login_盛图娱乐「一家有温度的游戏平台」驱动变压器，mos驱动

驱动变压器电路

信息来源：本站　日(ri)期：2017-05-26　

分享(xiang)到：

驱动变压器的恢复

在驱动MOS晶体管Q2导(dao)通(tong)期间的开始(shi)部(bu)分，D1和S2将导(dao)通(tong)。但是(shi)当Ql已(yi)经(jing)关断(duan)并且基—射结(jie)间的恢复电(dian)流(liu)已(yi)经(jing)变(bian)(bian)为(wei)零的时(shi)候(hou)，在绕组P2的电(dian)压通(tong)过R1使(shi)Dl和S2反偏关断(duan)。所有(you)绕组在开始(shi)时(shi)都变(bian)(bian)为(wei)负，同时(shi)在绕组P2中会形成(cheng)电(dian)流(liu)，使(shi)磁(ci)心(xin)复位到负饱和状态。

在饱(bao)和状(zhuang)态，流(liu)过(guo)(guo)Q2和P2的(de)电(dian)流(liu)只通过(guo)(guo)电(dian)阻Rl进行限流(liu)，所(suo)有绕组上(shang)的(de)电(dian)压都为零，同时(shi)电(dian)路(lu)也复位到(dao)准备(bei)状(zhuang)态从(cong)而给下一个(ge)导通周期做(zuo)准备(bei)。

s1和S2之间(jian)应该只(zhi)有非常少量漏(lou)感的(de)要(yao)求(qiu)似乎与变(bian)压器(qi)原边(bian)—副边(bian)之间(jian)的(de)隔(ge)离以(yi)及漏(lou)电(dian)距离的(de)要(yao)求(qiu)有矛(mao)盾(dun)。在离线开关电(dian)源应用中(zhong)，Tl用来作为一个原边(bian)—副边(bian)之间(jian)的(de)电(dian)路隔(ge)离，变(bian)压器(qi)需要(yao)比只(zhi)对功率有要(yao)求(qiu)的(de)变(bian)压器(qi)大一些。

宽范围比例驱动电路

如图1. 16.1所示电路中，如果它的输入电压和负载的范围都较大，那么它将会有一些局限性，具体叙述如下。
当输(shu)入电压很低时，工作周期将会变大，同时Ql的(de)(de)导通(tong)时间(jian)会远超过(guo)整个通(tong)断时间(jian)的(de)(de)50%。甚者，如(ru)果负载范围内(nei)允许的(de)(de)最轻负载较小，那么输(shu)出滤波(bo)网络中(zhong)的(de)(de)Ll就(jiu)相对大到可以保持连续导通(tong)。在这种条件下(xia)，调整管的(de)(de)集电极电流小而(er)导通(tong)时间(jian)长。

在这个(ge)(ge)长(zhang)导(dao)(dao)通期间内，mos驱动变(bian)压(ya)器(qi)Tl产(chan)生磁(ci)化电(dian)(dian)流(liu)(liu)，因为绕(rao)组S1两(liang)端出(chu)现了(le)恒定的(de)(de)Ql基射电(dian)(dian)压(ya)vbe由于在此期间驱动变(bian)压(ya)器(qi)是一(yi)个(ge)(ge)电(dian)(dian)流(liu)(liu)变(bian)流(liu)(liu)器(qi)，因此该磁(ci)化电(dian)(dian)流(liu)(liu)是输出(chu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)一(yi)部(bu)分。所以这个(ge)(ge)预期的(de)(de)比(bi)例(li)驱动的(de)(de)比(bi)值(zhi)在整(zheng)个(ge)(ge)长(zhang)的(de)(de)导(dao)(dao)通期间内并不是保持不变(bian)的(de)(de)。在此期间的(de)(de)结(jie)束部(bu)分，mos驱动能力下降。为了(le)减少它的(de)(de)影(ying)响(xiang)，要(yao)求驱动变(bian)压(ya)器(qi)Tl有大的(de)(de)电(dian)(dian)感值(zhi)。

但在导通期间结束(shu)时，Q2必(bi)须要(yao)在余下的(de)短关(guan)断期间复(fu)位(wei)(wei)驱动变(bian)匝器的(de)磁心。为了(le)达(da)到快(kuai)速复(fu)位(wei)(wei)，绕组P2中(zhong)每匝绕组的(de)电压(ya)(ya)要(yao)大(da)(da)，可以选用P2匝数少且采用大(da)(da)复(fu)位(wei)(wei)电流(liu)的(de)方(fang)法，也可选用大(da)(da)的(de)辅助电源电压(ya)(ya)。无(wu)论用哪种方(fang)法，在Rl上将会产生较(jiao)大(da)(da)的(de)功耗。

因此，必须(xu)在(zai)(zai)电感匝数与辅助(zhu)电压(ya)之间做出折中(zhong)的(de)选择，这在(zai)(zai)高频情况下，电感匝数与辅助(zhu)电压(ya)之间是很难(nan)针对宽范围的(de)控(kong)制做出优化的(de)，而在(zai)(zai)图(tu)1. 16.2中(zhong)的(de)电路可以解(jie)决(jue)这个(ge)矛(mao)盾(dun)。

在图1. 16.2的电路中，当Q2关断时，电源通过Rl和Q3对Cl快速充电，Q3通过其基极驱动电路P2、D2和R2强行(xing)导(dao)(dao)通(tong)。在Q2关断和Ql导(dao)(dao)通(tong)时，所有绕组同(tong)名(ming)端的极性都(dou)为正。