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场(chang)效(xiao)应(ying)管门极驱动电(dian)路(lu)解析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-03-23 

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场效应管门极驱动电路解析-KIA MOS管


场效应管门极驱动电路


场效应管门极驱动电路

场效应管门极(ji)驱动(dong)电路图(tu)


场效应管(guan)门极驱动(dong)电路-(1)直接(jie)驱动(dong)

电阻(zu)R1的作用是(shi)(shi)(shi)限流和(he)抑制寄(ji)生振荡,一般为(wei)10ohm到100ohm,R2是(shi)(shi)(shi)为(wei)关断时提供放电回路的;稳压二(er)极管(guan)(guan)D1和(he)D2是(shi)(shi)(shi)保护(hu)MOS管(guan)(guan)的门]极和(he)源极;二(er)极管(guan)(guan)D3是(shi)(shi)(shi)加速MOS的关断。


场效应管门极驱动电路


(2)互补三极管(guan)驱动

当(dang)MOS管的(de)功(gong)率很大时,而PWM芯片输(shu)出的(de)PWM信号(hao)不足已(yi)驱(qu)动MOS管时,加互(hu)补(bu)三极管来提供较大的(de)驱(qu)动电(dian)流来驱(qu)动MOS管。


PWM为高(gao)电(dian)(dian)平(ping)时,三(san)极管Q3导通(tong)(tong),驱动MOS管导通(tong)(tong);PWM为低电(dian)(dian)平(ping)时,三(san)极管Q2导通(tong)(tong),加速MOS管的关(guan)断(duan);电阻(zu)R1和R3的(de)作用是(shi)限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是(shi)为关(guan)(guan)断时提供放(fang)电回路的(de);二(er)极管D1是(shi)加(jia)速MOS的(de)关(guan)(guan)断。


场效应管门极驱动电路


(3)耦台驱(qu)动(利用驱(qu)动变压器耦合(he)驱(qu)动)

当驱(qu)动信号和功率MOS管不共地或(huo)者MOS管的(de)源极浮地的(de)时候(hou),比如Buck变换器或(huo)者双管正激变换器中的(de)MOS管,利用(yong)变压器进行耦合驱(qu)动如右图:


场效应管门极驱动电路


驱动变(bian)压器的作(zuo)用(yong):

1.解(jie)决驱动MOS管浮(fu)地的问题(ti);

2.解决PWM信号与(yu)MOS管不共地的(de)问题;

3. 一(yi)个驱动信号可以(yi)分成两个驱动信号;

4.减少(shao)干扰。




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