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驱动变压器电路

信息(xi)来源：本站　日期：2017-05-26　

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驱动变压器的恢复

在驱动MOS晶体管Q2导通期间(jian)的(de)开(kai)始(shi)部(bu)分(fen)，D1和(he)S2将导通。但是当Ql已经关(guan)断并(bing)且基(ji)—射结(jie)间(jian)的(de)恢复电(dian)(dian)流已经变为(wei)零的(de)时候，在(zai)绕组P2的(de)电(dian)(dian)压通过(guo)R1使(shi)Dl和(he)S2反偏关(guan)断。所有绕组在(zai)开(kai)始(shi)时都变为(wei)负(fu)，同(tong)时在(zai)绕组P2中会形成电(dian)(dian)流，使(shi)磁心复位到负(fu)饱和(he)状态。

在饱(bao)和状态，流过Q2和P2的电(dian)流只通过电(dian)阻Rl进行(xing)限(xian)流，所有(you)绕(rao)组(zu)上(shang)的电(dian)压都(dou)为零(ling)，同时电(dian)路也(ye)复位到准备(bei)(bei)状态从(cong)而给下一个(ge)导通周期做准备(bei)(bei)。

s1和S2之(zhi)(zhi)间应(ying)该(gai)只(zhi)有非常(chang)少(shao)量漏感(gan)的(de)(de)要求似(si)乎与变压器(qi)(qi)原边(bian)—副(fu)边(bian)之(zhi)(zhi)间的(de)(de)隔离(li)以及漏电距离(li)的(de)(de)要求有矛盾(dun)。在离(li)线开关电源(yuan)应(ying)用(yong)中，Tl用(yong)来作为一个原边(bian)—副(fu)边(bian)之(zhi)(zhi)间的(de)(de)电路(lu)隔离(li)，变压器(qi)(qi)需要比只(zhi)对功(gong)率有要求的(de)(de)变压器(qi)(qi)大一些。

宽范围比例驱动电路

如图1. 16.1所示电路中，如果它的输入电压和负载的范围都较大，那么它将会有一些局限性，具体叙述如下。
当(dang)输(shu)入电(dian)(dian)压(ya)很低(di)时(shi)，工作周(zhou)期将会变大，同时(shi)Ql的(de)(de)导(dao)通时(shi)间(jian)会远超(chao)过整个(ge)通断时(shi)间(jian)的(de)(de)50%。甚(shen)者，如果(guo)负载范围内允许的(de)(de)最轻负载较小，那么输(shu)出滤波(bo)网络中的(de)(de)Ll就相对大到可(ke)以保持连续导(dao)通。在这(zhei)种条件(jian)下，调整管(guan)的(de)(de)集(ji)电(dian)(dian)极电(dian)(dian)流小而导(dao)通时(shi)间(jian)长。

在这(zhei)个(ge)(ge)长(zhang)导通期(qi)间(jian)内(nei)，mos驱动变(bian)(bian)(bian)压(ya)器Tl产生(sheng)磁化电(dian)(dian)流(liu)，因为绕组S1两端出(chu)现了(le)(le)恒定的(de)Ql基射电(dian)(dian)压(ya)vbe由(you)于在此(ci)期(qi)间(jian)驱动变(bian)(bian)(bian)压(ya)器是(shi)一(yi)(yi)个(ge)(ge)电(dian)(dian)流(liu)变(bian)(bian)(bian)流(liu)器，因此(ci)该磁化电(dian)(dian)流(liu)是(shi)输出(chu)电(dian)(dian)流(liu)的(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)。所以这(zhei)个(ge)(ge)预(yu)期(qi)的(de)比例驱动的(de)比值在整个(ge)(ge)长(zhang)的(de)导通期(qi)间(jian)内(nei)并(bing)不是(shi)保持(chi)不变(bian)(bian)(bian)的(de)。在此(ci)期(qi)间(jian)的(de)结束部(bu)分(fen)(fen)，mos驱动能力下降。为了(le)(le)减少它的(de)影响，要求驱动变(bian)(bian)(bian)压(ya)器Tl有大(da)的(de)电(dian)(dian)感值。

但在(zai)导通期(qi)间结束时，Q2必须要在(zai)余下的短关断期(qi)间复(fu)(fu)位(wei)驱动(dong)变匝(za)器的磁心。为了达到快速复(fu)(fu)位(wei)，绕(rao)(rao)组P2中每匝(za)绕(rao)(rao)组的电压(ya)要大，可以(yi)选用P2匝(za)数(shu)少且采用大复(fu)(fu)位(wei)电流的方法，也可选用大的辅助电源电压(ya)。无论用哪种方法，在(zai)Rl上将会产生较大的功耗(hao)。

因此，必须(xu)在电(dian)感匝数与(yu)辅助(zhu)电(dian)压(ya)之间做(zuo)出折中的选(xuan)择，这(zhei)在高频情况下，电(dian)感匝数与(yu)辅助(zhu)电(dian)压(ya)之间是(shi)很难(nan)针对宽范围的控制做(zuo)出优化的，而在图(tu)1. 16.2中的电(dian)路(lu)可以解(jie)决这(zhei)个矛盾。

在图1. 16.2的电路中，当Q2关断时，电源通过Rl和Q3对Cl快速充电，Q3通过其基极驱动电路P2、D2和(he)R2强行导通。在Q2关断(duan)和(he)Ql导通时，所有绕(rao)组(zu)同名端(duan)的极性都为正。