结型场效应管JFET知识详解（附上图文）结构及四个工作区

什么是场效应管（JFET）

场(chang)效(xiao)应管(guan)（JFET）它不仅具(ju)有双极型(xing)三极管(guan)的体积小,重量轻,耗(hao)电少,寿命(ming)长等(deng)优点,而且还(hai)具(ju)有输入(ru)电阻高,热稳定性(xing)好,抗辐射能力(li)强,噪声低,制造工艺简(jian)单,便于集成等(deng)特点.因而,在大(da)规模及超大(da)规模集成电路(lu)中得到了广泛(fan)的应用.根(gen)据结(jie)构和(he)工作原(yuan)理(li)不同,场(chang)效(xiao)应管(guan)可分为两(liang)大(da)类: 结(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(JFET)和(he)绝缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(IGFET)。

在(zai)两个(ge)高掺杂的(de)P区(qu)(qu)中间，夹着一层低掺杂的(de)N区(qu)(qu)（N区(qu)(qu)一般(ban)做(zuo)得很薄(bo)），形成(cheng)了两个(ge)PN结。在(zai)N区(qu)(qu)的(de)两端各做(zuo)一个(ge)欧(ou)姆(mu)接触电(dian)极(ji)，在(zai)两个(ge)P区(qu)(qu)上(shang)(shang)也做(zuo)上(shang)(shang)欧(ou)姆(mu)电(dian)极(ji)，并把这两个(ge)P区(qu)(qu)连(lian)起来(lai)，就构成(cheng)了一个(ge)场效(xiao)应(ying)管。从N型(xing)区(qu)(qu)引(yin)出(chu)的(de)两个(ge)电(dian)极(ji)分别为(wei)源(yuan)极(ji)S和漏(lou)极(ji)D，从两个(ge)P区(qu)(qu)引(yin)出(chu)的(de)电(dian)极(ji)叫栅(zha)极(ji)G，很薄(bo)的(de)N区(qu)(qu)称为(wei)导(dao)电(dian)沟道。

结型场效(xiao)应管分类：N沟(gou)道和P沟(gou)道两种。如下图所示为N沟(gou)道管的(de)结构(gou)和符号。

如(ru)图(tu)所示为N沟道结(jie)型场效应管的结(jie)构示意图(tu)

输出特性可(ke)以分为(wei)四个工作区：

场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)在手机射频电路中(zhong)作(zuo)(zuo)(zuo)为放大(da)元(yuan)件(jian)使用(yong)，在逻辑电路一(yi)般作(zuo)(zuo)(zuo)开关元(yuan)件(jian)使用(yong)。与三极(ji)管(guan)(guan)一(yi)样，场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)必须(xu)加(jia)上适当(dang)的(de)偏压(ya)，才(cai)能正常工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)，才(cai)能起放大(da)、振荡很有成效作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)。其中(zhong)P沟(gou)通型(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)必须(xu)加(jia)上负的(de)栅—源(yuan)电压(ya)，而N沟(gou)道(dao)型(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)必须(xu)加(jia)上正的(de)栅—源(yuan)电压(ya)。

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