射极跟随器的原理及电路图分析、汇总-KIA MOS管

射极跟随器解析

射极(ji)跟随(sui)器(qi)指的是：信号从(cong)基(ji)极(ji)输入，从(cong)发射极(ji)输出的放(fang)大器(qi)。

其特点为输(shu)入(ru)阻抗(kang)高(gao)，输(shu)出阻抗(kang)低(di)，因而从信号源索取的(de)电(dian)流(liu)小(xiao)而且(qie)带(dai)负载能力强，所(suo)以常用(yong)于多级放大电(dian)路(lu)的(de)输(shu)入(ru)级和输(shu)出级；也可(ke)用(yong)它连接两电(dian)路(lu)，减少(shao)电(dian)路(lu)间直接相连所(suo)带(dai)来的(de)影响，起缓冲作用(yong)。

电(dian)压放大系数略低于1，负载能力强，输入信号(hao)与输出信号(hao)相(xiang)位相(xiang)同。也可认为是(shi)一(yi)种(zhong)电(dian)流放大器。常作阻抗变换和级间隔离用。

共集接法的电路见(jian)下图(tu)，它(ta)从(cong)基(ji)极输(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)信号(hao)，从(cong)射极输(shu)(shu)(shu)出(chu)信号(hao)。它(ta)具有高输(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)阻(zu)抗(kang)、低输(shu)(shu)(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)、输(shu)(shu)(shu)入(ru)(ru)信号(hao)与输(shu)(shu)(shu)出(chu)信号(hao)相位相同的特点。

射极跟随器的原理

射极跟(gen)随器以很小的(de)输(shu)人电(dian)流却(que)可以得到很大(da)的(de)输(shu)出电(dian)流（ie=（1+β）ib）。

因此具有(you)电(dian)(dian)流放(fang)大(da)及功率(lv)放(fang)大(da)作用。需要区别的是普通的多级共射(she)级放(fang)大(da)电(dian)(dian)路，是不(bu)放(fang)大(da)电(dian)(dian)流放(fang)大(da)电(dian)(dian)压(ya)，这点跟(gen)射(she)随(sui)是相(xiang)反的。

在电(dian)视(shi)电(dian)路(lu)(lu)中，中放解出TV的(de)(de)视(shi)频图像(xiang)后用(yong)射(she)极电(dian)路(lu)(lu)来输出，保证(zheng)输出图像(xiang)的(de)(de)变化随输入(ru)而改(gai)变，需主(zhu)意的(de)(de)是一(yi)般幅(fu)度要达到1.2V左右，需通过(guo)调节RB和RE的(de)(de)比(bi)例调节输出交(jiao)流(liu)波形的(de)(de)幅(fu)度。

射极跟随器电路

射随器的实用电路

下图(tu)是高频放大器使用的一(yi)(yi)种电路，由同轴电缆(lan)把(ba)信号输出，电缆(lan)的特性阻抗一(yi)(yi)般为50欧(ou)或70欧(ou)，所以(yi)要(yao)通(tong)过跟随器BG2实(shi)现阻抗变换。

射极跟随器电路

图2是(shi)一(yi)种自举式的跟(gen)随器，它的特点(dian)是(shi)：

1、自(zi)举(ju)

由于(yu)R3的(de)下端电(dian)位(wei)随上端电(dian)位(wei)升曾而升高，故称(cheng)为自兴(xing)举(ju)，自举(ju)作用使R3两端的(de)交流压降为零(ling)。所以对交流来说，R3相当于(yu)开路(lu)，从而避(bi)免了偏置(zhi)电(dian)路(lu)降低了输入阻抗的(de)缺陷。

2、输入阻抗高

为(wei)了(le)尽量地提高(gao)晶体管(guan)有效的输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗，采用BG1和BG2组成复(fu)合管(guan)电路，这时β=β1β2，使总的输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗大(da)大(da)提高(gao)。因(yin)为(wei)输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗Ri=Rbe+（1+β）Reo 本电路的输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗为(wei)2兆(zhao)欧，

射极跟随器电路