KIA原(yuan)厂家 KIA7P03A现(xian)货 P沟道 -7.5A/-30V PDF文(wen)件下载(zai)-KIA 官网
信息来源:本站 日(ri)期:2018-03-12
kia7p03a是高密度沟槽p-CH MOSFET,提(ti)供出(chu)色(se)的(de)导通电(dian)阻和(he)大多数同(tong)步降压转换器应(ying)用的(de)栅极(ji)电(dian)荷。的(de)kia7p03a满足(zu)绿色(se)产品要求。
RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
超低栅电荷
绿色(se)的可用设备
优(you)良的CDV / dt效应递减
先进(jin)的高(gao)密度沟槽技术
产品型号:KIA7P03A
工作方式:-7.5A/-30V
漏源电压:-30V
栅源电压:±20V
漏电流(liu)连续:-7.5A
脉冲漏极电流:-50A
雪崩电流:-38A
雪崩能量:72.2mJ
耗散功率(lv):31W
热电阻:40℃/W
漏(lou)源击穿电压:-30V
温度系数:-0.022V/℃
栅极(ji)阈值电压:2.5V
输(shu)入电(dian)容:1345PF
输出电容:194PF
上升时间(jian):19.6ns
封(feng)装形式:SOP-8
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KIA7P03A |
产品编号 | KIA7P03A -7.5A/-30V |
产品工艺 |
kia7p03a是高密度沟槽p-CH MOSFET,提供出色的(de)(de)导(dao)通电(dian)阻和大多数同(tong)步(bu)降(jiang)压转换器应(ying)用的(de)(de)栅极电(dian)荷。的(de)(de)kia7p03a满足绿(lv)色产品(pin)要求(qiu)。 |
产(chan)品特(te)征 |
RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V 超低栅电荷(he) 绿色的可用设备(bei) 优良的CDV / dt效应递减 先进的高密度沟槽技(ji)术 |
封装形式 | SOT-8 |
PDF文件 |
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LOGO |
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厂家 | KIA原厂家(jia) |
网址 | shkegan.com |
PDF页总数(shu) | 总4页(ye) |
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