ying)(ying)将(jiang)三个电(dian)极短路或用(yong)铝(lv)(锡(xi))箔(bo)包好，不(bu)要用(yong)手指触摸以(yi)避(bi)免感(gan)应(ying)(ying)(ying)电(dian)势(shi)将(jiang)栅极击穿(chuan)。结(jie)型场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶(jing)体管(guan)可(ke)以(yi)在开路形(xing)态下保管(guan)。

场效应管,场效应晶体管

4、场效应晶体管(guan)(包括结型和绝(jue)缘栅型)的(de)漏极(ji)与源(yuan)(yuan)极(ji)通常制(zhi)成对称的(de)，漏极(ji)和源(yuan)(yuan)极(ji)可(ke)以互换(huan)运用。但是有的(de)绝(jue)缘栅场效应晶体管(guan)在制(zhi)造商品时已把源(yuan)(yuan)极(ji)和衬底衔接(jie)在一同了(le)，所以这种管(guan)子(zi)的(de)源(yuan)(yuan)极(ji)和漏极(ji)就不能互换(huan)。有的(de)管(guan)子(zi)则将衬底独自(zi)引出一个管(guan)脚(jiao)，构成四个管(guan)脚(jiao)。普通状(zhuang)况P衬底接(jie)低(di)电位，N衬底接(jie)高电位。另外，由于陶瓷封装的(de)芝麻型管(guan)有光(guang)敏特性，运用时应留意避光(guang)。

场效应管,场效应晶体管