8104mos管(guan),30a40vmos管(guan),KNG8104A场效应管(guan)参数资料-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来源：本站 日期：2025-05-13
KNG8104A场效应(ying)管漏源击穿电(dian)压(ya)40V，漏极(ji)电(dian)流30A，极(ji)低导通电(dian)阻RDS(开启) 12mΩ，最(zui)大(da)限度(du)地减少(shao)导电(dian)损耗(hao)(hao)；低电(dian)流、低功耗(hao)(hao)、开关(guan)速度(du)快，高效低耗(hao)(hao)；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可(ke)靠(kao)，环(huan)保无铅；广泛应(ying)用于PWM应(ying)用、电(dian)源管理、负载开关(guan)等；封装形式：DFN3*3。
漏源(yuan)电压：40V
漏极电流：-30A
栅源电压(ya)：±20V
脉冲漏电流(liu)：120A
单脉冲雪崩能量：25MJ
功率耗(hao)散(san)：96W
阈值电压：1.5V
总栅(zha)极(ji)电荷(he)：18nC
输入(ru)电(dian)容：850PF
输出电容：70PF
反向传输电容：62PF
开通(tong)延迟时间：4nS
关断延(yan)迟时间：30nS
上升(sheng)时间：8ns
下降时间：10ns
联系方式(shi)：邹(zou)先(xian)生
座机：0755-83888366-8022
手(shou)机：18123972950（微信同号(hao)）
QQ：2880195519
联系地址：深(shen)圳市龙华区英泰科汇广场2栋(dong)1902
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