原厂场效(xiao)MOS管3308-可替代KIA3308 80A/80V PDF文件(jian)下载-KIA MOS管
信息来源:本(ben)站 日期:2018-03-07
特征
RDS(ON)= 6.2mΩ@ V GS = 10v
无铅(qian)和绿色设备(bei)可用
Low Rds最小(xiao)化导电损耗(hao)
雪崩电流
应用
电源
DC-DC变(bian)换器(qi)
产品参数
产品型号(hao):KIA3308
工(gong)作方式(shi):80A/80V
漏(lou)源电压:80V
栅源电(dian)压:±25V
漏电流连(lian)续:80A
脉冲漏极电流:340A
雪崩能(neng)量:50A
耗散功率:410W
热电阻:55℃/W
漏源击穿电(dian)压(ya):80V
栅极阈值(zhi)电压:2V
输(shu)入电容:3110PF
输出电容:445PF
上升时间(jian):67ns
封装形式:TO-252、TO-263、TO-247
![]() |
KIA3308 |
产品编号 |
KIA3308A、KIA3308AM、KNB3308A、KND3308A、KNP3308A |
适用范围 |
RDS(ON)= 6.2mΩ@ V GS = 10v 无(wu)铅和绿(lv)色(se)设备(bei)可用 低(di)RDS,以减少导通损(sun)耗(hao) 雪崩电流 |
PDF文件 |
【直接在线预览】 |
LOGO |
![]() |
厂家 | KIA原厂家 |
网址 | shkegan.com |
封装形式 | TO-252、TO-263、TO-247 |
PDF总页数 | 总7页 |
联系(xi)方(fang)式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系(xi)地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注(zhu)KIA半导(dao)体工程专辑请搜微(wei)信号:“KIA半导(dao)体”或点击本文下方(fang)图片扫一扫进入官方(fang)微(wei)信“关注(zhu)”。
关注「KIA半导体」,做(zuo)优秀工程师!
长按二维(wei)码识(shi)别(bie)关(guan)注
阅读(du)原文可一键关注(zhu)+技(ji)术(shu)总汇