KIA3N80参数

KIA3n80hN沟道增(zeng)强(qiang)型硅栅功(gong)率MOSFET的设计对(dui)于高电压，高速(su)功(gong)率开(kai)关(guan)应用，如(ru)开(kai)关(guan)稳压器，开(kai)关(guan)转换(huan)器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。

特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(he)（典型的13nc）

高耐(nai)用性

快速切换的能(neng)力

雪崩(beng)能量

改进(jin)的dt／dt能力

参数

产品型号：KIA3N80

工作方式：3.0A/800V

漏源电(dian)压：800V

栅源电压：±30V

漏电流连续：3A

脉冲漏极电(dian)流：12A

雪崩(beng)能量(liang)：320mJ

耗(hao)散功率：39W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系(xi)数：1V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入(ru)电容：543 PF

输出电容：54 PF

上(shang)升(sheng)时间：43.5 ns

封装形式：TO-220F

	KIA3N80
产品编号	KIA3M80（3.0A 800V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品特征	RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的13nc）高耐用性快(kuai)速切换的能力(li) 雪崩能量改进的(de)dt／dt能力
适用范围	KIA3n80hN沟道增强(qiang)型硅栅功率(lv)MOSFET的设计对(dui)于高(gao)电压(ya)，高(gao)速功率(lv)开(kai)关应(ying)用，如开(kai)关稳压(ya)器(qi)，开(kai)关转换器(qi)，螺线管，电机驱动器，继(ji)电器驱动程序(xu)。
封装形式	TO-220F
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
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