7115现(xian)货供应商 KIA7115 20A/150V PDF文件 7115参数详细资料-KIA 官网
信(xin)息来源：本站 日期(qi)：2018-02-08
KIA 7115a是性能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具(ju)有极高的单元密度，为大多数同(tong)步(bu)buck转换器应用提供了优(you)异(yi)的RDSON和栅极电荷。KIA 7115a符合(he)RoHs和绿色产品要求(qiu)，100 % EAS，功能可靠性得到认可。
特征
RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V
超低栅极电荷(he)
绿色设备可(ke)用
优良的Cdv / dt效(xiao)应下降
先进的(de)高单元密度沟槽技术
参数
产(chan)品(pin)型号：KIA7115
工作方式(shi)：20A/150V
漏源电压：150V
栅(zha)源电压：±20V
漏电流连(lian)续：14A
脉冲漏极电流：40A
雪崩电流：18A
雪崩能量：53mJ
耗散功率：72.6W
热电(dian)阻：60℃/W
漏源击穿(chuan)电压：150V
栅极阈值电(dian)压：1.2V
输入电容：2285PF
输出电(dian)容：110PF
上升时(shi)间：8.2 ns
封装(zhuang)形式：TO-251、TO-252
 |
KIA7115AD/AU |
| 产品编号 | KIA7115（20A 150V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA 7115a是性能最高的沟(gou)槽N - ch MOSFETs，具有极高的单(dan)元(yuan)密度(du)，为大多数(shu)同(tong)步buck转换(huan)器(qi)应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。 |
| 产品特征 |
RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V 超低栅极电(dian)荷(he) 绿色(se)设(she)备可用 优良的Cdv / dt效应下降 先进的高单元密(mi)度沟槽技术(shu) |
| 封装形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总4页 |
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